In this study, cold-rolling and appropriate annealing was adopted for the grain refining of Cu-26.65Zn-4. 05Al-0.31Ti(wt%) shape memory alloy. For the cold deformation of this alloy the ducti1e $\alpha$-phase must be contained. After heat treatment at $550^{\circ}C$ the $(\alpha+$\beta)$-dual phase with 40vol.% $\alpha$-phase was obtained which could be rolled at room temperature. This alloy was cold rolled into a final thickness of 1.0mm with total reduction degrees of 70% and 90%. The rolled sheets were betanized at $800^{\circ}C$ for various times, then quenched into ice water. The grain size of co]d rolled samples were $60~80\mu\textrm{m}$ which is much smaller comparing with the hot-rolled samples. And the 90% rolled sample showed smaller grain size than the case of the 70% rolled one. The small grain size had influence on the phase transformation temperatures and stabilization of the austenitic phases.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.382-382
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2012
CIGS thin films have received great attention as a promising material for solar cells due to their high absorption coefficient, appropriate bandgap, long-term stability, and low cost production. CIGS thin films are deposited by various methods such as co-evaporation, sputtering, spray pyrolysis and electro-deposition. The deposition technique is one of the most important processes in preparing CIGS thin film solar cells. Among these methods, co-evaporation is one of the best technique for obtaining high quality and stoichiometric CIGS films. However, co-evaporation method is known to be unsuitable for commercialization. The sputtering is known to be very effective and feasible process for mass production. In this study, CIGS thin films have prepared by rf magnetron sputtering using a $Cu(In_{1-x}Ga_x)Se_2$ single quaternary target without post deposition selenization. This process has been examined by the effects of deposition parameters on the structural and compositional properties of the films. In addition, we will explore the influences of substrate temperature and additional annealing treatment after deposition on the characteristics of CIGS thin films. The thickness of CIGS films will be measured by Tencor-P1 profiler. The crystalline properties and surface morphology of the films will be analyzed using X-ray diffraction and scanning electron microscopy, respectively. The optical properties of the films will be determined by UV-Visible spectroscopy. Electrical properties of the films will be measured using van der Pauw geometry and Hall effect measurement at room temperature using indium ohmic contacts.
ITO thin films and gold (Au), copper (Cu) and nickel (Ni) intermediate ITO multilayer (ITO/Au/ITO, ITO/Cu/ITO, ITO/Ni/ITO) films were deposited on glass substrates with a reactive radio frequency and direct current magnetron sputtering system and then the effect of intermediate metal layer and annealing temperature on the methanol gas sensitivity of ITO films were investigated. Although both ITO and ITO/metal/ITO (IMI) film sensors have the same total thickness of 100 nm, IMI sensors have a sandwich structure of ITO 50 nm/metal 10 nm/ITO 40 nm. The change in the gas sensitivity of the film sensors caused by methanol gas ranging from 100 to 1000 ppm was measured at room temperature. The IAI film sensors showed the higher sensitivity than the other sensors. Finally, it is concluded that the ITO 50/Au 10/ITO 40 nm film sensors hasthe potential to be used as improved methanol gas sensor.
The doping effect of Sn on the microstructure evolution and dielectric properties was studied in $CaCu_3Ti_{4-x}Sn_xO_{12}$ polycrystals. Samples were produced by a conventional solid-state reaction method. Sintering was carried out at $1115^{\circ}C$ for 2-16 h in air. The dielectric constant and loss were examined at room temperature over a frequency range between $10^2$ and $10^6$ Hz. The microstructure was found to evolve into three stages. Addition of $SnO_2$ led to an increase in density and advanced formation of abnormal grains. The formation of coarse grains with a reduced thickness of the boundary brought about an enhanced dielectric constant and a lower dielectric loss below ~1 kHz. EDS data showed the Cu-rich phase along the grain boundary, which should contribute to the improved dielectric constant according to the internal barrier layer capacitor model. After all, $SnO_2$ was an effective dopant to elevate the dielectric characteristics of $CaCu_3Ti_{4-x}Sn_xO_{12}$ polycrystals as a promoter for abnormal grain growth.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.46
no.6
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pp.248-257
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2013
It is generally recognized that thin Pd-Cu alloy films fabricated by sputtering show a wide range of microstructures and properties, both of which are highly dependent on the sputtering conditions. In view of this, the present study aims to investigate the relationship between the performance of hydrogen separation membranes and the microstructure of Pd alloy films depending on sputtering deposition conditions such as substrate temperature, working pressure, and DC power. We fabricated thin and dense Pd-Cu alloy membranes by the micro-polishing of porous Ni support, an advanced Pd-Cu sputtered multi-deposition under the conditions of high substrate temperature / low working pressure / high DC power, and a followed by Cu-reflow heat-treatment. The result of a hydrogen permeation test indicated that the selectivity for $H_2/N_2$ was infinite because of the void-free and dense surface of the Pd alloy membranes, and the hydrogen permeability was 10.5 $ml{\cdot}cm^{-2}{\cdot}min^{-1}{\cdot}atm^{-1}$ for a 6 ${\mu}m$ membrane thickness.
In this study, the effect of the friction stir welding (FSW) was compared with that of the gas tungsten arc welding (GTAW) on the microstructure and microhardness of Cu-Ni alloy weldment. The weldment of 10 mm thickness was fabricated by FSW and GTAW, respectively. Both weldments were compared with each other by optical microstructure, microhardness test and grain size measurement. Results of this study suggest that the microhardness decreased from the base metal (BM) to the heat affected zone (HAZ) and increased at fusion zone (FZ) of GTAW and stir zone (SZ) of FSW. the minimum Hv value of both weldment was obtained at HAZ, respectively, which represents the softening zone, whereas Hv value of FSW weldment was little higher than that of GTAW weldment. These phenomena can be explained by the grain size difference between HAZs of each weldment. Grain size was increased at the HAZ during FSW and GTAW. Because FSW is a solid-state joining process obtaining the lower heat-input generated by rotating shoulder than heat generated in the arc of GTAW.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.182-182
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1999
The chemisorption effect of CO on the Ni/Cu(001) surface was investigated using LEED(Low Energy Electron Diffraction) and EELS(Electron Energy Loss Spectrscopy0 under the UHV conditions. after mounting the Cu(001) single crystal in the UHV chamber (base pressure 1$\times$10-10Torr), a clean surface was obtained after a few cycles of repeated Ar+ ion sputtering and annealing at about 40$0^{\circ}C$. The epitaxial thin Ni films were formed on the Cu(001) by evaporation from 99.999% Ni block. The pseudomorphic growth and the orderness of the thin Ni films were monitored by c(2$^{\circ}C$2) LEED pattern. CO adlayers on Ni epitaxial thin films were prepared by dosing pure CO has through a leak valve. After CO adsorpton at room temperature, two pairs of peaks were observed by EELS, whose relative intensities are changed as the film thickness is varied and time is elapsed. These two pair of peaks are likely related to different bonding sites (-top and bridge sites) of C-Ni as well as C-O vibration. Experimental results and qualitative interpretation of the spectra wille be discussed. The possibility of using EELS in combination with probe species (CO) to investigate the nature of thin film growth is mentioned. We will report the experimental result of O2 dosage on Ni film and interaction of CO and O2.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.47
no.6
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pp.303-310
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2014
In this study, the average in-situ stress in metallic thin film was measured during deposition of the Cu thin films on the Si(111) wafer and then the phenomenon of stress shift by the interruption of deposition was measured using Cu thin films. We have observed the stress shift in accordance with changing amount of atom's movement between the surface and grain boundary through altering the grain size of the Cu thin film with variety of parameters. The grain size is known to be affected on the deposition rate, film thickness and deposition temperature. As a experimental results, the these parameters was not adequate to explain stress shift because these parameters affect directly on the amount of atom's movement between the surface and grain boundary as well as the grain size. Thus, we have observed the stress shift toward tensile side in accordance with the grain size changing through the interlayer deposition. From an experiment with inserting interlayer before deposit Cu, in thin film which has big grain size with high roughness, amount of stress movement is higher along direction of tensile stress after deposition that means, after deposition process, driving force of atoms moving in grain boundary and on the surface of the film is relatively higher than before.
Recently, interest in hygiene has been arouse in the health care field. Consequently, Filters with antibacterial agent applied to improve air quality by sterilizing bacteria, fungi, etc. We actually installed antibacterial air filter containing 2.5wt%Ag zeolite on the air intake route to air-conditioner in passenger cu, and evaluated filter's performance on antibacterial effect. By the microbe liquid spattering method, we found that the antibacterial air filter has notably sufficient antibacterial efficiency against standard strains and wild type strains. Antibacterial effect was observed at whole area of filter media by zone of inhibition test. The evaluation of microbe quantity was conducted through mixing dilution plate culture method. In comparison with ordinary filter, the amount of germs attached on antibacterial air filters was larger. The amount of germs attached on ordinary filters was very small since ordinary filters contained less dust. In comparison in antibacterial air filter with thickness, the amount of germs attached on 9mm filter was smaller than that of on 6mm filter. i.e. thicker filter, superior efficiency.
Even if transmissions through normal channel between ubiquitous devices and terminal readers are encrypted, any extra sources of information retrieved from encrypting module can be exploited to figure out the key parameters, so called side channel attack. Since side channel attacks are based on statistical methods, making side channel signal weak or complex is the proper solution to prevent the attack. Among many countermeasures, shielding the electromagnetic signal and adding noise to the EM signal were examined by applying different thicknesses of thin films of ferroelectric (BTO) and conductors (copper and gold). As a test vehicle, chip antenna was utilized to see the change in radiation characteristics: return loss and gain. As a result, the ferroelectric BTO showed no recognizable effect on both shielding and adding noise. Cu thin film showed increasing shielding effect with thickness. Nanometer Au exhibited possibility in adding noise by widening of bandwidth and red shifting of resonating frequencies.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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