A diode laser sensor system based on absorption spectroscopy techniques has been developed to measure $CO_2$ concentration and temperature non-intrusively in high temperature combustion environments using a 2.0 ${\mu}m$ DFB(Distributed Feedback) laser. Two optics was fabricated in pig-tail fashion and all optical components were implemented in a single box. The evolution of measurement sensitivity was done using test cell by changing sweep frequency and $CO_2$ concentration. Gas temperature was determined from the ratio of integrated line strengths. Species concentration was determined from the integrated line intensity and the measured temperature. The result show that the system has 2% error in wide operation frequency range and accuracy of $CO_2$ concentration was about 3%. The system was applied to measure temperature and concentration in the combustion region of a premixed $CH_4$ +air triangular flame. The measurement results of gas temperature agreed well with thermocouple results. Many considerations were taken into account to reduce optical noise, etalon effect, beam steering and base line matching problem. The evaluations results and actual combustion measurement demonstrate the practical and applicability for in-situ and real time combustion monitoring in a practical system.
The effects of external continuous wave optical injection on spectral comb of a 10 GHz harmonically mode-locked semiconductor fiber ring laser have been studied. Greater than 40 dB spectral deeps in the spectral comb and greater than 30 dB reduction of supermode beating noise are achieved by injecting coherent light with ~ 100 KHz spectral width. To examine the possibility of using a low-cost seed source, we replace the seed source by a DFB laser with ~ 10 MHz spectral width. It shows similar spectral deeps, however supermode beating noise enhancement, rather than reduction, is observed.
We investigate the effect in terms of yield of the reflectivity of both facets and of the phase of a phase tuning section on the self-pulsation (SP) characteristics of multisection complex-coupled (CC) DFB lasers with self-pulsation frequency of the THz region. When the grating phases on both facets of a multisection CC DFB laser are fixed as 0, the variation of SP frequency increases as the reflectivity of both facets increases, while that of SP frequency decreases as the coupling ratio (CR) and the coupling strength increase. For the coupling strength of 3, the range of the phase of a phase tuning section with yields greater than 80% decreases as the CR and the reflectivity of both facets increases. For the coupling strength of 4, the range of the phase of a phase tuning section with yields greater than 80% increases as the CR and the reflectivity of both facets increases.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.33A
no.7
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pp.245-252
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1996
$\lambda$/4 phase-shifted DFB lasers with nonideal grating structure have been studied by using an effective-index transfer matrix method where material dispersion, vwaveguide dispersion and waveguide-structuredependent loss are taken into consideration. Nonideal grating structure in the center phase-shift region does not incur serous degradation of laser characteristics. Phase-shift error from the ideal shift of $\pi$ causes a decrease in the threshold gain difference and lasing wavelength shift and should be less than $\pi$/4 when residual facet reflectivity is 0.7%. also, positional error of the phase-shift should be less than 9% of the cavity length in order for the threshold gain difference to be decreased less than 10%.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.1
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pp.200-205
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1995
The 1st and 2nd-order grating structure for long wavelength DFB(Distributed FeedBack) laser diodes are successfully fabricated on InP substrates by using electron beam lithography and reactive ion etch techniques, and also characterized non-destructively by diffraction analysis without removal of photo-resis layer. A new composite layer made by lifted-off Cr layer on thin SiO2 film is developed and used as an etch mask, because PMMA, the e-beamresist, is unsuitable for reactive ion etch of InP. In addition, it is experimentally confiremed that diffraction analysis makes it possible to predict the grating parameters, and the analysis can be used as a non-destructive on-line test to prevent incomplete gratings from being successively processed.
The effect of the reflectivity of both facets and the phase of a phase tuning section on the self-pulsation (SP) characteristics of multisection complex-coupled (CC) DFB lasers is investigated in terms of yield. The lasers are composed of two CC DFB sections and a phase tuning section between them. As the coupling strength and the coupling ratio (CR) decrease, the effect of the reflected fields from both facets and the other DFB section on the mode characteristics of one DFB section increases, so that the yield decreases. As the facet reflectivity increases, the maximum yield and the range of the phase of a phase tuning section with yield more than 60% decrease independent of the coupling strength and CR. The yield characteristics of CR=0.2 are better than those of CR=0.1 with the same coupling strength due to the larger complex coupling effect. The case with ${\mid}{\kappa}L{\mid}=3$ and CR=0.2 shows best yield characteristics among the cases considered in this work.
We report the first demonstration of 10 Gb/s wavelength conversion in a Mach-Zehnder interferometric wavelength converter monolithically integrated with a loss-coupled DFB probe source. The integrated device is fabricated using a BRS (buried ridge stripe) structure with an undoped InP clad layer on the top of a passive waveguide to reduce high propagation loss. The device exhibited a static extinction ratio of 11 dB. Good performance at 10 Gb/s is obtained with an extinction ratio of 7 dB and a power penalty of 2.8 dB at a 10$^{-9}$ bit error rate.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.38
no.9
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pp.616-623
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2001
Effects of the grating period fluctuation on the wavelength distribution have been studied by an effective index transfer matrix method in quarter wavelength shifted (QWS) DFB lasers. The wavelength distribution is expressed by a probability density that is an analytical function of the correlation coefficient and normalized standard deviation of the grating period fluctuation. The probability density function of wavelength distribution is shown to be nearly Gaussian, and its standard deviation increases with normalized standard deviation of the grating period fluctuation, and decreases with the negative correlation between adjacent half-periods.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.40
no.4
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pp.27-33
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2003
Circular Distributed-feedback (DFB) guiding structures can be incorporated in most of the semiconductor laser devices because of the frequency-selective property applicable as an optical filter in optical communications. In this paper, we present a novel and simple modal transmission-line theory (MTLT) using Floquet-Babinet's principle to analyze the optical filtering characteristics of Bragg gratings with cylindrical profile. The numerical results reveal that this method offers a simple and convenient algorithm to analyze the filtering characteristics of circular DFB configurations as well as is extended conveniently to evaluate the guiding problems of circular multi-layered periodic structures.
Kim, Jeong-Ho;Pi, Joong-Ho;Kim, Deok-Hyun;Park, Chil-Sung;Ryu, Han-Gwon;Koo, Bon-Jo
Korean Journal of Optics and Photonics
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v.18
no.5
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pp.333-336
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2007
A Strained Layer Multiquantum-Well (SL-MQW) distributed feedback laser at a wavelength of 1.31 um operating from $-40^{\circ}C$ to $85^{\circ}C$ without any cooling is grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). Lasers with high slope efficiency are achieved through careful optimization of a SL-MQW active layer, especiallyoptimizing the amount of strain, the well thickness, the barrier thickness, the number of wells, and the active layer width. In this paper, we obtain the slope efficiencies of 0.38[mW/mA] and 0.26 [mW/mA] at $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$, respectively. Threshold currents are 7.1[mA] and 19.8[mA] at $25^{\circ}C$ and $85^{\circ}C$, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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