In this study, the sliding wear in spur gears, using Archard's wear model, is analyzed. Formulas of tooth sliding wear depth along the line of action are derived. The tooth profile is modified Id make a smooth transmission of the normal loads and the cylinder profile for reducing the pressure spike is suggested. The sliding wear rate is calculated with these profiling results. We expect these modification methods to contribute to the reduction of sliding wear not only in the root, but the tip of tooth and tooth edge.
Shear modulus is directly linked to material's stiffness and is one of the most critical engineering parameters. Seismically, shear-wave velocity (Vs) is its best indicator. Although methods like refraction, down-hole, and cross-hole shear-wave surveys can be used, they are generally known to be tougher than any other seismic methods in field operation, data analysis, and overall cost. On the other hand, surface waves, commonly known as ground roll, are always generated in all seismic surveys with the strongest energy, and their propagation velocities are mainly determined by Vs of the medium. Furthermore, sampling depth of a particular frequency component of surface waves is in direct proportion to its wavelength and this property makes the surface wave velocity frequency dependent, i.e., dispersive. The multichannel analysis of surface waves (MASW) method tries to utilize this dispersion property of surface waves for the purpose of Vs profiling in 1-D (depth) or 2-D (depth and surface location) format. The active MASW method generates surface waves actively by using an impact source like sledgehammer, whereas the passive method utilizes those generated passively by cultural (e.g., traffic) or natural (e.g., thunder and tidal motion) activities. Investigation depth is usually shallower than 30 m with the active method, whereas it can reach a few hundred meters with the passive method. Overall procedures with both methods are briefly described.
Kim, Garam;Park, Donggyu;Kyung, Doohyun;Lee, Junhwan
Geomechanics and Engineering
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제7권4호
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pp.459-475
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2014
In this study, a CPT-based p-y analysis method was proposed for the displacement analysis of laterally loaded piles. Key consideration was the continuous soil profiling capability of CPT and cone resistance profiles that do not require artificial assumption or simplification for input parameter selection. The focus is on the application into offshore mono-piles embedded in clays. The correlations of p-y function components to the effective cone resistance were proposed, which can fully utilize CPT measurements. A case example was selected from the literature and used to validate the proposed method. Various parametric studies were performed to examine the effectiveness of the proposed method and investigate the effect of property profile and its depth resolution on the p-y analysis. It was found that the calculation could be largely misleading if wrongly interpreted sub-layer condition or inappropriate resolution of input soil profile was involved in the analyses. It was also found that there is a significant influence depth that dominates overall load response of pile. The soil profile and properties within this depth range affect most significantly calculated load responses, confirming that the soil profile within this depth range should be identified in more detail.
Medium Energy Ion Scattering (MEIS) has been successfully used for ultrathin film analysis such as gate oxides and multilayers due to its single atomic depth resolution in compostional and structural depth profiling. Recently, we developed a time-of-flight (TOF) MEIS for the first time, which can analyze a $10{\mu}m$ small spot. Small spot analysis would be useful for test pattern analysis in semiconductor industry and various thin film technology. The ion beam damage problem is minimized due to its improved collection efficiency by orders of magnitude and the ion beam neutralization problem is removed completely for quantitative analysis. Newly developed TOF-MEIS has been applied for gate oxides, ultra shallow junctions, nanoparticles, FINFET structures to provide compositional and structural profiles. Further development for submicron spot analysis and applications for functional nano thin films and nanostructured materials are expected for various nanotechnology and biotehnology.
PSG/$SiO_2$ 보호막 처리된 Al-1%Si 박막배선 내 sodium (Na)과 수분($H_2O$) 게터링(gettering) 현상을 측정, 분석하였다. PSG/$SiO_2$ 보호막과 Al-1%Si 박막을 상압CVD (APCVD: atmosphere pressure chemical vapor deposition)법과 DC 마그네트론 스퍼터로 각각 증착하였고, 이차이온 질량분석기(SIMS: secondary ion mass spectrometry)를 이용한 깊이분포측정(depth profiling) 분석을 통해 PSG/$SiO_2$ 보호막으로부터 Al-1%Si 박막배선 층까지의 sodium과 수분 등 성분들의 분포를 확인하였다. Sodium과 수분 피크 모두 Al-1%Si 박막배선 내부보다는 막 간 계면에서 강하게 나타났다. PSG와 $SiO_2$ 보호막 계면에서는 sodium 피크는 관찰되었지만 수분 피크는 관찰되지 않았다.
$TiN_xW_y$ 전도박막층으로 무반사, 무정전 광학박막을 Essential Macleod 프로그램을 이용하여 설계한 결과 [공가 ${\mid}TiN_xW_y{\mid}SiO_2{\mid}$ 유리]층은 단 두층코팅막으로 가시광선 파장영역 (450~700 nm)에서 넓게 AR 코팅이 되었다. RF magnetron 스퍼터링 장치에 질소가스와 아르곤가스를 동시에 주입하면서 Ti 타켓을 스퍼터링하여 $TiN_x$ 광학박막을 7 nm에서 10 nm의 두께로 유리기판 위에 제작하였다. 이 때 박막의 화학적 조성과 성분비를 분석하기 위해 XPS를 사용하였고, 박막의 면저항과 화화적 조성과의 관계를 분석하기 위하여 XPS depth profiling과 4점탐침법을 사용하였다.
전면증착법에 의한 W공정에서 부착특성고양층으로 사용되는 TiN막에 대한 CVD W막의 부착특성을 인장법(pulling method)과 스크래치법(scratch method)을 사용하여 조사하고, 주사전자현미경과 반사도측정에 의한 표면거칠기측정, 응력측정 및 SIMS depth profiling 등에 의하여 그 원인을 분석하였다. 스퍼터링법으로 형성한 TiN막상에 바로 W막을 증착한 경우와 TiN막을 열처리한 후에 W막을 증착한 경우 간에 두 막간의 부착특성은 큰 차이를 보였다. 전자의 경우가 후자의 경우보다 부착특성이 더 우수한 것으로 나타났는데, 이것은 열처리하지 않은 TiN막이 열처리한 TiN막에 비해 표면이 더 거칠고, 응력수준이 더 낮으며, 열처리한 TiN막내에는 산소성분이 존재하는 반면, 열처리 하지 않은 TiN막내에는 산소성분이 거의 들어있지 않기 때문이다. 또한 TiN막 두께가 증가함에 따라 응력의 증가로 인하여 TiN막에 대한 W막의 부착강도가 저하되었다.
ITO/TPD($450{\AA}$)/$Alq_{3}(500{\AA})$/Al:Li($1200{\AA}$) 구조의 유기 LED를 제작하였다. Al과 Al:Li(0.lwt%), Al:Li(1wt%), Al:Li(5wt %) 합금을 음전극으로 증착시켜 소자의 전기적 광학적 특성을 분석하였다. 음전극 내의 Li의 분포를 알아보기 위하여 SIMS(Secondary ion Mass Spectroscopy) depth profiling을 하였다. Al:Li합금에서 Li의 함량이 0.1 wt %에서 5 wt %로 증가함에 따라 소자의 turn-on voltage는 약 3.5 V에서 3 V로 감소하였고, 구동전압도 감소하였다. 200$cd/m^2$의 휘도를 기준으로 Al:Li(0.1wt %) 합금을 사용한 소자의 경우 3.5 lm/W로 발광효율이 최대였다. 증착된 Al:Li(0.1wt%) 합금의 SIMS depth profiling 결과 초기에만 Al:Li이 증착되어 Al:Li/Al의 두 층이 형성되었고, Al:Li 합금층의 두께는 약 120${\AA}$ 이었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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