• 대한기계학회논문집A
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• 제20권5호
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• pp.1516-1523
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• 1996

The present study is concerned with the development of anisotropy and deformation texture in polycrystals. The individual grain in an aggregate is assumed to experience the viscoplastic dedformation with crystallographic slip that unsure uniquenessof the active slip systems and shearing rate onthese systems. Two different methods for updating the grain orientation are examined. Texture development for some deformation modes such as plane strain compression, uniaxial tension and simple shear are found. Changes in anisotropic flow potential due to texture development during large deformation are also given. Anisotropic behavior of polycrystals with defferent textures are examined.

• 한국표면공학회지
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• 제31권1호
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• pp.24-33
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• 1998

Effects of pH and supporting salts on the characteristics of electrogalvanzied coating in sulfate bath are investigated. The fine grain size is obtained and the whiteness with the amount of supporting salts or pH increased at more than current density of 100A/$dm^2$<\TEX>, With supporting salts increased, the electro-conductivity of the bulk solution increases and the cell voltage decreases, while the width of the cathode burned edge gets wider because it seems that the increased overpotential the vicinity of cathode causes the decreases, of limiting current density. When the amount of supporting salts or pH of sulfate bath decreases, the zinc crystals have preferred orientation (001) planes. However when the amount of supporting salts or pH increase, the crystal texture has less (001) planes and gets to have random crystal planes.

• ETRI Journal
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• 제34권5호
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• pp.779-782
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• 2012

$CuIn_{1-x}Ga_xSe_2$ (CIGS) thin films are grown on Mo/soda lime glass using a reactive sputtering process in which a Se cracker is used to deliver reactive Se molecules. The Cu and $(In_{0.7}Ga_{0.3})_2Se_3$ targets are simultaneously sputtered under the delivery of reactive Se. The effects of Se flux on film composition are investigated. The Cu/(In+Ga) composition ratio increases as the Se flux increases at a plasma power of less than 30 W for the Cu target. The (112) crystal orientation becomes dominant, and crystal grain size is larger with Se flux. The power conversion efficiency of a solar cell fabricated using an 800-nm CIGS film is 8.5%.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권4호
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• pp.415-421
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• 1996

본 고에서는 고온센서용 압전체가 필요하고 실용화할 수 있는 다결정 압전세라믹스 및 박막재료가 요구되는 점을 감안하여 고온에서도 사용할 수 있는 단결정 $A_{2}$B$_{2}$O$_{2}$형의 성장과 그 전기적 특성 및 최근 개발을 시도하고 있는 다결정 $A_{2}$B$_{2}$O$_{2}$형 압전체에 대한 지금까지의 개발동향을 문헌소개와 함께 필자의 연구결과 일부도 보고하며 아울러 박막화의 가능성도 제시하고자 한다.

• 한국자기학회지
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• 제7권4호
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• pp.205-211
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• 1997

E-Beam Evaporator로 제조된 CoCrTa/CrNi 자성박막에서 하지층인 Cr에 대한 소량첨가원소인 Ni이 자성박막의 자기적 성질에 어떤 영향을 미치는가를 조사하였다. 상온에서 제조된 시편에서 소량의 첨가원소 Ni의 영향은 보자력의 증가를 가져왔음을 알 수 있었다. 이러한 보자력 증가의 원인을 XRD와 AFM으로 그 결정배향성과 미세구조를 통하여 살펴보았다. Cr 하지층에 Ni의 첨가시 결정립의 크기가 증가함을 알 수 있었다. 280 .deg. C 기판온도에서는 CrNi 하지층을 갖는 박막이 오히려 낮은 보자력 값을 나타내었고 이것은 결정립 크기의 증가때문으로 생각된다. 높은 기판온도에서는 결정배향성보다 Cr의 편석이 보자력에 대한 주요한 기구인 것으로 생각된다.

• 한국자기학회지
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• 제11권1호
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• pp.1-7
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• 2001

열연판을 모재로 하여 압연 및 열처리 공정을 조합한 공정을 3회 냉간압연법을 사용하여 최종두께 100$\mu\textrm{m}$로 제작한 방향성 규소강대에 대하여, 직류자기 특성 및 결정입자의 열처리 의존성, 결정방위 등을 조사하였다. 그 결과, (110)면이 거의 시료 전체표면에 성장하는 것이 관측되었으며, B$_{8}$은 1.9 T정도, 평균$\alpha$각은 약 4.6$^{\circ}$이었다. 향후 약간의 (001)조직의 집적도 개선이 추가된다면, 염가의 열연판을 모재로 사용하여 기존의 방향성 규소강판의 경우보다 훨씬 제조공정수를 단순화함으로써, 경제성이 우수한 방향성 극박 규소강대를 제작할 수 있는 가능성을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권3호
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• pp.238-244
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• 1994

보로실리케이트 유리기판과 석영기판을 사용하여 $800^{\circ}C~520^{\circ}C$의 온도 범위에서 용액 성장법에 의한 다결정 실리콘 박막의 성장에 관해 조사 하였다. 기판상에는 용애과의 젖음성을 좋게 해주기 위해 박막의 알루미늄츠오가 실리콘층이 증착되었으며, 용매로는 알루미늄과 실리콘옥사이드와의 반응에 의해서 일어난다. 결정립 크기가 수백 마이크론까지 이르는 실리콘을 얻을 수 있었으며, 석영기 판의 경우에는 보르실리 케이트 유리기판보다 강한 (111) 우선 성장 방향을 보여주고 있다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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• pp.142-142
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• 2011

Epitaxial $CuCrO_2$ thin films have been grown on single crystal substrate of c-plane $Al_2O_3$, $SrTiO_3$, YSZ and Quarts by laser ablation of a $CuCrO_2$ target using 266nm radiation from a Nd:YAG laser. X-ray measurements indicate that the $CuCrO_2$ grows epitaxially on all substrate, with its orientation dependent on the kinds of substrates. Most of the layer were polycrystalline with (001), (015) and random as the dominant surface orientation on c-plane YSZ, $SrTiO_3$ and quarts substrate, respectively. (001) orientated $CuCrO_2$ grows on C-plane $Al_2O_3$ and YSZ substrate, (015) orientated $CuCrO_2$ films are found on c-plane $SrTiO_3$ substrate and random orientated $CuCrO_2$ films grows on quarts substrate. These data are compared with the in-plane orientation and the mismatch of the $CuCrO_2$ and each substrate lattices in an attempt to relate the preferred orientation to the plane of the sapphire on which it is grown. Further characterization show that the grain size of the films increases for a substrate temperature increase, whereas the electrical properties of $CuCrO_2$ thin films depend upon their crystalline orientation.

• 한국재료학회지
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• 제4권1호
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• pp.37-43
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• 1994

Y-BA-Cu-O계 고온초전도체의 미세조직을 가공과 열처리로써 제어하여 조직의 배향화와 치밀화를 기하여 높은 임계전류밀도($J_c$)를 갖는 초전도체의 개발을 목적으로sinter forging법으로 Y-BA-Cu-O/Ag 고온초전도복합체를 제조하였다. sinter forging을 통하여 고온 초전도체의 미세조직의 texture화를 가져왔으며, 이 경우 (123)결정립의 C축 방위가 단일축의 압축방향으로 배향화 되었다. 한편, texture의 orientation facter는 고온일수록, 압력이 클수록 크고, 조직의 배향화도 뚜렷하였으며 그에 따라 $J_c$역시 증가하였다. 이러한 결과로 미루어 결정의 배향도는 $J_c$를 좌우하는 중요한 변수라고 사려되었다. 또한 sinter forging 시킨Y-MA-Cu-O/Ag 복합체의 on set온도는 sinter forging온도에 크게 의존치 않았으나, 고온일수록 off set 온도($T_c\;^{zero}$)가 다소 떨어졌다. 한편, 첨가된 Ag는 주고(123)결정입계에 존재하였으며, 이들이 (123)결정립간의 결합을 촉진시켜 임계전류밀도를 크게 향상시켰으며, Y-BA-Cu-O/Ag 복합체의 $J_c$는 2,000 A/$\textrm{cm}^2$ 이상이었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권1호
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• pp.17-22
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• 2000

수직보자력이 크고 CoCrPt에 비하여 noise 저감 효과가 큰 것으로 알려진 CoCrPtTa계 합금박막의 수직이방성을 더욱 개선하기 위해 Ti를 우선 증착하였다. 본 연구에서는 Ti 두께 변화에 따른 비교적 높은 수직보자력치를 보였던 $CoCr_{16.2}Pt_{10.8}Ta_4$Ti/glass 시편에서 자기적 특성과 자구형상의 변화를 살펴보았다. 또한 VSM(Vibrating Sample Magnetometer)을 이용하여 M-H loop를 측정하였으며 자구형상은 MFM(Magnetic Force Microscopy)로 관찰하였다. 육방정 Ti가 하지층으로서 우선증착되면 bare glass 직접 증착되는 경우보다 CoCrPtTa 자성층의 수직이방성에 현저한 향상을 가져왔으며 Ti의 두께가 두꺼울수록 c-축 배향성도 개선되었다. MFM 결과에 의하면 Ti두레가 20 nm에서 90 nm로 증가함에 따라 자구형상이 연속적인 stripe type에서 mass type으로 분절된 형태로 변하였다. 이는 Ti의 증착이 비자성 Cr 편석 거동에 영향을 미쳐 자화반전시 인접 columnar grain의 자화벡터들간의 상호교환작용을 억제하는 자기적 분리 효과에 기여했음을 의미한다. 아울러 이와 같은 거동은 Ti가 CoCr계 자성층의 수직이방성을 개선하는데 있어서 형상자기이방성적인 측면에서의 기여가 현저함을 의미하기도 한다.