The MgO-{{{{ { {Al }_{2 }O }_{3 } }}-{{{{ { {SiO }_{2 } }_{ } }}system containing alumina powder was fabricated sintered at various temperature and analyzed in order to study the sintering mechanism and crystallization characteristics. The specimen composed of glass powder with average particle size of 8.27 $\mu\textrm{m}$ and 0-40 vol% alumina powder were sint-ered for 3 hrs at the temperature between 850$^{\circ}C$ and 1350$^{\circ}C$ The sintering mechanism consists of the redis-tribution of particles occuring at 750$^{\circ}C$ and the viscous flow at 850∼950$^{\circ}C$. The degree of crystallization and sintering temperatue were dependent upon the ratio of glass/alumina. The second phase from the reaction between glass and alumina was not observed which was confirmed by XRD and properties analysis. The density dielectric constant and specific resistivity of specimen were 2.30∼3.26g/cm2 5.8∼7.38 at 1 GHz density dielectric constant and specific resistivity of specimen were 2.30∼3.26g/cm3 5.8∼7.38 at 1GHz and 1.23∼4.70${\times}$107 $\Omega$$.$m respectively.
Jung, YoonSung;Choi, Jae Ho;Min, Kyung Won;Byun, Young Min;Im, Won Bin;Kim, Hyeong-Jun
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.21
no.4
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pp.50-52
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2022
Brownish rings (BRs) with white interiors are formed during the manufacture of silicon ingots in quartz glass crucibles. These BRs inhibit the yield of silicon ingots. However, the composition and mechanism of the formation of these BRs remain unclear thus far. Therefore, in this study, we analyzed the color and shape of these BRs. Raman analysis revealed that the brown and white colors appear owing to oxygen deficiency rather than crystallization from excess oxygen supply as previously assumed. Moreover, the dark shade of the brown areas depends on the degree of oxygen deficiency and the asymmetrical width of the brown areas is attributed to the direction of the molten silicon flow, which is influenced by the rotation and heat of the ingot crucible.
Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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2006.09a
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pp.242-243
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2006
NiTiZrSiSn bulk metallic glass powder was produced using inert gas atomization and then was sprayed onto a SS 41 mild steel substrate using the kinetic spraying process. Through this study, the effects of thermal energy of in-flight particle and crystallization degree by powder preheating temperature were evaluated. The deformation behavior of bulk metallic glass is very interesting and it is largely dependent on the temperature. The crystalline phase formation at impact interface was dependent on the in-flight particle temperature. In addition, variations in the impact behavior need to be considered at high strain rate and in-flight particle temperature.
$TiO_2$ and $xTiO_2-ySiO_2$ system photocatalysts were developed by sol-gel method based on the change of production parameters, and their structure of crystallization and the specific surface area was measured. Considering the efficiency of the ethanol decomposition using the catalyst, the conclusion was made as follows: 1) By means of X-ray analysis of $TiO_2$ powder that is obtained from water and Titanium alkoxide with various molar ratios, it is shown that structure of crystallization is a dominating structure and, on the other hand, the crystallization of rutile also partly exists. The specific surface area is at its maximum value at R=6, which is the molar ratio of water vs. alkoxide, whereas its value goes down as the molar ratio increases. In the reaction of using $TiO_2$ catalyst, the ethanol is decomposed into the extent of 15 ~30% in an hour and three hours are necessitated for 70% decomposition. 2) $TiO_2/SiO_2$ powder is developed from Titanium and Silicon alkoxide by a hetero-condensation process. The increase of SiO$_2$ contents causes the decrease of the degree of crystallization of the gel, whereas the specific surface area preferentially increases. In the decomposition reaction of the ethanol, the decomposition efficiency represents 25~60% in an hour. It is, however, examined that the efficiency inactively increases corresponding to the duration of reaction time. It is shown that more than 90% of ethanol is decomposed when reaction time is about three hours and the efficiency illustrates the maximum value for 60-$TiO_2/4O-SiO_2$ catalyst.
In order to purify 2-methylnaphthalene as main impurity included in naphthalene, SLE (solid-liquid equilibria) on two components system including naphthalene and 2-methylnaphthalene were measured and a layered melt crystallization has been studied. SLE in the present system is shown a simple eutectic mixture and the experimental results using DSC method is similar to the static method. Purity and yield of naphthalene in crystal depended mainly on the cooling rate: Increasing cooling rate, the purity of naphthalene in crystal increase, whereas the yield of that decrease. The effective distribution coefficient (Keff) as the degree of impurity removal was observed to decrease with decreasing of cooling rate. Therefore, the purity of naphthalene by melt crystallization can be enhanced to 5~7 %.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.12
no.5
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pp.229-233
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2002
Nano-sized ZnO particles were successfully synthesized at low temperatures by a polymerized complex method via an organochemical route. The polymeric precursors could be prepared using Zn nitrate hexahydrate and a mixed solution of citric acid and ethylene glycol as a chelating agent and a reaction medium. The polymeric precursors were calcined at temperatures from 300 to $700^{\circ}C$ for 3 h, and evaluated for degree of crystallization process, thermal decomposition, surface morphology and crystallite size. The thermal decomposition and crystallization process were analyzed by TG-DTA, FI-IR and XRD. The morphology and crystallite size of the calcined particles were evaluated by scanning electron microscopy (SEM), transmittance electron microscopy (TEM) and Scherrer's equation. Crystallization of the ZnO particles was detected at $300^{\circ}C$ and entirely completed above $400^{\circ}C$. Particles calcined between 400 and $700^{\circ}C$ showed a uniform size distribution with a round shape. The average particle sizes calcined at $400^{\circ}C$ for 3 hour were 30~40nm showing an ordinary tendency to increase with the temperatures.
In order to purify diethylene glycol as main impurity included in p-dioxanone, SLE (solid-liquid equilibria) and mixture density on two components system of p-dioxanone and diethylene glycol were measured and a layered melt crystallization with seed has been applied. The SLE of p-dioxanone and diethylene glycol were a simple eutectic system and the temperature and PDX concentration at eutectic point were 0.08 and 246 K, respectively. Densities of their binary mixtures were well fitted by the best correlation equation, ${\rho}_l=0.405+1.361x+0.002T-0.004xT$. In the melt crystallization, the growth rate (G) was proportional to the 1.5th power of the subcooling degree. The effective distribution coefficient ($K_{eff}$) as the degree of impurity removal was observed to increase with increasing the growth rate and initial p-dioxanone concentration. And also, $K_{eff}$ was correlated with Z function using Wintermantel's model such as $K_{eef}=-0.0604+6.392{\times}Z$. Finally, PDX purity through the optimization of this process can be obtained over 99%.
Laser-based crystallization techniques are ideally-suited for forming high-quality crystalline Si films on active-matrix display backplanes, because the highly-localized energy deposition allows for transformation of the as-deposited a-Si without damaging high-temperature-intolerant glass and plastic substrates. However, certain significant and non-trivial attributes must be satisfied for a particular method and implementation to be considered manufacturing-worthy. The crystallization process step must yield a Si microstructure that permits fabrication of thin-film transistors with sufficient uniformity and performance for the intended application and, the realization and implementation of the method must meet specific requirements of viability, robustness and economy in order to be accepted in mass production environments. In recent years, Low Temperature Polycrystalline Silicon (LTPS) has demonstrated its advantages through successful implementation in the application spaces that include highly-integrated active-matrix liquid-crystal displays (AMLCDs), cost competitive AMLCDs, and most recently, active-matrix organic light-emitting diode displays (AMOLEDs). In the mobile display market segment, LTPS continues to gain market share, as consumers demand mobile devices with higher display performance, longer battery life and reduced form factor. LTPS-based mobile displays have clearly demonstrated significant advantages in this regard. While the benefits of LTPS for mobile phones are well recognized, other mobile electronic applications such as portable multimedia players, tablet computers, ultra-mobile personal computers and notebook computers also stand to benefit from the performance and potential cost advantages offered by LTPS. Recently, significant efforts have been made to enable robust and cost-effective LTPS backplane manufacturing for AMOLED displays. The majority of the technical focus has been placed on ensuring the formation of extremely uniform poly-Si films. Although current commercially available AMOLED displays are aimed primarily at mobile applications, it is expected that continued development of the technology will soon lead to larger display sizes. Since LTPS backplanes are essentially required for AMOLED displays, LTPS manufacturing technology must be ready to scale the high degree of uniformity beyond the small and medium displays sizes. It is imperative for the manufacturers of LTPS crystallization equipment to ensure that the widespread adoption of the technology is not hindered by limitations of performance, uniformity or display size. In our presentation, we plan to present the state of the art in light sources and beam delivery systems used in high-volume manufacturing laser crystallization equipment. We will show that excimer-laser-based crystallization technologies are currently meeting the stringent requirements of AMOLED display fabrication, and are well positioned to meet the future demands for manufacturing these displays as well.
Park, Seong-Soo;Kim, Kyoung-Tae;Kim, Byoung-Chan;Park, Jin;Park, Hee-Chan
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.10
no.1
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pp.66-72
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2000
The behavior of nucleation and crystallization in the $Li_2O_3-SiO_2$ glass heat-treated at different condition under the conventional and microwave processing was studied by differential thermal analysis (DTA), X-ray diffractometry (XRD), optical microscopy (OM), and electrical conductivity measurement. Nucleation temperature and temperature of maximum nucleation rate in both conventionally and microwave heat-treated samples were 460~$500^{\circ}C$ and $580^{\circ}C$, respectively. It was expected that the probability for bulk crystallization increased in microwave heat-treated sample, compared to conventionally heat-treated one. Degree of crystallization increased with increasing crystallization temperature in both conventionally and microwave heat-treated samples. However, pattern of crystallization growth under microwave processing appeared to be quite different from that under the conventional one due to its internal or volumetric heating. Electrical conductivity of conventionally and microwave heat-treated samples were 1.337~2.299, 0.281~~$0.911{\times}10^{-7}\Omega {\textrm}{cm}^{-1}$, respectively.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.33
no.5
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pp.181-186
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2023
In this study, novel Eu2O3-BaF2-La2O3-B2O3 oxyfluoride glasses and glass ceramics were developed by a containerless processing. Differential thermal analysis (DTA) analysis was performed to analyze the thermophysical properties of oxyfluoride glasses doped with Eu2O3, and photoluminescence (PL) characteristics were analyzed to evaluate the luminous efficiency depending on the degree of crystallinity. The glass transition temperature decreased with increasing BaF2 concentration since BaF2 acts as a network modifier in this glass system. In addition, thermal stability which can be estimated by the difference between the glass transition temperature and the onset temperature of the crystallization decreased with increasing BaF2 contents. The peak related to the BaF2 crystal was confirmed after the crystallization by X-ray Diffraction (XRD) analysis. Photoluminescence intensity increased after the crystallization which indicates that the Eu3+ ions are sited in BaF2 crystal. La 3d5/2 x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and F1s XPS spectra were analyzed to precisely understand the behavior of the fluorine ion in the glass structure. Fluorine tends to bond with the network modifying cations such as La3+ and Ba2+ ions and after the crystallization the La-F bonds decreased because F- ions used to form BaF2 crystals.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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