The crystallization behavior and electrical conductivity of the $CuO-Bi_2O_3-V_2O_5$ glasses with various CuO content were investigated. The glass formation regin was 0~20 mol% Bi2O3, 5~55 mol% CuO, and 30~90 mol% $V_2O_5$ with Tg=$275^{\circ}C$~$290^{\circ}C$. Among glasses with various compositions, the 31CuO-$14Bi_2O_3-55V_2O_5$ (mol%) glass heat-treated at $358^{\circ}C$ for 8 h showed the highest conductivity of ~ at room temperature. The heat-treated glasses increased in electrical conductivity by the order of 104 compared to non heat-treated glass. The linear relationship between 1n($\sigma$T)and $T^{-1}$ indicated that electrical conduction in the 31CuO-$14Bi_2O_3-55V_2O_5$ (mol%) glass occurred by a small polaron hopping.
We have studied on the magnetic properties of the specimen with additives Bi$_2$O$_3$and$V_2O_5$ that sintered at 900 $^{\circ}C$ for 4 hours for sybthesizing optimal Ni-Zn-Cu ferrite. Curie temperature rises from 240 $^{\circ}C$ to 270 $^{\circ}C$ as Ni contents increase. Magentic maximum induction$(B_m)$ increases from 2650 G to 3300 G, 3500 G in the specimens with $V_2O_5$ and Bi$_2$O$_3$resectively. On the contrary coercive force $(H_c)$ lowers to 2.05 Oe~1.05 Oe. Permeability all increase in the specimen with additives. In the specimen with additive Bi$_2$O$_3$, we have obtained the low relative loss factor of $6.3{\times}10^{-5}~7.84{\times}10^{-5}$ in the range of 1MHz due to increase of resistivity in grain boundary. In the specimen with additive $V_2O_5$ in spite of increase permeability relative loss factor increase of due to decrease of Q-value.
Park, S.S.;Jeong, D.J.;Lee, H.;Park, C.Y.;Min, S.K.;Park, H.C.
Korean Journal of Materials Research
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v.8
no.12
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pp.1110-1114
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1998
The crystallization behaviors and electrical conductivities of the glasses heat-treated at various times and temperatures in the CuO-Bi$_2$O$_3$-V$_2$O$_{5}$ glass system were investigated. Among glass samples with various compositions, the highest conductivity obtained in the 31CuO-14Bi$_2$O$_3$-55V$_2$O$_{5}$ (mol%) glass sample. The 31CuO-14Bi$_2$O$_3$-55V$_2$O$_{5}$ (mol%) glass sample crystallized by heat treatment at 358$^{\circ}C$ for 8h had 2.67$\times$10$^{-2}$$\Omega$$^{-1}$$cm^{-1}$ /, which was much high value as a solid electrolyte. Compared to the glass sample, the heat- treated glass sample was increased in conductivity by an order of 10$^3$-10$^4$due to the formation and growth of BiVO$_4$ and CuVO$_3$crystals.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.3
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pp.208-213
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1998
Microwave dielectric properties of $BiNbO_4$ containing CuO and $V_2O_5$(BN ceramics). BN ceramic with 0.07wt% $V_2O_5$ and 0.03wt% CuO (BNC3V7) was sintered at $900^{\circ}C$ where it is possible for these to be co-fired with Ag electrode. The dielectric constant of 44.3, TCF (Temperature Coefficient of resonance Frequency) of 2 ppm/$^{\circ}$ and Q${\times}f_o$ value (product of Quality value and resonance Frequency) of 22,000GHz could be obtained from those ceramics. It is observed that orthorhombic structure was stable $1000^{\circ}C$. As sintering temperature increases, the dielectric properties decreased. The main reasons were abnormal grain growth and the main peak of triclinic moved from the main peak of orthorhombic.
Hyunhee Kwon;Ga Hui Hwang;Chae Il Cheon;Ki-Woong Chae
Journal of Sensor Science and Technology
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v.32
no.4
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pp.238-245
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2023
0.75(Bi1/2Na1/2)TiO3-0.25SrTiO3 (BNT-25ST) ceramics with high densities were successfully prepared at a sintering temperature of 1,000℃ by adding a mixture of 1 mol% CuO and 0.5 mol% Na2CO3 or 0.5 mol% CuO and 0.25 mol% Na2CO3. Double polarization-electric field (P-E) hysteresis curves and sprout-shaped bipolar strain-electric field (S-E) hysteresis curves with small negative strains were observed in the pristine and CuO-added BNT-25ST ceramics whereas the Na2CO3-added sample showed similar P-E and S-E curves to a typical ferroelectric. The pristine BNT-25ST ceramics showed an extremely large strain and a large-signal piezoelectric strain constant (d33*): 0.287 % at 80 kV/cm and 850 pm/V at 20 kV/cm. Similar values, 0.248 % at 80 kV/cm and 655 pm/V at 20 kV/cm, were obtained in the CuO-added sample. However, the pristine and CuO-added samples showed large hysteresis in unipolar S-E curves at an electric field of less than 20 kV/cm. The Na2CO3-added sample showed smaller values of the strain and d33* but displayed a linear change and small hysteresis in the unipolar S-E curve. The co-added sample with CuO and Na2CO3 displayed intermediate P-E and S-E hysteresis curves.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.8
no.2
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pp.84-88
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2007
[ $Bi_{1.5}Zn_{1.0}Nb_{1.5}O_7$ ] (BZN), $Bi_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ (BMN), and $Bi_2Cu_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ (BCN) pyrochlore thin films were prepared on $Cu/Ti/SiO_2/Si$ substrates by pulsed laser deposition and the micro-structural and electrical properties were characterized for embedded capacitor applications. The BZN, BMN, and BCN films deposited at $25\;^{\circ}C$ and $150\;^{\circ}C$, respectively show smooth surface morphologies and dielectric constants of about $39\;{\sim}\;58$. The high dielectric loss of the films deposited at $150\;^{\circ}C$ compared with films deposited at $25\;^{\circ}C$ was attributed to the defects existing at interface between the films and copper electrode by an oxidation of copper bottom electrode. The leakage current densities and breakdown voltages in 200 nm thick-BMN and BZN films deposited at $150\;^{\circ}C$ are approximately $2.5\;{\times}\;10^{-8}\;A/cm^2$ at 3 V and above 10 V, respectively. Both BZN and BMN films are considered to be suitable materials for embedded capacitor applications.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.11a
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pp.321-324
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2003
The effects of various sintering additives such as $Bi_2O_3+V_2O_5$, $BiVO_4$, $B_2O_3$, and $CuO+V_2O_5$ on the low-temperature sintering and microwave dielectric properties of $(ZnMg)TiO_3$ system were studied. Sintering was enhanced by the sintering additives and highly dense samples were obtained for $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ at the sintering temperature of $910^{\circ}C$. $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ with 6.19 mol.%$B_2O_3$ was found to show the best sintering and microwave dielectric properties.
Kim, Eung-Soo;Choi, Woong;Kim, Jong-Dae;Kang, Seung-Gu;Shim, Kwang-Bo
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.39
no.12
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pp.1190-1196
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2002
Microwave dielectric properties and multilayer characteristics $(1-x)BiNbO_4-xCaNb_2O_6$ (0${\le}$x${\le}$1.0) ceramics were investigated as a function of $CaNb_2O_6$ content. In the composition range of 0.25${\le}$x${\le}$0.75, the mixture phases of $BiNbO_4$ with stibotantalate structure and $CaNb_2O_6$ with columbite structure were detected and secondary phase or phase transition were not detected. Dielectric constant (K) of $(1-x)BiNbO_4-xCaNb_2O_6$ ceramics was largely dependent on the existing phase and could be estimated by the dielectric mixing rule calculated from maxwell equation. Typically, dielectric constant (K) of 26, quality factor (Qf) of 4300 GHz and Temperature Coefficient of resonant Frequency (TCF) of -18 ppm/${\circ}C$ were obtained for $0.5BiNbO_4-0.5CaNb_2O_6$ specimens with 0.8 wt% $CuV_2O_6$ sintered at 1000${\circ}C$ for 3h. The deviation of X-Y shrinkage and camber value of the multilayers obtained from $0.5BiNbO_4-0.5CaNb_2O_6$ green sheet sintered at 850∼950${\circ}C$ for 20 min. were smaller than those of $BiNbO_4$ multilayers.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.33
no.5
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pp.337-343
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2020
This study investigated the low temperature sintering with various templates of Bi-based lead-free piezoelectric ceramics. The effects of using CuO-coated Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates on the sintering behavior as well as the dielectric, ferroelectric, and piezoelectric properties of Bi1/2(Na0.78K0.22)1/2TiO3 (BNKT) ceramics have been examined. In comparison with the specimens sintered with the Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates without CuO coating, those sintered with the CuO-coated Na0.5Bi4.5Ti4O15 templates showed larger template sizes as well as a larger electric field induced strain (Smax/Emax) of 422 pm/V after sintering at temperatures as low as 975℃. These results are promising for low-cost multilayer ceramic actuator applications.
Studies on lead-free piezoelectrics have been attractive as means of meeting environmental requirements. We synthesized lead-free piezoelectric $(Bi_{1/2}Na_{1/2})TiO_3-Ba(Cu_{1/3}Nb_{2/3})O_3$ (BNT-BCN) ceramics, and their dielectric, piezoelectric, and strain behavior were characterized. As BCN with a tetragonal phase was incorporated into the rhombohedral BNT lattice, the lattice constant increased. A small amount of BCN increased the density and dielectric constant forming the complete solid solution with BNT. However, BCN above 10 mol% was precipitated into a separate phase, and which was detected with XRD. In addition, EDX measurement revealed that Cu in BCN was not distributed homogeneously but was accumulated in a certain area. A lower density with a large amount of BCN was attributed to the nonsinterable property of BCN with large tetragonaliy. The dielectric constant vs the temperature change and the strain vs the electric field indicated that the ferroelectric property of BNT was diminished and paraelectric behavior was enhanced with the BCN addition. BNT-7.5BCN showed a 0.11% unimorph strain with a 9.0 kV/mm electric field with little hysteresis.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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