• 제목/요약/키워드: DEZ

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유기금속화학기상증착법에 의한 ZnO:Al 필름 합성에서 플라즈마 인가 효과 (Effect of Plasma Enhancement on the Al-doped ZnO Thin Film Synthesis by MOCVD)

  • 서문규
    • 한국태양에너지학회 논문집
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    • 제39권1호
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    • pp.33-40
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    • 2019
  • Al-doped ZnO (AZO) thin films were synthesized on Si(100) wafers via plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition (PE-MOCVD) method using diethyl zinc (DEZ) and N-methylpyrrolidine alane (MPA) as precursors. Effects of Al/Zn mixing ratio, plasma power on the surface morphology, crystal structure, and electrical property were investigated with SEM, XRD and 4-point probe measurement respectively. Growth rate of the film decreased slightly with increasing the Al/Zn mixing ratio, however electrical property was enhanced and resistivity of the film decreased greatly about 2 orders from $9.5{\times}10^{-1}$ to $8.0{\times}10^{-3}{\Omega}cm$ when the Al/Zn mixing ratio varied from 0 to 9 mol%. XRD analysis showed that the grain size increased with increasing the Al/Zn mixing ratio. Growth rate and electrical property were enhanced in a mild plasma condition. Resistivity of AZO film decreased down to $7.0{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ at an indirect plasma of 100 W condition which was enough value to use for the transparent conducting oxide (TCO) material.

Modified Shrinking Core Model for Atomic Layer Deposition of TiO2 on Porous Alumina with Ultrahigh Aspect Ratio

  • Park, Inhye;Leem, Jina;Lee, Hoo-Yong;Min, Yo-Sep
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제34권2호
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    • pp.519-523
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    • 2013
  • When atomic layer deposition (ALD) is performed on a porous material by using an organometallic precursor, minimum exposure time of the precursor for complete coverage becomes much longer since the ALD is limited by Knudsen diffusion in the pores. In the previous report by Min et al. (Ref. 23), shrinking core model (SCM) was proposed to predict the minimum exposure time of diethylzinc for ZnO ALD on a porous cylindrical alumina monolith. According to the SCM, the minimum exposure time of the precursor is influenced by volumetric density of adsorption sites, effective diffusion coefficient, precursor concentration in gas phase and size of the porous monolith. Here we modify the SCM in order to consider undesirable adsorption of byproduct molecules. $TiO_2$ ALD was performed on the cylindrical alumina monolith by using titanium tetrachloride ($TiCl_4$) and water. We observed that the byproduct (i.e., HCl) of $TiO_2$ ALD can chemically adsorb on adsorption sites, unlike the behavior of the byproduct (i.e., ethane) of ZnO ALD. Consequently, the minimum exposure time of $TiCl_4$ (~16 min) was significantly much shorter than that (~71 min) of DEZ. The predicted minimum exposure time by the modified SCM well agrees with the observed time. In addition, the modified SCM gives an effective diffusion coefficient of $TiCl_4$ of ${\sim}1.78{\times}10^{-2}\;cm^2/s$ in the porous alumina monolith.

Atomic Layer Deposition으로 증착된 Al-doped ZnO Film의 전기적, 구조적 및 광학적 특성 분석 (Electrical, Structural and Optical Characteristic Analysis of Al-doped ZnO Film Deposited by Atomic Layer Deposition)

  • 임정수;정광석;신홍식;윤호진;양승동;김유미;이희덕;이가원
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제24권6호
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    • pp.491-496
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    • 2011
  • Al-doped ZnO film on glass substrate is deposited by ALD in low temperature, using 4-step process (DEZ-$H_2O$-TMA-$H_2O$). To find out the optimal film condition for TCO material, we fabricate Al-doped ZnO films by increasing Al doping concentration at $100^{\circ}C$, so that the Al-doped film of 5 at% shows the lowest resistivity ($1.057{\times}10^{-2}{\Omega}{\cdot}cm$) and the largest grain size (38.047 nm). Afterwards, the electrical and physical characteristics in Al-doped films of 5 at% are also compared in accordance with increasing deposition temperature. All the films show the optical transmittance over 80% and the film deposited at $250^{\circ}C$ demonstrates the superior resistivity ($1.237{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$).

청각장애인의 수어 교육을 위한 MediaPipe 활용 수어 학습 보조 시스템 개발 (Development of a Sign Language Learning Assistance System using Mediapipe for Sign Language Education of Deaf-Mutility)

  • 김진영;심현
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.1355-1362
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    • 2021
  • 최근 선천적 청각장애 뿐만 아니라 후천적 요인으로 인해 청각장애를 가지게 되는 사람들도 증가하고 있지만, 수어를 익힐 수 있는 환경은 열악한 상황이다. 이에 본 연구에서는 수어를 배우는 수어 학습자를 위한 수어학습 보조도구로써 수어(지숫자/지문자) 평가 시스템을 제시하고자 한다. 이에 본 논문에서는 OpenCV 라이브러와 MediaPipe를 이용하여 손과 손가락을 추적하여 수어 동작을 인식하고 CNN기법을 이용하여 수어의 의미를 텍스트 형태의 데이터로 변환하여 학습자에게 제공하는 시스템을 연구한다. 이를 통해 수어를 배우는 학습자가 스스로 올바른 수형인지를 판단할 수 있도록 자기주도학습을 가능하게 하여 수어를 익히는데 도움이 되는 수어학습보조 시스템을 개발하고, 청각장애인들의 의사소통의 주언어인 수어학습을 지원하기 위한 방안으로 수어학습보조 시스템을 제안하는 데 목적이 있다.

저온 선택적 원자층 증착공정을 이용한 유기태양전지용 AZO 투명전극 제조에 관한 실험적 연구 (Experimental Study on Fabrication of AZO Transparent Electrode for Organic Solar Cell Using Selective Low-Temperature Atomic Layer Deposition)

  • 김기철;송근수;김형태;유경훈;강정진;황준영;이상호;강경태;강희석;조영준
    • 대한기계학회논문집B
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    • 제37권6호
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    • pp.577-582
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    • 2013
  • AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide)는 기존의 LCD, OLED, 광센서, 유기태양전지 등의 투명전극에 널리 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide)를 대체하기 위한 물질로 주목받고 있다. 본 연구에서는 유기태양전지의 투명 전극으로 많이 사용되는 ITO 를 대체하기 위해 원자층 증착(ALD) 공정의 저온 선택적 증착 특성을 이용하여 유연성 폴리머인 PEN 기판상에 AZO 투명전극을 직접 패턴방식으로 제조하고, 그 투명전극의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 평가하였다. 전기적, 광학적 특성 결과들로부터 원자층 증작공정의 저온 선택적 증착 특성을 통해 형성된 AZO 투명전극의 유기태양전지로의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.