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2관절 유연한 로봇 팔에 대한 비선형 제어 (Deterministic Nonlinear Control of Two-Link Flexible Arm)

  • 한종길;손영수
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제4권3호
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    • pp.236-242
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    • 2009
  • 2관절 유연한 로봇 팔는 관절 축을 회전할 때 진동이 발생한다. 본 논문에서는 유연한 로봇팔의 진동 동력학은 bernoulli-Euler의 beam이론과 라그란지 방정식을 이용하여 구하였고, $\dot{D}$-2C가 skew symmetric이다는 사실을 사용하여 계산량을 줄이는 단순한 구조의 새로운 제어기를 제안한다. Lyapunov 안정도 이론은 관절을 조절하기 위한 안정한 확정적인 비선형 제어기를 성취하기 위하여 적용된다.

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광산폐석의 유변학적 특성과 토석류 흐름특성 분석 (Rheological Characteristics and Debris Flow Simulation of Waste Materials)

  • 정승원
    • 대한토목학회논문집
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    • 제34권4호
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    • pp.1227-1240
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    • 2014
  • 휴 폐광산지역은 복합지질재해지역으로 집중호우에 의해 토사재해와 산성광산배수를 발생시킨다. 본 연구는 폐석적치장 전반에 걸쳐 토사재해가 관측된 임기광산에 대해 지반공학적 유변학적 시험을 수행하고 얻어진 시험결과를 토대로 1-D 토석류 수치해석을 수행함으로써 토석류의 확산성을 조사하였다. 모래와 자갈로 구성된 광산폐석 시료의 유변학적 특성을 조사하기 위해 베인관입형 레오미터(Vane-penetrated rheometer)를 사용하였으며, 전단응력 제어를 통한 전단응력(${\tau}$)-전단속도(${\dot{\gamma}}$)와 점도(${\eta}$)-전단속도(${\dot{\gamma}}$) 간의 상관관계를 얻었다. 또한 광산폐석 시료에 대해 잘 알려진 유변학적 모델들(Bingham, Herschel-Bulkley, Power-law, bilinear 및 Papanastasiou 모델)을 적용함으로써 수치해석에 필요한 유변학적 매개변수(항복응력과 소성점도)를 결정하였다. 실험결과에 따르면, 체적농도에 무관하게 전형적인 전단담화(shear thinning) 거동이 관측되었으며, 함수비가 증가할수록 Bingham 유체처럼 거동하는 것으로 나타났다. 또한 사용된 모든 유변학적 모델들은 파괴 후 거동에 적합한 모델들로 밝혀졌다. 토석류 흐름특성을 조사하기 위해 실험결과를 토대로 토석류 크기(5 m, 10 m 및 15 m)와 항복응력(100 Pa, 200 Pa, 300 Pa 및 500 Pa)을 선정하여 1-D BING을 통해 수치해석을 수행하였다. 그 결과, 토석류 이동거리와 이동속도는 항복응력의 크기에 반비례한 것으로 나타났으며, 토석류 항복응력이 500 Pa 이하인 경우 대부분의 토사는 계곡부까지 흘러갈 수 있는 것으로 나타났다. 따라서 집중호우 기간에 산악지역에 방치된 광산폐석은 토사재해에 취약하고 2차적으로 인근 수계로 유입되어 환경적 문제를 야기시킬 수 있는 것으로 나타났다.

RF 마그네트론 코스퍼터링을 이용한 Si3N4 매트릭스 내부의 실리콘 양자점 제조연구 (Fabrication of Silicon Quantum Dots in Si3N4 Matrix Using RF Magnetron Co-Sputtering)

  • 하린;김신호;이현주;박영빈;이정철;배종성;김양도
    • 한국재료학회지
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    • 제20권11호
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    • pp.606-610
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    • 2010
  • Films consisting of a silicon quantum dot superlattice were fabricated by alternating deposition of silicon rich silicon nitride and $Si_3N_4$ layers using an rf magnetron co-sputtering system. In order to use the silicon quantum dot super lattice structure for third generation multi junction solar cell applications, it is important to control the dot size. Moreover, silicon quantum dots have to be in a regularly spaced array in the dielectric matrix material for in order to allow for effective carrier transport. In this study, therefore, we fabricated silicon quantum dot superlattice films under various conditions and investigated crystallization behavior of the silicon quantum dot super lattice structure. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) spectra showed an increased intensity of the $840\;cm^{-1}$ peak with increasing annealing temperature due to the increase in the number of Si-N bonds. A more conspicuous characteristic of this process is the increased intensity of the $1100\;cm^{-1}$ peak. This peak was attributed to annealing induced reordering in the films that led to increased Si-$N_4$ bonding. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis showed that peak position was shifted to higher bonding energy as silicon 2p bonding energy changed. This transition is related to the formation of silicon quantum dots. Transmission electron microscopy (TEM) and electron spin resonance (ESR) analysis also confirmed the formation of silicon quantum dots. This study revealed that post annealing at $1100^{\circ}C$ for at least one hour is necessary to precipitate the silicon quantum dots in the $SiN_x$ matrix.

GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 (Lasing Characteristics of GaAs-Based 1300 nm Wavelength Region InAs Quantum Dot Laser Diode)

  • 김광웅;조남기;송진동;이정일;박정호;이유종;최원준
    • 한국진공학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.266-271
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    • 2009
  • Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/$cm^2$, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/$cm^2$, 발진 파장은 1320 nm이다.

형질전환된 꽃양배추에서 Proteinase Inhibitor II 유전자의 발현 (Expression of Proteinase Inhibitor II gene in Transgenic Flowering Cabbage, Brassica oleracea var. acephala DC.)

  • 김창길;정재동
    • 식물조직배양학회지
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    • 제25권2호
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    • pp.95-98
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    • 1998
  • PI-II cDNA가 도입된 식물발현 벡터인 pGA875를 가진 A.tumefaciens LBA4404를 이용하여 꽃양배추의 하배축 조직에 형질전환하여 식물체를 재분화 시켰다. Dot blot 분석으로 PI-II 유전자가 전사됨을 확인할 수 있었다. 또한 이들 개체를 담배거세미나방 유충을 이용하여 생물검정한 결과 대조구에 비해 형질전환체 잎의 섭식정도가 현저히 떨어지는 것을 알 수 있었다. 개화후 이들 개체의 종자를 받아 후대검정을 실시하였을 때 27,4%가 kanamycin내성을 가진 꽃양배추로 확인되었다.

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AgNWs/Ga-doped ZnO 복합전극 적용 CdSe양자점 기반 투명발광소자 (CdSe Quantum Dot based Transparent Light-emitting Device using Silver Nanowire/Ga-doped ZnO Composite Electrode)

  • 박재홍;김효준;강현우;김종수;정용석
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.6-10
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    • 2020
  • The silver nanowires (AgNWs) were synthesized by the conventional polyol process, which revealed 25 ㎛ and 30 nm of average length and diameter, respectively. The synthesized AgNWs were applied to the CdSe/CdZnS quantum dot (QD) based transparent light-emitting device (LED). The device using a randomly networked AgNWs electrode had some problems such as the high threshold voltage (for operating the device) due to the random pores from the networked AgNWs. As a method of improvement, a composite electrode was formed by overlaying the ZnO:Ga on the AgNWs network. The device used the composite electrode revealed a low threshold voltage (4.4 Vth) and high current density compared to the AgNWs only electrode device. The brightness and current density of the device using composite electrode were 55.57 cd/㎡ and 41.54 mA/㎠ at the operating voltage of 12.8 V, respectively, while the brightness and current density of the device using (single) AgNWs only were 1.71 cd/㎡ and 2.05 mA/㎠ at the same operating voltage. The transmittance of the device revealed 65 % in a range of visible light. Besides the reliability of the devices was confirmed that the device using the composite electrode revealed 2 times longer lifetime than that of the AgNWs only electrode device.

적색 양자점 필름을 이용한 백색 발광 다이오드의 연색성 개선에 대한 광학 시뮬레이션 연구 (Optical Simulation Study of the Improvement of Color-rendering Characteristics of White Light-emitting Diodes by Using Red Quantum-dot Films)

  • 이기정;홍승찬;이정균;고재현
    • 한국광학회지
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    • 제32권4호
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    • pp.163-171
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    • 2021
  • 조명에 사용되는 일반적인 백색 발광 다이오드는 청색 발광 다이오드 위에 황색 형광체를 입힌 구조가 보편적이나 발광 스펙트럼상 짙은 적색 성분이 부족해서 조명의 연색성이 떨어지는 문제가 있다. 본 연구에서는 백색 발광 다이오드의 연색 특성을 개선하기 위해 적색 양자점 조명을 백색 조명의 확산판에 적용한 후 광학 시뮬레이션을 이용해 광구조를 최적화하고자 하였다. 양자점의 평균 자유 행정 및 확산판 내 TiO2 입자의 농도를 조절해 연색지수, 휘도 등 광특성을 조사했다. 대부분의 조건에서 연색지수는 90을 넘었고 이는 적색 양자점 필름의 적용이 일반적인 백색 발광 다이오드의 연색 특성을 개선하는 데 효과적인 방법임을 보여준다. 색좌표의 각도 의존성은 확산판과 조명 하단의 반사판 사이에 형성되는 광학적 공동 구조를 활용함으로써 제거할 수 있었는데 이는 공동 내 위치한 양자점 필름을 통한 빛의 다중 투과가 시야각에 따른 광경로의 차이를 줄였기 때문으로 해석된다.

A highly sensitive molecular diagnosis method for detecting Toxoplasma gondii tachyzoite: a PCR/dot blot hybridization

  • Hong, Sun-Hwa;Lee, Yun-Seong;Kim, Young-Ho;Kim, Ok-Jin
    • 한국동물위생학회지
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    • 제37권1호
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    • pp.29-33
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    • 2014
  • This study aimed at finding a fast, sensitive, and efficient protocol for molecular identification of intracellular protozoa Toxoplasma (T.) gondii. For molecular detection of T. gondii, we developed a polymerase chain reaction coupled with dot blot hybridization assay (PCR/DBH). For DBH analysis, the amplified DNA of T. gondii tachyzoite was labeled by incorporation of digoxigenin. The DBH assay alone was capable of detecting down to $1{\times}10^4$ pg of T. gondii genomic DNA. The PCR alone was capable of detecting down to $1{\times}10^3$ pg of T. gondii genomic DNA, whereas the PCR/DBH assay was capable of detecting down to $1{\times}10^2$ pg of T. gondii genomic DNA, indicating that sensitivity of the PCR/DBH method was approximately 10 to 100 times higher than PCR or DBH alone. Our PCR/DBH assay will be useful for confirming the presence of T. gondii on the samples and differentiating T. gondii infection from other intracellular protozoa infections.

고출력 응용을 위한 $1.3\;{\mu}m$ InAs/GaAs 양자점 레이저 다이오드의 특성 연구 (Characteristics of $1.3\;{\mu}m$ InAs/GaAs Quantum Dot Laser Diode for High-Power Applications)

  • 김경찬;유영채;이정일;한일기;김태근
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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    • pp.477-478
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    • 2006
  • Characteristics of InAs/GaAs quantum dot (QD) ridge laser diodes (LDs) are investigated for high-power $1.3\;{\mu}m$ applications. For QD ridge LDs with a $5-{\mu}m$-wide stripe and a 1-mm-long cavity, the emission wavelength of 1284.1 nm, the single-uncoated-facet CW output power as high as 90 mW, the external efficiency of 0.31 W/A and the threshold current density of $800\;mA/cm^2$ are obtained. The linewidth enhancement factor ($\alpha$-factor) is successfully measured to be between 0.4 and 0.6, which are about four times as small values with respect to conventional quantum well structure. It is possible that this result significantly reduce the filamentation of far-field profiles resulting in better beam quality for high power operation.

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3차원 루프 구조를 이용한 QCA 래치 설계 (Design of QCA Latch Using Three Dimensional Loop Structure)

  • 유영원;전준철
    • 예술인문사회 융합 멀티미디어 논문지
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    • 제7권2호
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    • pp.227-236
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    • 2017
  • 양자점 셀룰라 오토마타(QCA: quantum-dot cellular automata)는 나노 규모의 크기와 낮은 전력 소비로 각광받고 있으며, CMOS 기술 규모의 한계를 극복할 수 있는 대체 기술로 떠오르고 있다. 다양한 QCA 회로들이 연구되고 있고, 그 중 카운터와 상태 제어에 필요한 래치는 순차 회로의 구성 요소로서 제안되어 왔다. 래치는 이전 상태를 유지하기 위한 피드백 구조의 형태를 가지고 있으며, 이를 QCA 상에서 구현하기 위해 4 클럭을 소모하는 사각형 형태의 루프 구조를 사용한다. 기존의 QCA 상에서 제안된 래치는 동일 평면상에서 제안되었으며, 피드백 구조를 구현하기 위해 많은 셀과 클럭이 소모되었다. 본 논문에서는 이러한 단점을 개선하기 위해서 다층 구조를 이용한 새로운 형태의 SR 래치와 D 래치를 제안한다. 제안한 3차원 루프 구조는 다층 구조 기반의 설계이며 총 3개의 층으로 구성한다. 각 층의 배선은 다른 층과 영향을 받지 않도록 인접한 배선 간 2 클럭 차이를 주어 설계한다. 설계된 래치 구조는 시뮬레이션을 수행하고 기존의 래치와 비교 및 분석한다.