• Applied Microscopy
• /
• 제42권4호
• /
• pp.223-227
• /
• 2012

Focused Ion Beam (FIB) systems have incorporated versatile nanomanipulators with inherent sophisticated machining capability to characterize the electrical properties of highly miniature components of electronic devices. Carbon fibers were chosen as a model system to test the applicability of nanomanipulators to microscale electronic materials, with special emphasis on the direct current current-voltage characterizations in terms of electrode configuration. The presence of contact resistance affects the electrical characterization. This resistance originates from either i) the so-called "spreading resistance" due to the geometrical constriction near the electrode - material interface or ii) resistive surface layers. An appropriate electrode strategy is proposed herein for the use of FIB-based manipulators.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제5권5호
• /
• pp.916-922
• /
• 2001

본 논문에서는 기지국과 단말기간의 전파지연이 비교적 짧은 마이크로셀 환경의 패킷 CDMA망에서 음성과 데이터를 통합 서비스하기 위한 MAC 프로토콜을 제안한다. 제안한 프로토콜을 위한 시스템의 상향링크 채널은 프레임들 구성하는 타임 슬롯과 각 슬롯별 확산코드에 의하여 제공된다. 지연에 민감한 음성 트래픽에 더 높은 우선순위를 부여하여, 음성 트래픽인 경우에는 발음구간 동안 임의의 확산코드를 예약하여 서비스된다. 반면, 데이터 트래픽은 매 패킷이 발생할 때마다 기지국으로부터 수신한 현재 슬롯의 예약 상태 정보를 기반으로 서비스된다. 성능분석의 결과, 본 논문에서 제안한 기법은 음성과 데이터 패킷간의 충돌이 전혀 발생하지 않으므로 주어진 패킷 누락률 범위 내에서 수용 가능한 최대 음성 단말기 수를 증가시킬 수 있었다.

• ETRI Journal
• /
• 제45권4호
• /
• pp.570-580
• /
• 2023

Sensor nodes are the most significant part of a wireless sensor network that offers a powerful combination of sensing, processing, and communication. One major challenge while designing a sensor node is power consumption, as sensor nodes are generally battery-operated. In this study, we proposed the design of a low-power, long range-based wireless sensor node with flexibility, a compact size, and energy efficiency. Furthermore, we improved power performance by adopting an efficient hardware design and proper component selection. The Nano Power Timer Integrated Circuit is used for power management, as it consumes nanoamps of current, resulting in improved battery life. The proposed design achieves an off-time current of 38.17309 nA, which is tiny compared with the design discussed in the existing literature. Battery life is estimated for spreading factors (SFs), ranging from SF7 to SF12. The achieved battery life is 2.54 years for SF12 and 3.94 years for SF7. We present the analysis of current consumption and battery life. Sensor data, received signal strength indicator, and signal-to-noise ratio are visualized using the ThingSpeak network.

• 디지털융복합연구
• /
• 제12권7호
• /
• pp.291-296
• /
• 2014

GaN LED의 p-패드 금속과 에피층 사이에 $SiO_2$ 전류 절연 층을 제작하고, p-전극 금속의 패턴을 핑거(finger) 형태로 확장하여 형성함으로써, 대면적 고출력 소자에서 전류가 균일하게 퍼지도록 유도함과 동시에 p 패드 금속 표면에서의 광 손실을 줄여 광 출력을 증진시켰다. $SiO_2$ 절연 층의 면적과 두께를 다르게 하면서 광 출력의 증가를 비교 확인하였고, 실바코 사의 ATLAS 툴을 이용하여 컴퓨터 시뮬레이션을 실시함으로써 LED 내 활성 층에서의 전류 밀도 분포를 계산하였다. $SiO_2$ 절연 층의 두께가 $50{\mu}m$와 $100{\mu}m$ 인 두 경우 모두, p 패드의 직경이 $105{\mu}m$이고 핑거의 폭은 $12{\mu}m$인 경우와 비교할 때, p 패드의 직경이 $100{\mu}m$이고 핑거의 폭이 $6{\mu}m$인 경우가 더 높은 광 출력 특성을 나타냈다.

• 한국수산과학회지
• /
• 제35권6호
• /
• pp.568-577
• /
• 2002

본 연구에서는 한국 남해안의 적조발생상황을 기초자료로하여 적조생물의 증식과정, 해수순환의 물리학적인 과정 및 영양염류를 고려한 생물학적인 과정 등을 동시에 고려한 적조발생모델을 구축하여 적조발생상황을 수치모델로써 재현하고자 하였다. 수치모델을 통하여 해류를 재현한 결과, 거제도 남쪽해역에서 나타나는 반원형의 해류분포는 그 해역에서의 급격한 수심변화에 의해서 생성되는 것으로 조사되었다. 조류와 해류를 동시에 고려한 해수순환모델 결과, 제주해협에서는 남해로 유입되는 동향류가 우세한 반면에 남해에서 서해쪽으로 유출되는 서향류의 세기는 미약한 것으로 나타났다. 이러한 결과는 고흥연안에서 최초로 발생한 적조가 제주해협을 통하여 서해쪽으로 이동하기 어렵게 만드는 원인중의 하나라고 판단된다 조류와 해류가 적조발생분포에 미치는 영향을 수치실험을 통하여 조사하였는데, 적조발생분포가 왕복성조류의 형태와 해류에 의한 외해쪽으로의 이동양상을 모두 포함하고 있었다. 그러나, 계산결과는 실제 적조 발생분포를 잘 재현하지는 못하였다. 그러나. 한국 남해연안에서 부는 서남서방향의 가상바람을 적용하여 계산한 결과. 전체적인 적조의 발생 범위와 이동시기는 비교적 유사하게 재현할 수 있었다. 또한, 적조의 이동 및 확산분포에 가장 큰 영향을 미치는 것은 서남서 방향의 바람의 영향으로 연구되었다.

• 한국포장학회지
• /
• 제17권2호
• /
• pp.29-31
• /
• 2011

Hazards associated with use of wood packaging in international trade were addressed with regulations enforced. Measures to avoid spreading of pest in the trade were discussed in terms of current status and future availability.

• 대한원격탐사학회:학술대회논문집
• /
• 대한원격탐사학회 2003년도 Proceedings of ACRS 2003 ISRS
• /
• pp.435-437
• /
• 2003

This study presents work to utilize RADARSAT SAR image for forecast oil slick trajectory movement. The fractal dimension algorithm used to detect oil slick. The Doppler frequency shift and quasi-linear model was used to simulate a current pattern from RADARSAT image. The Fay’s algorithm of oil slick spreading was developed based on a Doppler frequency shift model. Thus, the study shows that fractal dimension algorithm discriminated the oil slick from the surrounding water features. The quasi-linear model shows that the current pattern can be simulated from single RADARSAT image. The oil slick trajectory model shows that after 48 hrs, the oil slick parcels deposited along the coastal waters.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.63-63
• /
• 2009

In this work, we demonstrate 800V 4H-SiC power DMOSFETs with several structural alterations to observe static DC characteristics, such as a threshold voltage ($V_{TH}$) and a figure of merit ($V_B^2/R_{SP,ON}$). To optimize the static DC characteristics, we consider four design parameters; (a) the doping concentration ($N_{CSL}$) of current spreading layer (CSL) beneath the p-base region, (b) the thickness of p-base ($t_{BASE}$), (c) the doping concentration ($N_J$) and width ($W_J$) of a JFET region, (d) the doping concentration ($N_{EPI}$) and thickness ($t_{EPI}$) of epi-layer. Design parameters are optimized using 2D numerical simulations and the 4H-SiC DMOSFET structure results in high figure of merit ($V_B^2/R_{SP,ON}$>~$340MW/cm^2$) for a power MOSFET in $V_B{\sim}1200V$ range.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제22권8호
• /
• pp.637-640
• /
• 2009

In this work, we demonstrate 800 V 4H-SiC power DMOSFETs with several structural alterations to obtain a low threshold voltage ($V_{TH}$) and a high figure of merit ($V_B\;^2/R_{SP,ON}$), To optimize the device performance, we consider four design parameters; (a) the doping concentration ($N_{CSL}$) of current spreading layer (CSL) beneath the p-base region, (b) the thickness of p-base ($t_{BASE}$), (c) the doping concentration ($N_J$) and width ($W_J$) of a JFET region, (d) the doping concentration ($N_{EPI}$) and thickness ($t_{EPI}$) of epi-layer. These parameters are optimized using 2D numerical simulation and the 4H-SiC DMOSFET structure results in a threshold voltage ($V_{TH}$) below $^{\sim}$3.8 V, and high figure of merit ($V_B\;^2/R_{SP,ON}$>$^{\sim}$200 $MW/cm^2$) for a power MOSFET in $V_B\;^{\sim}$800 V range.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2008년도 동계학술발표회 논문집
• /
• pp.231-232
• /
• 2008

The effect of n-electrode patterns on the current distribution in active region is investigated in GaN-based blue vertical light emitting diodes (VLEDs). A 3-dimension circuit model is adopted to analyze the current flow patterns in VLEDs. We had fabricated VLEDs having different n-electrode patterns, measured their current-voltage characteristics, and compared to the numerical simulation. It turns out that the current spreading in VLEDs is strongly dependent on the n-electrode pattern. Some design guidelines for n-electrode patterns to produce uniform current injection are presented.