• Title/Summary/Keyword: DC바이어스

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An Efficient Bias Circuit of Discrete BJT Component for Hearing Aid (보청기를 위한 개별 BJT 소자의 효과적인 바이어스 회로)

  • 성광수;장형식;현유진
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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    • v.40 no.6
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    • pp.16-23
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    • 2003
  • In this paper, we propose an efficient bias circuit of discrete BJT component for hearing aid. The collector feedback bias circuit, widely used for the hearing aid, has a resistor for negative feedback. As the resistor affects AC and DC simultaneously, it is quite difficult to adjust amplifier gain without changing DC bias point. The previous bias circuit also has weak point to be oscillated by the positive feedback of power noise if gain of hearing aid is high. In the proposed circuit, we can reduce the two weak points of the previous circuit by adding a resistor to the collector feedback bias circuit between base and power supply which is $\beta$ times target than the collector resistor. Thus. we can change amplifier gain without changing DC bias point, and reduce power noise gain about 18.5% compare to that of tile previous circuit in the simulation.

Biased Zero-Error Probability for Adaptive Systems under Non-Gaussian Noise (비-가우시안 잡음하의 적응 시스템을 위한 바이어스된 영-오차확률)

  • Kim, Namyong
    • Journal of Internet Computing and Services
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    • v.14 no.1
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    • pp.9-14
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    • 2013
  • The criterion of zero-error probability provides a limitation on error probability functions being used for adaptive systems when the error samples are shifted by the influence of DC-bias noise. In this paper, we employ a bias term in the error distribution and propose a new criterion of the biased zero-error probability with error being zero. Also, by maximizing the proposed criterion on expanded filter structures, a supervised adaptive algorithm has been derived. From the simulation results of supervised equalization, the algorithm based on the proposed criterion yielded zero-centered and highly concentrated error samples without disturbance in the environments of strong impulsive and DC-bias noise.

DC Bias Current Influence to the Sensitivity of Orthogonal Fluxgate Sensor Fabricated with NiZn Ferrite Core (NiZn 페라이트코어를 이용하여 제작한 직교형 플럭스게이트 센서의 출력에 미치는 바이어스전류의 영향)

  • Shin, Kwang-Ho
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.23 no.3
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    • pp.94-97
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    • 2013
  • Orthogonal fluxgate sensor was fabricated with cylinder-shaped NiZn ferrite core, Cu wire through the core and pickup coil wound on the core, and the bias current effect on the output sensitivity of it was investigated. The output ($$\sim_\sim$$ sensitivity) of the sensor was largely dependent on the operation frequency, and the tendency of sensor output was similar to that of the impedance of pickup coil. The maximum output was obtained by adding the DC bias current of which value was over 50% of the excitation current. The output was saturated when the DC bias current was larger than 50% of the excitation current.

실리콘 기판 위 티타늄/나노결정다이아몬드 복합박막 성장 연구

  • Kim, In-Seop;Na, Bong-Gwon;Gang, Chan-Hyeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.510-510
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    • 2011
  • Si (100) 2 인치 웨이퍼 위에 RF Magnetron Sputtering 방법으로 Ti 박막을 형성하고, 그 위에 MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 나노결정다이아몬드 박막을 증착하였다. 지름 3인치, 두께 1/4인치의 Ti 타겟을 사용하고, Ar 가스 유량 11 sccm, 공정 압력 $4.5{\times}10^{-3}$ Torr, RF 전력 100 W, 기판온도 $70^{\circ}C$ 조건에서 2 시간 동안 Ti 박막을 증착하여 약 $0.8{\mu}m$의 박막을 얻었다. 그 위에 공정 압력 110 Torr, 마이크로웨이브 전력 1.2 kW, Ar/$CH_4$ 가스 조성비 200/2 sccm, 기판 온도 $600^{\circ}C$의 조건에서 기판에 -150 V의 DC 바이어스 전압 인가 여부를 변수로 하고, 증착 시간을 변화시켜 나노결정다이아몬드 박막을 제작하였다. FE-SEM과 AFM을 이용하여 다이아몬드 입자의 크기와 다이아몬드 박막의 두께, 표면 거칠기 등을 측정하였고, Raman spectroscopy와 XRD를 이용하여 다이아몬드 결정성을 확인하였다. 바이어스를 인가하지 않았을 경우 증착 시간이 증가할수록 다이아몬드 입자의 평균 크기가 증가하며 입자들이 차지하는 면적이 증가하는 것을 확인하였다. 그러나 2시간이 경과해도 아직 완전한 박막은 형성되지 못하고 약 4시간 이상 증착 시 완전한 박막을 이루는 것이 확인되었다. 이에 비해서 바이어스 전압을 인가할 경우 1시간 내에 완전한 박막을 이루는 것을 확인하였다. 표면 거칠기는 바이어스를 인가한 경우가 그렇지 않은 경우에 비해서 조금 높은 것으로 나타났다. 이러한 바이어스 효과는 표면에서의 핵생성 밀도 증가와 재핵생성 속도 증가에 기인하는 것으로 해석된다.

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Hydrothermal Growth of ZnO Nanowires Assisted by DC Bias

  • Im, Yeong-Taek;Jeong, Nak-Cheon;Lee, Seon-U;Sin, Baek-Gyun
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.253.1-253.1
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    • 2013
  • RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착된 Al-doped ZnO 박막을 씨드층으로 하고, zinc nitrate hexahydrate, hexamethylenetetramine (HMTA), ammonium chloride (AC) 및 polyethyleneimine (PEI)를 반응용액으로 한 수열합성법으로 ZnO 나노와이어를 성장시켰다. ZnO 나노와이어의 성장 공정 중 반응 용액내에 DC 바이어스를 인가하고, DC 바이어스의 인가 유무 및 인가 DC 바이어스 전압의 크기 변화에 따라 성장시킨 ZnO 나노와이어의 특성을 비교분석하였다. 다양한 공정변수 변화에 따라 수열합성법으로 성장시킨 ZnO 나노와이어 시편들을 SEM 분석을 통해 특성분석을 수행하였다.

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Design of a Planar Wideband Microwave Bias-Tee Using Lumped Elements (집중 소자를 이용한 광대역 평판형 마이크로파 바이어스-티의 설계)

  • Jang, Ki-Yeon;Oh, Hyun-Seok;Jeong, Hae-Chang;Yeom, Kyung-Whan
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.24 no.4
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    • pp.384-393
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    • 2013
  • In this paper, a design of planar microwave bias-tee using lumped elements was presented. The bias-tee is composed of 2 blocks; DC block and RF choke. For this design of the bias-tee, a wideband capacitor was used for DC block. For a RF choke, a series connection of inductors which have different SRFs is used for a RF choke. In the RF choke, a series connection of resistor and capacitor was added in shunt to eliminate a loss from a series resonance. The designed bias-tee was implemented by using 1608 SMT chip components. The fabricated bias-tee was measured using Anritsu 3680K fixture which enables to remove an effect of a connector. The fabricated bias-tee presented -15 dB of return loss and -1.5 dB insertion loss at 10 MHz~18 GHz.

Analysis on the Propagated Uncertainty of Output Power of Class-F Power Amplifiers from DC Biasing and Its Optimization (F급 전력증폭기의 출력 전력 불확도에 대한 DC 영향 분석 및 최적 바이어스 조건 도출에 관한 연구)

  • Park, Youngcheol;Yoon, Hoijin
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.25 no.2
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    • pp.183-188
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    • 2014
  • In this paper, the propagation effect of power supply uncertainty on the output of class-F power amplifier has been estimated. Also, a 1.9 GHz, 10 watt class-F power amplifier was measured to verify the estimation and to find the optimal biasing point. By approximating the propagation theory of uncertainties, the propagation effect of bias uncertainty was mathmatically calculated. As a result, the DC biases have propagated uncertainties of 15~70 mW. However, at the optimized bias point, the uncertainty in the output power could be dropped less than 15 mW while the output power has dropped by 0.37 dB.

태양전지 패시베이션층을 위한 스퍼터링 되어진 DLC:Ti 박막의 물리적, 전기적 특성

  • Park, Yong-Seop;Lee, Su-Ho;Lee, Jae-Hyeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.446-446
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    • 2014
  • 흑연(graphite)과 티타늄(titanum; Ti) 타겟이 양쪽에 부착되어 있는 비대칭 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 Ti이 도핑되어진 다이아몬드상 탄소박막(Ti doped Diamond-like carbon, DLC:Ti)을 증착하였다. 흑연과 티타늄 타겟의 파워는 고정하고 기판에 음의 DC 바이어스를 인가하여 DC 바이어스 변화에 따른 DLC:Ti 박막을 증착하였다. 증착되어진 박막의 음의 DC 바이어스의 변화에 따라 변화되어지는 경도와 마찰계수, 표면의 거칠기, 접촉각 등의 물리적 특성들을 분석하였으며, XPS와 라만등의 분석법을 이용하여 박막의 구조적 특성을 분석하였으며, 패시베이션 층을 위한 전기적 특성등을 평가하여 이들 특성들간에 관계를 고찰하였다.

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비대칭 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 Ti가 도핑된 다이아몬드상 탄소박막의 트라이볼로지 특성

  • Park, Yong-Seop;Lee, Su-Ho;Lee, Jae-Hyeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.215.2-215.2
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    • 2013
  • 본 연구에서는 흑연(graphite)과 티타늄(titanum; Ti) 타겟이 양쪽에 부착되어 있는 비대칭 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 Ti이 도핑되어진 다이아몬드상 탄소박막(Ti doped Diamond-like carbon, DLC:Ti)을 증착하였다. 흑연과 티타늄 타겟의 파워는 고정하고 기판에 음의 DC 바이어스를 인가하여 DC 바이어스 변화에 따른 DLC:Ti 박막을 증착하였다. 증착되어진 박막의 음의 DC 바이어스의 변화에 따라 변화되어지는 경도와 마찰계수, 표면의 거칠기, 접촉각 등의 트라이볼로지 특성들을 분석하였으며, XPS와 라만등의 분석법을 이용하여 박막의 구조적 특성과 트라이볼로지 특성과의 관계를 고찰하였다.

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Effect of DC Bias on the Deposition of Nanocrystallin Diamond Film over Ti/WC-Co Substrate (Ti/WC-Co 기판위에 나노결정 다이아몬드 박막 증착 시 DC 바이어스 효과)

  • Kim, In-Seop;Na, Bong-Gwon;Gang, Chan-Hyeong
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.117-118
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    • 2011
  • 초경합금 위에 RF Magnetron Sputter를 이용하여 Ti 중간층을 증착 후 MPECVD(Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 시스템을 이용하여 나노결정 다이아몬드 박막을 증착 하였다. 공정압력, 마이크로웨이브 전력, Ar/$CH_4$ 조성비, 기판온도를 일정하게 놓고 직류 bias의 인가 여부를 변수로 하고 증착시간을 0.5, 1, 2시간으로 변화시켜 박막을 제작하였다. 제작된 시편은 FE-SEM과 AFM을 이용하여 다이아몬드 박막의 표면과 다이아몬드 박막의 표면 거칠기 등을 측정하였고, Raman spectroscopy와 XRD를 이용하여 다이아몬드 결정성을 확인하였다. Automatic Scratch �岵謙�ter를 이용하여 복합박막의 층별 접합력을 측정하였다. 바이어스를 인가하지 않고 다이아몬드 박막을 증착할 경우 증착 시간이 증가할수록 다이아몬드 입자의 평균 크기가 증가하며 입자들이 차지하는 면적이 증가하는 것을 확인하였다. 그러나 1시간이 경과해도 아직 완전한 박막은 형성되지 못하고 2시간 이상 증착 시 완전한 박막을 이루는 것이 확인되었다. 이에 비해서 바이어스 전압을 인가할 경우 1시간 내에 완전한 박막을 이루었다. 표면 거칠기는 바이어스를 인가한 경우가 그렇지 않은 경우에 비해서 조금 높은 것으로 나타났다. 이러한 바이어스 효과는 표면에서의 핵생성 밀도 증가와 재핵생성 속도 증가에 기인하는 것으로 해석된다.

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