In the DBC (direct bonding of copper) process the oxygen partial pressure surrounding the AlN/Cu bonding pairs has been controlled by Ar gas mixed with oxygen. However, the direct bonding of Cu with sound interface and good adhesion strength is complicated process due to the difficulty in the exact control of oxygen partial pressure by using Ar gas. In this study, we have utilized the in-situ equilibrium established during the reaction of $2CuO{\rightarrow}Cu_2O$ + 1/2 $O_2$ by placing powder bed of CuO or $Cu_2O$ around the Cu/AlN bonding pair at $1065{\sim}1085^{\circ}C$. The adhesion strength was relatively better in case of using CuO powder than when $Cu_2O$ powder was used. Microstructural analysis by optical microscopy and XRD revealed that the interface of bonding pair was composed of $Cu_2O$, Cu and small amount of CuO phase. Thus, it is explained that the good adhesion between Cu and AlN is attributed to the wetting of eutectic liquid formed by reaction of Cu and $Cu_2O$.
An experiment was conducted to determine the effects of supernormal level of copper (Cu) from different supplementary sources on the performance, cholesterol level in plasma and breast muscle, and accumulation of fat and Cu in broilers. In a 5 wk feeding trial, two hundred forty hatched male broiler chickens were assigned to four dietary treatments: control diet containing 10 mg/kg supplementary Cu, control diet plus 250 mg/kg Cu from $CuSO_4$ ($CuSO_4-250$), control diet plus 125 mg/kg Cu from Cu-methionine chelate (Cu-Met-125), and control diet plus 250 mg/kg Cu from Cu-methionine chelate (Cu-Met-250). Weight gain in Cu-Met-125 treatment and Cu-Met-250 treatment were not different, but they were significantly (p<0.05) greater than that in $CuSO_4-250$ treatment. Plasma total cholesterol and reduced glutathione (GSH) in blood were significantly reduced by supplementation of $CuSO_4-250$, but were not significantly affected by Cu-Met supplementations. Plasma HDL cholesterol, plasma triglycerides and breast muscle cholesterol were not significantly affected by Cu supplementation. $CuSO_4-250$ improved metabolizability of crude fat, which resulted in low abdominal fat pad weight. Cu from Cu-Met was better absorbed and accumulated more in the breast muscle and lesser in the liver compared with Cu from $CuSO_4$.
본 연구에서는 집적회로의 배선공정에 적용될 무전해도금된 Cu박막의 열적 특성과 접착특성에 대하여 고찰하였다. 시편은 Si 기판에 MOCVD법으로 TaN 확산방지막을 증착시킨 후 그 위에 무전해도금법으로 Cu 막을 증착시켜 Cu/TaN/Si 구조의 다층박막을 제조하였다. 이렇게 제조된 Cu/TaN/Si 시편을 수소와 Ar 분위기에서 각각 열처리시킨 후 열처리온도에 따른 비저항을 측정함으로써 Cu박막의 열적 안정성을 분석하였다. Cu박막과 TaN확산방지막과의 접착특성을 분석하기 위하여 scratch test를 사용하였으며, TaN 확산방지막에 대한 무전해도금된 Cu배선막의 접착력은 일반적인 Thermal evaporation과 Sputturing 방법으로 증착된 Cu 박막의 경우와 비교함으로써 평가되었다. TaN 박막에 대한 Cu박막의 접착성을 평가하기 위해 scratch test를 행한 결과 무전해도금된 Cu박막의 경우 다른 방법으로 증착된 Cu 박막과 비슷한 접착특성을 나타내었으며, acoustic emission분석과 microscope 관찰 결과 sputtering이나 evaporation 방법으로 증착된 Cu박막 보다 무전해도금된 Cu박막이 상대 적으로 우수한 접착력을 나타내었다.
시효처리에 따른 Cu pillar 범프 내 다양한 계면에서의 금속간화합물 성장거동을 각각 120, 150, $165^{\circ}C$의 온도에서 300시간동안 시효처리하면서 연구하였다. 분석 결과 Cu pillar와 SnPb 계면에서는 $Cu_6Sn_5$와 $Cu_3Sn$이 관찰되었고, 시효처리 시간이 경과함에 따라 parabolic 형태로 성장하였다. 또한 시효처리 온도가 높을수록 시간에 따른 $Cu_6Sn_5$와 $Cu_3Sn$의 성장속도는 더욱 빨랐다. kirkendall void는 Cu Pillar와 $Cu_3Sn$ 사이의 계면과 $Cu_3Sn$ 내부에서 형성되었고, 시효처리 시간이 경과함에 따라 성장하였다. 리플로우 후에 SnPb와 Ni(P)사이의 계면에서는 $(Cu,Ni)_6Sn_5$가 형성되었고, 시효처리 시간에 따른 $(Cu,Ni)_6Sn_5$거 두께 변화는 관찰되지 않았다. 시효처리 온도와 시간에 따른 금속간화합물의 두께 변화를 이용하여 전체$(Cu_6Sn_5+Cu_3Sn)$금속간화합물과 $Cu_6Sn_5,\;Cu_3Sn$ 금속간화합물의 성장에 대한 활성화 에너지를 구해본 결과 각각 1.53, 1.84, 0.81 eV의 값을 가지고 있었다.
Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 기술은 솔더범프를 사용한 플립칩 공정에 비해 칩과 기판 사이의 거리를 감소시키지 않으면서 미세피치 접속이 가능하다는 장점이 있다. Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 공정은 미세피치화와 더불어 기생 캐패시턴스를 억제하기 위해 칩과 기판 사이에 큰 거리가 요구되는 RF 패키지에서도 유용한 칩 접속공정이다. 본 연구에서는 Sn 캡을 형성한 Cu pillar 범프와 Sn 캡이 없는 Cu pillar 범프를 전기도금으로 형성한 후 플립칩 접속하여 Cu-Sn-Cu 샌드위치 접속구조를 형성하였다. Cu pillar 범프 상에 Sn 캡의 높이를 변화시키며 전기도금한 후, Sn 캡의 높이에 따른 Cu-Sn-Cu 샌드위치 접속구조의 접속저항과 칩 전단하중을 분석하였다. 직경 $25\;{\mu}m$, 높이 $20\;{\mu}m$인 Cu pillar 범프들을 사용하여 형성한 Cu-Sn-Cu 샌드위치 접속구조에서 $10{\sim}25\;{\mu}m$ 범위의 Sn 캡 높이에 무관하게 칩과 기판 사이의 거리는 $44\;{\mu}m$으로 유지되었으며, 접속부당 $14\;m{\Omega}$의 평균 접속저항을 나타내었다.
본 연구에서는 $Cu-Cu_2$O의 공정반응에 의한 구리와 알루미나의 직접접합에 대하여 연구 하였다. $1.5{\times}10^{-1}$torr, $1015^{\circ}C$에서 산화시킨 후 $10_{-3}$torr, 107$5^{\circ}C$에서 접합시킨 시편의 접합력과 계면특성을 인장시험, SEM, EDS 및 XRD를 통하여 분석하였다. 3분 산화시켜 접합하면 우수한 접합강도를 보이며 산화시간이 이보다 짧거나 길면 결합력은 저하하였다. 과단은 알루미나 공정조직 계면에서 발생하였으며 파단후 $Al_2O_3$표면에는 Cu쪽에서 빠져나간 $Cu_2$O nodule의 존재하였는 바 접합력은 $Cu_2$O-A$l_2O_3$계면보다는 $Cu-Cu_2$O계면에 좌우됨을 보여주고 있다. 접합력은 접합시간에 따라 완만한 증가를 보였으며 CuA$l_2O_4$및 $CuAlO_2$의 반응생성물이 접합중 형성되었다.
반도체 소자의 배선용 재료로서 사용가능한 합금원소 Mg를 첨가한 Cu(Mg) 박막의 기계 및 전기적 특성 변화를 조사하였다. Cu(2.7at.%Mg) 박막은 열처리를 할 경우 Cu 박막에 비하여 표면거칠기는 약 1/10 정도로 줄고 $SiO_2$와의 접착력도 2배 이상 향상된 결과를 나타내었다. 또한 $300^{\circ}C$이상의 온도에서 10분 이상 열처리를 할 경우 급격한 저항감소를 보여주었는데 이는 Mg 원소의 확산으로 인해 표면 및 계면에서 Mg 산화물이 형성되고 내부에는 순수 Cu와 같이 되었기 때문이다. 경도 및 열응력에 대한 저항력도 Cu박막에 비해 우수한 것으로 나타났으며 열응력으로 인해 Cu 박막에 나타나던 표면 void가 Cu(Mg) 박막에서는 전혀 관찰되지 않았다. EM Test 결과 lifetime은 2.5MA/$cm^2$, $297^[\circ}C$에서 순수 Cu 라인보다 5배 이상 길고 BTS Test 결과 Capacitance-Voltage 그래프의 플랫 밴드 전압(V$_{F}$ )의 shift현상이 Cu에서는 나타났지만 Cu(Mg) 박막에서는 발생하지 않는 우수한 신뢰성을 보여주었다. 누설전류 측정을 통한 $SiO_2$의 파괴시간은 Cu에 비하여 약 3배 이상 길어 합금원소에 의한 확산방지 효과가 있음을 확인하였다.
Sn-Sb-Cu-Ni-Cd whitemetal에서 Cu와 Sb가 미세조직과 기계적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. Cu 함량이 0.05 wt%인 whitemetal에서는 화합물 상이 관찰되지 않았지만 Cu 함량이 증가함에 따라 별 모양 또는 침상 $Cu_6Sn_5$ 상이 관찰되었다. 인장강도는 Cu 함량이 5% 까지는 증가하다가 그 이상에서는 거의 일정하게 유지되었다. 반면에 경도는 경질상이 증가하기 때문에 계속 증가하였다. 또한 Sb 함량이 증가함에 따라 입방형 SbSn 상이 $Cu_6Sn_5$ 상과 함께 관찰되었다. 인장강도와 경도는 Sb 함량이 많아질수록 증가하였고 연선율은 감소하였다.
플립칩 접합시 발생하는 계면반응 거동과 접합특성을 계면에 생성되는 금속간화합물의 관점에서 접근하였다. 이를 위하여 Al/Cu와 Al/Ni의 under bump metallization(UBM) 층과 Sn-Cu계 솔더(Sn-3Cu, Sn-0.7Cu)와의 반응에 의한 금속간화합물의 형성거동 및 계면접합성을 분석하였다. Al/Cu UBM 상에서 Sn-0.7Cu 솔더를 리플로우한 경우에는 솔더/UBM 계면에서 금속간화합물이 형성되지 않았으며, Sn-3Cu를 리플로우한 경우에는 계면에서 생성된 $Cu_6Sn_5$ 금속간화합물이 spalling 되어 접합면이 분리되었다. 반면에 Al/Ni UBM 상에서 Sn-Cu계 솔더를 리플로우한 경우에는 0.7 wt% 및 3 wt%의 Cu 함량에 관계없이 $(Cu,Ni)_6Sn_5$ 금속간화합물이 계면에 형성되어 있었으며, 계면접합이 안정적으로 유지되었다.
Byeonghyeon, Kim;Jin Young, Jeong;Seol Hwa, Park;Hyunjung, Jung;Minji, Kim
Journal of Animal Science and Technology
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제64권5호
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pp.885-896
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2022
This experiment was conducted to investigate the effects of three different copper (Cu) sources (one inorganic and two organics) and levels (0, 50, and 100 mg/kg) on the growth performance, Cu digestibility, fecal mineral excretion, serum mineral concentration, jejunal morphology, and serum biochemical profile of growing pigs. A total of 42 male, growing pigs (31.08 ± 1.82 kg) were randomly assigned to seven treatments consisting of one negative control (0 mg/kg of added Cu level) and treatments with copper sulfate (CuSO4), Cu-amino acid complex (CuAA), and Cu-hydroxy-4-methylthio butanoate chelate complex (CuHMB) at 50 and 100 mg/kg each for 28 d. Pigs fed 50 or 100 mg/kg of Cu showed improved (p < 0.05) average daily gain and feed intake. Although Cu excretion decreased (p < 0.01) in pigs fed 100 mg/kg of organic Cu sources compared to those fed CuSO4, there was no difference between the Cu sources in pigs fed 50 mg/kg. However, the apparent total tract digestibility of Cu increased (p < 0.01) in pigs fed organic Cu sources compared with that in pigs fed CuSO4. The addition of CuHMB increased (p < 0.01) serum phosphorus and sulfur concentrations; however, there were no effects of source and level on jejunal morphology and serum biochemical profile. These results suggest that the inclusion (50 mg/kg) of organic Cu sources (CuAA and CuHMB) in the growing pig diet could be beneficial for growth performance and Cu availability and may reduce environmental pollution.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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