• 콘크리트학회논문집
• /
• 제26권2호
• /
• pp.171-179
• /
• 2014

이 연구는 DH beam의 구조성능을 평가하는 것을 목적으로 하였다. DH beam을 사용하는 DH 공법은 얇은 철판을 성형하여 거푸집 및 구조적 역할을 할 수 있는 철판을 철근과 함께 공장에서 선조립하여 현장으로 반입하여 콘크리트를 타설하는 공법이다. 이 때 DH 판이 거푸집 역할 뿐 아니라 휨강도에 기여할 것으로 여겨져서 이 연구에서는 DH 판의 휨강도 기여도를 평가하고자 하였다. 총 5개의 실험체를 대상으로 실험 및 해석적 연구를 수행하였다. 실험체는 2개의 정모멘트 실험체, 2개의 부모멘트 실험체, 그리고 1개의 RC 실험체로 구성되었다. RC 실험체는 DH beam과 비교를 목적으로 제작하였다. DH beam에 대한 실험 결과는 휨강도를 산정하는 설계식 그리고 RC 실험체에 대한 실험 결과 등과 비교를 통하여 DH beam은 철판이 항복하면서 충분히 휨강도에 기여하고 있음을 알 수 있었다. 그리고 비선형 구조해석에서는 두 개의 실험체에 대하여 DH 판이 있는 경우와 없는 경우를 대상으로 휨강도, 콘크리트의 주인장변형률, 그리고 철근의 응력을 비교하였으며, 해석에서도 DH 판이 휨강도에 충분히 기여함을 알 수 있었다. 이상과 같은 실험 및 해석적 연구의 결과 DH beam의 철판은 콘크리트와 합성단면을 형성하여 충분한 휨강도를 갖는 것으로 보였다.

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
• /
• 제20권3호
• /
• pp.1-9
• /
• 2016

데크플레이트 철판을 성형하여 구성한 DH-Beam은 형틀 역할 뿐 아니라 합성거동에 기여할 것으로 판단되며, 본 연구에서는 DH 측판의 전단강도 기여도를 평가하고자 하였다. 총 5개의 실험체를 대상으로 실험 및 해석적 연구를 수행하였다. 실험체는 2개의 정가력 실험체, 2개의 부가력 실험체, 그리고 1개의 RC 실험체로 구성되었다. RC 실험체는 DH-Beam과 비교를 목적으로 제작하였다. DH-Beam에 대한 실험결과는 전단강도를 산정하는 설계식 그리고 RC 실험체에 대한 실험결과 등과 비교하였으며, 그 결과 DH-Beam의 측판은 전단강도에 기여하고 있다. 비선형 구조해석에서는 실험체를 대상으로 DH 판의 기여도를 평가하였다. 구조해석에서는 DH 측판 만 있는 경우 혹은 DH 판이 전혀 없는 경우 등 다양한 경우를 대상으로 하였다. 구조실험 및 해석적 연구의 결과 DH-Beam의 측판은 콘크리트와 합성단면을 형성하면서 전단강도에 기여하는 것으로 평가할 수 있다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제7권3호
• /
• pp.120-124
• /
• 1982

本論文에서는 스트라입 構造型 DH LD의 lateral waveguiding mechanism에 대한 理論的解析이 시도되었다. 解析過程에서 실제에 아주 근사한 활성충의 利得 및 屈折率變化에 대한 數學的모델을 이용하여 섭동이론에 의한 DH LD의 2차원적 waveguiding을 해석하고 미소굴절률변화(n), 활성층두께(d), cavity length(L)에 대한 빔폭 의존성을 해석하였다.

• 열처리공학회지
• /
• 제23권1호
• /
• pp.29-33
• /
• 2010

Titanium nitride (TiN) films were deposited on the polycarbonate substrate by using radio frequency (RF) magnetron sputtering without intentional substrate heating. After deposition, the films were bombarded with intense electron beam for 20 minutes. The intense electron irradiation impacts on the crystalline, hardness and surface roughness of the TiN films. The films irradiated with an electron beam of 300 eV show the small grains on the surface, while as deposited TiN films did not showany grains on the surface. Also the surface harness evaluated with micro indenter was increased up to 18 Gpa at electron energy of 900 eV after electron beam irradiation. In addition, surface root mean square (RMS) roughness of the films irradiated with intense electron beam affected strongly. The films irradiated by electron beam with 900 eV have the lowest roughness of 1.2 nm in this study.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제17권5호
• /
• pp.1-7
• /
• 1980

본 논문에서는 스트라입구조형 DH Laser Diode에서의 lateral guiding에 대한 이론적 해석이 시도되었다. 해석과정에서 활성층내의 반송자밀도를 스트라입폭함수로 모멜링하고 섭동이론(Perturbation Theory)을 사용하여 새로이 전개된 모드이론으로부터 빔폭변화를 계산하여 Hakki의 이론치 및 Kirkby의 실험치와 비교분석을 하였다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제27권1호
• /
• pp.33-41
• /
• 2003

The optical properties of $ZnS_ySe_{1-\chi-y}:Te_{\chi}(\chi<0.08,y~0.11)$ alloys grown by molecular beam epitaxy (MBE) have been investigated by photoluminescence (PL) and PL-excitation (PLE) spectroscopy. Good optical properties and high crystal quality were established with lattice match condition to GaAs substrate. At room temperature, emission in the visible spectrum region from blue to green was obtained by varying the Te content of the ZnSSe:Te alloy. The efficient blue and green emission were assigned to $Te_1 and Te_n(n\geq2)$cluster bound excitons, respectively. Bright green (535 nm) and blue (462 nm) light emitting diodes (LEDs) have been developed using ZnSSe:Te system as an active layer. The turn-on voltage of 2.1 V in current-voltage characteristics is very small compared to that of commercial InGaN-based LEDs (>3.4 V), indicating the formation of a good ohmic contact due to the optimized p-ZnSe/p-ZnTe multi-quantum well (MQW) superlattice electrode layers.

• 열처리공학회지
• /
• 제23권1호
• /
• pp.17-22
• /
• 2010

The enhancement of adhesion for Cr film on polycarbonate (PC) substrate with electron irradiation treatment was considered. The electron treatment changes the contact angle of the PC substrates. As increase the electron energy from 300 eV to 900 eV, the contact angle decreases from $90^{\circ}$ to $60^{\circ}C$. It is supposed that electron treatment changes the chemical property of PC substrate into hydrophilic one. The micro surface roughness was also affected by electron treatment. The PC substrates irradiated with intense electron beam of 900 eV show the rougher surface than those of other PC substrates. Cr thin films deposited on the PC substrate treated with electron irradiation at 900 eV show the higher adhesion than that of the Cr thin film deposited untreated bare PC substrates.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
• /
• 제29권7호
• /
• pp.795-800
• /
• 2005

The optical properties of $ZnS_{y}Se_{1-x-y}:Te_x\;(x\;<\;0.08,\;y\∼0.11$) alloys grown by molecular beam epitaxy (MBE) have been investigated by photoluminescence (PL) and PL-excitation (PLE) spectroscopy. Good optical properties and high crystal quality were established with lattice match condition to GaAs substrate. At room temperature, emission in the visible spectrum region from blue to green was obtained by varying the Te content of the ZnSSe:Te alloy. The efficient blue and green emission were assigned to $Te_{1}$Tel and $Te_{n}$ (n$\geq$2) cluster bound excitons, respectively. Bright blue (462 nm) and green (535 nm) light emitting diodes (LEDs) have been developed using ZnSSe:Te system as an active layer.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제20권1호
• /
• pp.15-21
• /
• 1983

본 논문에서는 스트라입 구조형 이중 헤테로 접합 레이저 다이오드의 횡방향 도파 기구에 대한 이론적 해석이 시도되었다. 해석 과정에서 이득 및 굴절율의 공간적 변화를 주입전류의 수학적 모델로 결정하고 섭동된 파동방정식에 의한 횡방향 도파 해석을 통해 빔폭의 활성층 두께 스트라입 폭 및 캐비티 길이 의존성을 분석하였다.

• Journal of Ceramic Processing Research
• /
• 제13권spc1호
• /
• pp.128-131
• /
• 2012

The selective area growth light emitting diode on GaN substrate was grown using mixed-source HVPE method with multi-sliding boat system. The GaN substrate was grown using mixed-source HVPE system. Te-doped AlGaN/AlGaN/Mg-doped AlGaN/Mg-doped GaN multi-layers were grown on the GaN substrate. The appearance of epi-layers and the thickness of the DH was evaluated by SEM measurement. The DH metallization was performed by e-beam evaporator. n-type metal and p-type metal were evaporated Ti/Al and Ni/Au, respectively. At the I-V measurement, the turn-on voltage is 3 V and the differential resistance is 13 Ω. It was found that the SAG-LED grown on GaN substrate using mixed-source HVPE method with multi-sliding boat system could be applied for developing high quality LEDs.