Decomposition of non-biodegradable contaminants such as phenol contained in water was investigated using a dielectric barrier discharge (DBD) plasma reactor in the aqueous solutions with continuous oxygen bubbling. Effects of various parameters on the removal of phenol in aqueous solution with high-voltage streamer discharge plasma are studied. In order to choose plasma gas, gas of three types (argon, air, oxygen) were investigated. After the selection of gas, effects of 1st voltage (80 ~ 220 V), oxygen flow rate (2 ~ 7 L/min), pH (3 ~ 11), and initial phenol concentration (12.5 ~ 100.0 mg/L) on phenol degradation and change of $UV_{254}$ absorbance were investigated. Absorbance of $UV_{254}$ can be used as an indirect indicator of phenol degradation and the generation and disappearance of the non-biodegradable organic compounds. Removal of phenol and COD were found to follow pseudo first-order kinetics. The removal rate constants for phenol and COD of phenol were $5.204{\times}10^{-1}min^{-1}$ and $3.26{\times}10^{-2}min^{-1}$, respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.11a
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pp.152-155
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2003
Ashing of photoresist was investigated in dielectric barrier discharges in atmospheric pressure by changing applied voltage, frequency, flow rate. we analyzed the plasma by Optical Emission Spectroscopy(OES) to monitor the variation of active oxygen species. Another new peaks of oxygen radical is observed by addition of argon gas. This may explain the increase in ashing rate with argon addition. With the results of Optical Emission Spectroscopy(OES), we can find the optimized ashing conditions. MIS capacitor for monitoring charging damage by the plasma was also studied. The results suggest the dielectric barrier discharges(DBD) can be an efficient, alternative Plasma source for general surface processing.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2011.10a
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pp.38.2-38.2
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2011
폴리머 박막은 그 고유한 특성으로 인해 여러 산업적으로 널리 사용되고 있는 재료이다 예로 의약품이나 식품 포장지의 배리어, 전자부품의 절연체, 반도체 공정에서의 사용, 혹은 부식방지를 위해 사용 되어지기도 한다. 이 폴리머 박막을 증착 하기 위한 방법으로 이전부터 CVD (Chemical Vapor Deposition) 방법이 많이 사용되었고 지금까지도 가장 많이 사용되는 방법이다. CVD를 사용하여 $SiO_2$-like 필름의 증착은 전구체(precursor)로 Silane ($SiH_4$)을 사용하였으며, 플라즈마 발생 소스(source)로 열 혹은 전기장 등을 사용 하며 공정 시 압력 또한 대부분 저압 하에서 실시 하였다. 이와 같은 이전 CVD 방법의 문제는 사용되는 Silane 자체가 인체에 해로울 정도로 독성이 있으며 폭발성도 같이 가지고 있어 작업환경의 위험성이 높으며 열을 사용한 CVD의 경우 높은 공정 온도로 인해 증착 할 수 있는 대상이 제한 되어 지며 높은 열의 발생을 위해 많은 에너지의 소비가 필요하다. 저압 플라즈마를 사용한 CVD 는 공정상 높은 열의 발생이 일어나지 않아 기판 운용상 문제가 되지 않지만 저압 환경에서 해당 공정이 이루어기 때문에 인해 필수적으로 고가의 진공 챔버가 필수적이며 저압을 유지할 고가의 진공 펌프나 추가 장비들이 필요하게 된다, 또한 챔버 내에서 이루어지는 공정으로 인해 공정의 연속성이 떨어져 시잔비용 또한 많이 잡아 먹는다. 이러한 열 혹은 저압 플라즈마등을 사용한 공정의 단점을 해결하기 위해 여러 연구자들이 다양한 방법을 통해 연구를 하였다. 대기압 유전체 배리어 방전(AP-DBD: Atmospheric Pressure-Dielectric Barrier Discharge)을 사용한 폴리머 박막의 증착은 이전 전통적인 방법에 비해 낮은 장비 가격과 낮은 공정 온도 그리고 연속적인 공정 등의 장점이 있는 폴리머 박막 증착 방법 이다. 대기압 유전체 배리어 방전 공정 변수로 공급 전압 및 주파수 그리고 공급 전압의 영향, 전구체를 유전체 배리어 방전 전극으로 이동 시키기 위해 사용된 캐리어 가스의 종류 및 유량, 화학양론적 계수를 맞추기 위해 같이 포함되는 산소 가스의 유량, DBD 전극의 형태에 따른 증착 박막의 균일성 등 이 존재하며 이런 많은 변수 들에 대한 연구가 진행 되었지만 아직 이 대기압 DBD를 이용한 폴리머 박막의 증착에 대한 명확한 이해는 아직 완전 하다 할 수 없다. 본 연구에서는 이러한 대기압 DBD를 이용하여 폴리머 박막의 증착시 영향을 미치는 많은 공정 변수 등이 박막생성에 미치는 영향과 증착된 박막의 성질에 대한 연구를 진행 하였다.
Many chemically active species such as ${\cdot}H$, ${\cdot}OH$, $O_3$, $H_2O_2$, hydrated $e^-$, as well as ultraviolet rays, are produced by Dielectric Barrier Discharge (DBD) plasma in water and are widely use to remove non-biodegradable materials and deactivate microorganisms. As the plasma gas containing chemically active species that is generated from the plasma reaction has a short lifetime and low solubility in water, increasing the dissolution rate of this gas is an important challenge. To this end, the plasma gas and water within reactor were mixed using the air-automizing nozzle, and then, water-gas mixture was injected into water. The dissolving effect of plasma gas was indirectly confirmed by measuring the RNO (N-Dimethyl-4-nitrosoaniline, indicator of the formation of OH radical) solution. The plasma system consisted of an oxygen generator, a high-voltage power supply, a plasma generator and a liquid-gas mixing reactor. Experiments were conducted to examine the effects of location of air-automizing nozzle, flow rate of plasma gas, water circulation rate, and high-voltage on RNO degradation. The experimental results showed that the RNO removal efficiency of the air-automizing nozzle is 29.8% higher than the conventional diffuser. The nozzle position from water surface was not considered to be a major factor in the design and operation of the plasma reactor. The plasma gas flow rate and water circulation rate with the highest RNO removal rate were 3.5 L/min and 1.5 L/min, respectively. The ratio of the plasma gas flow rate to the water circulation rate for obtaining an RNO removal rate of over 95% was 1.67 ~ 4.00.
Park, Jong-in;Hwang, Sang-hyuk;Jo, Tae Hoon;Yun, Myoung Soo;Kwak, Hyoung sin;Jin, Gi nam;Jeon, Buil;Choi, Eun Ha;Kwon, Gi-Chung
Korean Journal of Materials Research
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v.25
no.11
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pp.616-621
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2015
Atmospheric pressure plasma is used in the biological and medical fields. Miniaturization and safety are important in the application of apply atmospheric plasma to bio devices. In this study, we made a small, pocket-sized inverter for the discharge of atmospheric plasma. We used pulse power to control the neutral gas temperature at which the, when plasma was discharged. We used direct current of 5 V of bias(voltage). The output voltage is about 1 to 2 kilo volts the frequency is about 80 kilo hertz. We analyzsed the characteristics of the atmospheric plasma using OES(Optical emission spectroscopy) and the Current-Voltage characteristic of pulse power. By calculating of the current voltage characteristics, we were able to determine that, when the duty ratio increased, the power that actually effects the plasma discharge also increased. To apply atmospheric plasma to human organisms, the temperature is the most important factor, we were able to control the temperature by modulating the pulse power duty ratio. This means we can use atmospheric plasma on the human body or in other areas of the medical field.
Lee, Younmi;Lee, Young Yoon;Kim, Young Soo;Balaraju, Kotnala;Mok, Young Sun;Yoo, Suk Jae;Jeon, Yongho
Journal of Ginseng Research
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v.45
no.4
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pp.519-526
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2021
Background: This study aimed to investigate the effect of cold plasma treatment on the improvement of seed germination and surface sterilization of ginseng seeds. Methods: Dehisced ginseng (Panax ginseng) seeds were exposed to dielectric barrier discharge (DBD) plasma operated in argon (Ar) or an argon/oxygen mixture (Ar/O2), and the resulting germination and surface sterilization were compared with those of an untreated control group. Bacterial and fungal detection assays were performed for plasma-treated ginseng seeds after serial dilution of surface-washed suspensions. The microbial colonies (fungi and bacteria) were classified according to their phenotypical morphologies and identified by molecular analysis. Furthermore, the effect of cold plasma treatment on the in vitro antifungal activity and suppression of Cylindrocarpon destructans in 4-year-old ginseng root discs was investigated. Results: Seeds treated with plasma in Ar or Ar/O2 exhibited a higher germination rate (%) compared with the untreated controls. Furthermore, the plasma treatment exhibited bactericidal and fungicidal effects on the seed surface, and the latter effect was stronger than the former. In addition, plasma treatment exhibited in vitro antifungal activity against C. destructans and reduced the disease severity (%) of root rot in 4-year-old ginseng root discs. The results demonstrate the stimulatory effect of plasma treatment on seed germination, surface sterilization, and root rot disease suppression in ginseng. Conclusion: The results of this study indicate that the cold plasma treatment can suppress the microbial community on the seed surface root rot in ginseng.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.12
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pp.673-678
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2000
The dielectric barrier discharge(DBD) is a common method to create a nonthermal plasma in which electrical energy is used to create electrons with a high average kinetic energy. The unique aspect of dielectric barrier discharges is the large array of short lifetime(10ns) silent discharges created over the surface of the dielectric. A silent discharge is generated when the applied voltage exceeds the breakdown voltage of the carrier gas creating a conduction path between the applied electrode and grounded electrode. As charge accumulates on the dielectric, the electric field is reduced below the breakdown field of the carrier gas and the silent discharge self terminates preventing the DBD cell from producing a thermal arc. In fact, the most significant application of dielectric barrier discharges is to generate ozone for contaminated water treatment. Therefore, experiments were perfomed at 1∼2[bar] pressure using a coaxial geometry single dielectric barrier discharge for ozone concentrations and energy densities. The main result show that the concentration and efficiency of ozone are influenced by gas nature, gas quantity, gas pressure, supplied voltage and frequency.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.12
no.5
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pp.200-203
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2011
In this research, nitrogen (N)-doped zinc oxide (ZnO) thin films have been grown on a sapphire substrate by dielectric barrier discharge (DBD) in pulsed laser deposition (PLD). DBD has been used as an effective way for massive in-situ generation of N-plasma under conventional PLD process conditions. Low-temperature photoluminescence spectra of N-doped ZnO thin films provided near-band-edge emission after a thermal annealing process. The emission peak was resolved by Gaussian fitting and showed a dominant acceptor-bound excitation peak ($A^{\circ}X$) that indicated acceptor doping of ZnO with N. The acceptor binding energy of the N acceptor was estimated to be approximately 145 MeV based on the results of temperature-dependent photoluminescence (PL) measurements.
In this study, commercially available polyethylene terephthalate(PET), which is widely used as a substrate of flexible electronic devices, was modified by dielectric barrier discharge(DBD) method in an air condition at atmospheric pressure, and aluminium - doped zinc oxide (ZnO:Al) transparent conducting film was deposited on PET substrate by r. f. magnetron sputtering method. Surface analysis and characterization of the plasma-treated PET substrate was carried out using contact angle measurements, X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS) and Atomic Force Microscopy (AFM). Especially the effect of surface state of PET substrate on some important properties of ZnO:Al transparent conducting film such as electrical and morphological properties and deposition rate of the film, was studied experimentally. The results showed that the contact angle of water on PET film was reduced significantly from $62^{\circ}$ to $43^{\circ}$ by DBD surface treatment at 20 min. of treatment time. The plasma treatment also improved the deposition rate and electrical properties. The deposition rate was increased almost linearly with surface treatment time. The lowest electrical resistivity as low as $4.97{\times}10^{-3}[\Omega-cm]$ and the highest deposition rate of 234[${\AA}m$/min] were obtained in ZnO:Al film with surface treatment time of 5min. and 20min., respectively.
The Townsend to glow discharge mode transition was investigated in the dielectric barrier discharge (DBD) helium plasma source which was powered by 20 kHz / $4.5 kV_{rms}$ high voltage at atmospheric pressure. The spatial profile of the electric field strength at each modes was measured by using the intensity ratio method of two helium emission lines (667.8 nm ($3^1D{\rightarrow}2^1P$) and 728.1 nm ($3^1S{\rightarrow}2^1P$)) and the Stark effect. ICCD images were analyzed with consideration for the electric field property. The Townsend discharge (TD) mode at the initial stage of breakdown has the light emission region located in the vicinity of the anode. The electric field of the light emitting region is close to the applied field in the system. Immediately, the light emitting region moves to the cathode and the discharge transits to the glow discharge (GD) mode. This mode transition can be understood with the ionization wave propagation. The electric field of the emitting region of GD near cathode is higher than that of TD near anode because of the cathode fall formation. This observation may apply to designing a DBD process system and to analysis of the process treatment results.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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