Aleksandr Serkov;Nina Kuchuk;Bogdan Lazurenko;Alla Horiuskina
International Journal of Computer Science & Network Security
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v.24
no.4
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pp.206-210
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2024
Industrial facilities that use modern IT technologies require the ensured reliability and security of information in automated enterprise management. Concurrently, so as to ensure a high quality of communication, it is necessary to expand the bandwidth of communication channels, which are limited by the physical parameters of the radio frequency spectrum. In order to overcome this contradiction, we propose the application of technology fundamental to ultra-wideband signals, in which the ratio between the bandwidth and its central part is greater than "one". For this reason, the information signal is emitted without a carrier frequency - simultaneously within the entire frequency band - provided that the signal level is lower than the noise level. For the transmission of information content, the method of positional-time coding is used, in which each information bit is encoded by hundreds of ultrashort pulses that arrive within a certain sequence. Mathematical models of signals and values observed in wireless communication systems with autocorrelation reception of modulated ultra-wideband signals are furthermore recommended. These assist in identifying features of the dependence of the error probability on the normalized signal-to-noise ratio and the signal base. Comparative analysis has shown that the best noise immunity of the systems considered in this paper is the communication system, which uses the time separation of the reference and information signals. During the first half of the bit interval, the switch closes the output of the transmitter directly to the generator of the ultra-wideband signal - forming a reference signal. In the middle of the bit interval, the switch alternates the output to one of two possible positions depending on the encoding signal - "zero" or "one", forming the information part of the ultra-wideband signal. It should also be noted that systems with autocorrelation reception and separate transmission of reference and information signals, provide a high level of structural signal secrecy. Furthermore, they provide the reliable transmission of digital information, especially in interference conditions.
Two dimensional (2D) arrays of noble metal nanoparticles are widely used in the sensing of nanoscale biological and chemical events. Research in this area has sparked considerable interest in many fields owing to the novel optical properties, e.g., the localized surface plasmon resonance, of these metallic nanoarrays. In this paper, we report successes in fabricating 2D arrays of gold nano-islands using nanosphere lithography. The reproducibility and the effectiveness of the nano-patterning method are tested by means of spin coating and capillary force deposition. We found that the capillary force deposition method was more effective for nanospheres with diameters greater than 600 nm, whereas the spin coating method works better for nanospheres with diameters less than 600 nm. The optimal deposition parameters for both methods were reported, showing about 80% reproducibility. In addition, we characterize gold nano-island arrays both geometrically with AFM as well as optically with UV-VIS spectrometry. The AFM images revealed that the obtained nano-arrays formed a hexagonal pattern of truncated tetrahedron nano-islands. The experimental and theoretical values of the geometric parameters were compared. The 2D gold nano-arrays showed strong LSPR in the absorption spectra. As the nano-islands increased in size, the LSPR absorption bands became red-shifted. Linear dependence of the plasmon absorption maximum on the size of the gold nano-islands was identified through the increment in the plasmon absorption maximum rate for a one nanometer increase in the characteristic length of the nano-islands. We found that the 2D gold nano-arrays showed nearly seven-fold higher sensitivity of the absorption spectrum to the size of the nano-islands as compared to colloidal gold nano-particles.
Thyroid eye disease (TED) is a complex autoimmune disease with a spectrum of signs. we previously reported that trisialoganglioside (GT)1b is significantly overexpressed in the orbital tissue of TED patients, and that exogenous GT1b strongly induced HA synthesis in orbital fibroblasts. However, the signaling pathway in GT1b-induced hyaluronic acid synthase (HAS) expression in orbital fibroblasts from TED patients have rarely been investigated. Here, we demonstrated that GT1b induced phosphorylation of Akt/mTOR in a dose-dependent manner in orbital fibroblasts from TED patients. Both co-treatment with a specific inhibitor for PI3K and siRNA knockdown of TLR2 attenuated GT1b-induced Akt phosphorylation. GT1b significantly induced HAS2 expression at both the transcriptional and translational level, which was suppressed by specific inhibitors of PI3K or Akt/mTOR, and by siRNA knockdown of TLR2. In conclusion, GT1b induced HAS2 in orbital fibroblasts from TED patients via activation of the PI3K-related signaling pathway, dependent on TLR2.
This study is to analyze the effect of product involvement on consumer purchase process. From review on previous involvement literatures, enduring product involvement can be defined as "a person's arousal and motivational state activated by product on the basis of his basic value, objective and ego-relevance." To evaluate the effect of involvement on product purchase process, 11 hyphotheses concerning behavioral aspects which is expected to comprise consumer purchase process and to be influenced by degree of involvement were constructed: prepurchase information search, alternative brand comparision, utilization of product attribute, brand differentiation, brand commitment, product knowledge, influence of reference group, dependence on price, price awareness, cognitive dissonance and purchase optimization. Hyphotheses are tested with data from 388 housewives through 20 item involvement scale developed with multi-dimensional perspective on involvement. The scale successfully provides rank order of 8 selected products expected to cover the spectrum of product involvement: formal clothes, coffee, washing machine, shampoo, perfume, detergent, soft drink, pain-reliever as the order of product involvement. Major findings of this study are as follow. First of all, incresed differences were found in hihg involvement product like formal clothes with respect to the degree of prepurchase information search, alternative brand comparision, utilization of product attribute, influence of reference group in any method of analysis. Secondly, invlovement should be interpreted as a consumer characteristic rather than a product one. This means that consumers involve themselves with products, instead products themselves do not have any involvement.
Kim, Yeon;Wu, Mihye;Choi, Sungho;Shim, Kwang Bo;Jung, Ha-Kyun
Korean Journal of Materials Research
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v.26
no.9
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pp.504-511
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2016
To prepare $Mn^{4+}$-activated $K_2TiF_6$ phosphor, a precipitation method without using hydrofluoric acid (HF) was designed. In the synthetic reaction, to prevent the decomposition of $K_2MnF_6$, which is used as a source of $Mn^{4+}$ activator, $NH_5F_2$ solution was adopted in place of the HF solution. Single phase $K_2TiF_6$:$Mn^{4+}$ phosphors were successfully synthesized through the designed reaction at room temperature. To acquire high luminance of the phosphor, the reaction conditions such as the type and concentration of the reactants were optimized. Also, the optimum content of $Mn^{4+}$ activator was evaluator based on the emission intensity. Photoluminescence properties such as excitation and emission spectrum, decay curve, and temperature dependence of PL intensity were investigated. In order to examine the applicability of this material to a white LED, the electroluminescence property of a pc-WLED fabricated by combining the $K_2TiF_6$:$Mn^{4+}$ phosphor with a 450 nm blue-LED chip was measured.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.230-233
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2004
The stochiometric mix of evaporating materials for the $CuInS_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnance. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the $CuInS_2$ polycrystal, it was found tetragonal structure whose lattice constant $a_0$ and $c_0$ were $5.524\;{\AA}$ and $11.142\;{\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, $CuInS_2$ mixed crystal was deposited on throughly etched semi-insulator GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were 640 t and 430 t, respectively and the thickness of the single crystal thin films was $2{\mu}m$. Hall effect on this sample was measured by the method of van dot Pauw and studied on carrier density and temperature dependence of mobility. The carrier density and mobility deduced from Hall data are $9.64{\times}10^{22}/m^3,\;2.95{\times}10^{-2}\;m^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively The optical energy gaps were found to be 1.53 eV at room temperature. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the thin film, we have found that the values of spin orbit coupling splitting ${\Delta}So$ and the crystal field splitting ${\Delta}Cr$ were 0.0211 eV and 0.0045 eV at 10 K, respectively. From PL peaks measured at 10K, 807.7nm (1.5350ev) mean Ex peak of the free exciton emission, also 810.3nm (1.5301eV) expresses $I_2$ peak of donor-bound exciton emission and 815.6nm (1.5201eV) emerges $I_1$ peak of acceptor-bound exciton emission. In addition, the peak observed at 862.0nm (1.4383eV) was analyzed to be PL peak due to donor-acceptor pair(DAP).
Kim, Hyeong-Gon;Kim, Byeong-Cheol;Sin, Seok-Du;Kim, Deok-Tae;Choe, Yeong-Il;Kim, Nam-O
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.48
no.1
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pp.12-17
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1999
$MgIn_2Se_4 and MgIn_2Se_4 : Ni^{2+}$ single crystals were grown in the rhombohedral structure by the chemical transport reaction (C.T.R.) method using iodine as a transport agent. The optical absorption measured near the fundamental band edge showed that the optical energy band structure of these compounds had a direct band gap. The fundamental absorption band edge of these single crystals shift to a shorter wavelength region by decreasing temperature and the temperature dependence of the optical energy gaps in these compounds satisfy Varshni equation. The impurity optical absorption peaks due to nickel are observed in $MgIn_2Se_4 and MgIn_2Se_4 : Ni^{2+}$ single crystal. These impurity optical absorption peaks can be attributed to the electronic transitions between the split energy levels of $Ni_{2+}$ ions located at $T_d$ symmetry site of $MgIn_2Se_4$ host lattice. In the hotoluminescence spectrum of the single crystal at 10 K, a blue emission with a peak at 687nm and a green emission with a peak at 815nm for the $MgIn_2Se_4$ single crystal were observed.
KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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v.11C
no.3
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pp.70-74
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2001
Admittance or impedance spectroscopy is one of the powerful tools to study dielectric relaxation and loss processes in organic and inorganic materials. In this study, the frequency dependent properties of an indium tin oxide/tris(8-hydroxyquinoline) aluminum($Alq_3$)/aluminum structure have been studied. The conductance of the $Alq_3$ film increases with the DC applied voltage up to 4V and decreases above 4V in the low frequency region. This indicates that the resistance of the device decreases with the applied bias due to the carrier injection enhancement, thereafter the injected carriers form the space charge and the additional injection of carriers is prevented. The Cole-Cole plot of the admittance takes a one-semicircle shape, which means that the device can be modeled as a parallel resistor-capacitor network. The resistance and capacitance were estimated as 8.62k${\Omega}$ and 2.7nF, respectively, at 3V in the low frequency region. The dielectric constant ( ${\epsilon}'$ ) of the $Alq_3$ film is independent of the frequency in the low frequency region below 100kHz, while the frequency dependency was observed at above 100kHz. The dielectric loss factor ( ${\epsilon}"$ ) of the $Alq_3$ film shows the dielectric dispersion below 100kHz and dielectric absorption in higher frequency domain. The dispersion is thought to be related to the hopping process of the carriers. The ${\epsilon}"$ is proportional to the reciprocal of the frequency. The dielectric relaxation time was extracted to about 0.318${\mu}s$ from the dielectric absorption spectrum.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.11a
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pp.234-238
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2004
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuInSe_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. To obtain the single crystal thin films, $CuInSe_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $620^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuInSe_2$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.62{\times}10^{l6}\;cm^{-3}$ and $296\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuInSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)\;=\;1.1851\;eV\;-\;(8.99{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+153K)$. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $CuInSe_2$ have been estimated to be 0.0087 eV and 0.2329 eV at 10K, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}_{so}$ definitely exists in the $\Gamma_6$ states of the valence band of the $CuInSe_2$. The three photocurrent peaks observed at 10K are ascribed to the $A_1-$, $B_1-$, and $C_1$-exciton peaks for n = 1.
The fibrous material fraction as a by-product from the commercial aloe vera gel processing was obtained and freeze dried. The physicochemical characteristics such as the proximate composition, crystalline/surface structures and several physical functionalities including the water holding capacity (WHC), swelling capacity (SW), oil holding capacity (OHC), emulsion/foam properties and viscosity properties of this powdered sample (100 mesh) were investigated and analyzed by comparison with commercial $\alpha$-cellulose as a reference sample. The total dietary fiber content of powdered sample was very high as much as 87.5%, and the insoluble dietary and soluble dietary fiber content ratios were 77.6 and 22.4%, respectively. The FT-IR spectrum of powdered sample showed a typical polysaccharide property and exhibited a x-ray diffraction pattern for cellulose III and IV like structure. SW (8.24${\pm}$0.15 mL/g), WHC(6.40${\pm}$0.19 g water/g solid) and OHC(10.32${\pm}$0.29 g oil/g solid) of freeze dried aloe cellulose were about 3.3, 1.4 and 2 times higher than those of commercial $\alpha$-cellulose, respectively. Aloe cellulose (~2%, w/v) alone had no foam capacity while improved the foam stability of protein solution (1% albumin+0.5% $CaCl_{2}$) by factor of 300%. Emulsion capacity of 2%(w/v) aloe cellulose was about 70% level of 0.5%(w/v) xanthan gum, but its emulsion stability was about 1.2 times higher than that of xanthan gum. Also, aloe cellulose containing CMC (carboxyl methyl cellulose) of 0.3%(w/v) showed a very good dispersity. Aloe cellulose dispersion of above 1%(w/v) exhibited higher pseudoplasticity and concentration dependence than those of $\alpha$-cellulose dispersion, indicating the viscosity properties for new potential usage such as an excellent thickening agent.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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