• 제목/요약/키워드: DC Magnetron Sputtering

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Control of Deposition Parameters in ITO Films: Figure of Merit

  • Kim, H.H.;Park, C.H.;M.J. Cho;K.J. Lim;J.H. Shin;Park, K.J.
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.398-401
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    • 2001
  • Indium tin oxide films were deposited on unheated PET substrates by DC reactive magnetron sputtering of In-Sn (90-10 wt%) metallic alloy target. Electrical and optical properties of as-deposited films were systematically studied by control of the deposition parameters such as working pressure, DC power, and oxygen partial pressure. The figures of merit are important factors that summarize briefly the relationship between electrical and optical properties of transparent conducting films. The formulae of T/R$\sub$sh/ and T$\^$10//R$\sub$sh/ are expressed as a function of transmittance and sheet resistance. The best values of those figures of merit were approximately 38.6 and 8.95 (x10$\^$-3/Ω$\^$-1/), respectively.

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유도결합 플라즈마 마그네트론 스퍼터링에 의한 MgO 박막의 특성 연구 (A Study of MgO Thin Film′s Properties Fabricated by ICP Magnetron Sputtering Method)

  • 김선호;주정훈
    • 한국표면공학회지
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    • 제37권3호
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    • pp.169-174
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    • 2004
  • MgO thin films were reactively deposited using an internal inductively coupled plasma assisted sputtering method varying reactive gas ratio to get stoichiometric film composition, and bipolar dc substrate bias to suppress micro arcs. The minimum frequency required for arc suppression was about 10KHz depending on ICP power. Their crystallinity was analyzed using X-ray diffraction and surface morphology using AFM. The surface was very smooth with rms roughness less than 0.42nm. The preferred orientation of the films were changing from (200) to bulk-like characteristics as Ar: $O_2$ratio was controlled to 10 : 2. Optical emission spectroscopy revealed that there were two distinct discharge modes: a blue one and a green one, where enhanced emission from Ar and Mg were observed. This cannot simply be understood by metallic or oxide mode of reactive sputtering due to ICP coupled to magnetron discharge.

비정질 탄소막 (a-C:H) 내에 존재하는 수소에 관한 연구

  • 박노길;박형국;손영호;정재인
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.133-133
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    • 1999
  • 비정질 탄소막 제조에 있어서 수소가 포함된 반응성 가스를 사용할 경우 제작된 탄소막 내부에는 수소가 포함되게 되며, 이러한 수소원자들은 막의 특성에 중요한 영향을 주는 것으로 알려져 있다. 따라서, 본 연구에서는 비정질 탄소막(a-C:H) 내부에 존재하는 수소가 탄소막의 특성에 미치는 영향을 알아보고, 막 내부에 포함된 수소의 함량과 공정조건 사이의 함수계를 조사함으로써 수소의 함량을 인위적으로 통제할 수 있는 가능성을 제시하고자 한다. 수소가 포함된 비정질 탄소막은 2.45 GHz의 전자기파를 사용하는 electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition (ECR-PECVD) 방법과 DC magnetron sputtering 법을 사용하여 제작하였다. 기판으로는 Si(001) wafer를 사용하였으며, 아세톤과 에탄올을 사용하여 표면의 유기성분을 제거하고, 진공챔버속에서 Ar 플라즈마를 발생시켜 sputter etching 방법으로 표면을 세척하였다. ECR-PECVD 방법에서는 반응가스로 메탄(CH4)과 수소(H2)의 혼합가스를 사용하였으며, 혼합가스의 비는 5~50% 범위내에서 변화를 주었다. 수소가스의 유량은 100SCCM으로 고정하였으며, 마이크로웨이브의 power는 360~900W였고, 기판에 가해준 negative DC bias 전압은 0~-500V이었다. DC magnetron sputtering 방법에서는 반응가스로 아세틸린(C2H2) 가스를 사용하였으며, 플라즈마 발생을 용이하게 하기 위해서 Ar 가스와 혼합하여 사용하였다. Ar 가스의 유량은 10SCCM으로 고정하였으며, 아세틸렌 가스의 유량은 5~20SCCM 범위내에서 주입하였다. 이때, 기판에 가해준 negative DC bias 전압은 0~-100V이었다. 제작된 탄소막의 수소 함량을 조사하기 위하여 Fourier Transform Infrared (FTIR) 분광법과 Elastic Recoil Detection Analysis (EFDA) 법을 사용하였으며, 증착율은 SEM 단면촬영과 a-step을 이용하여 측정하였고, 막의 경도는 Micro-Hardness Testing 법을 사용하여 측정하였다.

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DC 스퍼터법과 유도결합 플라즈마 마그네트론 스퍼터법으로 증착된 CrN 코팅막의 물성 비교연구 (A Comparative Study of CrN Coatings Deposited by DC and Inductively Coupled Plasma Magnetron Sputtering)

  • 서대한;전성용
    • 한국표면공학회지
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    • 제45권3호
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    • pp.123-129
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    • 2012
  • Nanocrystalline CrN coatings were fabricated by DC and ICP (inductively coupled plasma) assisted magnetron sputtering techniques. The effect of ICP power, ranging from 0 to 500 W, on coating microstructure, preferred orientation mechanical properties were systematically investigated with HR-XRD, SEM, AFM and nanoindentation. The results show that ICP power has an significant influence on coating microstructure and mechanical properties of CrN coatings. With the increasing of ICP power, coating microstructure evolves from the columnar structure of DC process to a highly dense one. Grain size of CrN coatings were decreased from 11.7 nm to 6.6 nm with increase of ICP power. The maximum nanohardness of 23.0 GPa was obtained for the coatings deposited at ICP power of 500 W. Preferred orientation in CrN coatings also vary with ICP power, exerting an effective influence on film nanohardness.