• Nuclear Engineering and Technology
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• 제6권4호
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• pp.219-230
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• 1974

강한 방향성이 있는 다결정에 의한 중성자회절강도에 대한 재래의 공식을 결정의 반사율에 관한 Kunitomi 의식을 사용하여 수정하였다. 시료내의 grain 에서 회절이 일어나는 정화한 위치가 회절강도의 Maxwell곡선의 소각부분에 관한 이론치와 계산치를 비교함으로써 발견된다는 사실과 위의 회절강도 공식을 사용하여 금속내의 Preferred orientation을 백색중성자를 가지고 조사한 수 있는 방법을 고안하였다. 결정 내에서 일어나는 중성자비 다중반사와 흡수에 대해서 교정하여 원자로의 중성자 스펙트럼을 측정함으로써 열중성자의 확실성있는 파장이 1.025$\pm$0.001$\AA$임을 알았다. 대부분 cube-on-face 방향을 갖인 씰리콘 강철을 본 연구방법으로 조사차였는바 grain들이 압연방향에서 5도 이내에 배열되어 있다는 사실을 발견하였다. 커다란 결정에 적합한 이론들이 강한 방향성이 있는 다결정 물체에도 적응될 수 있음을 알게 되었다.

• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제9권3호
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• pp.22-26
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• 2014

본 연구에서는 액정의 수직배향을 달성하기 위해서 특별히 제조된 폴리스타일렌 박막에 다양한 이온빔을 조사하는 방법을 사용하였다. 일반적으로 폴리스타일렌 수지는 통상의 폴리이미드 계열의 수지에 비해서 박막코팅을 하였을 때 보다 우수한 투과율을 나타내므로, 투과형 디스플레이로 사용되는 LCD의 배향막 재료로 더 적합하다고 생각되었다. 특히 고휘도이면서 저전력 사양을 달성하여야 하는 휴대용 디스플레이에서의 응용가능성이 기대되었다. 그러나, 일반적인 러빙법에 의한 배향처리에 대해서는 액정분자의 배향성이 폴리이미드 계열의 재료에 비해서 열등하여 사용되지 못하였다. 본 연구에서는 폴리스타일렌 계열의 박막재료를 배향막으로 가공함에 있어서 새로운 이온빔 조사법에 의한 비접촉식 배향법을 사용하였으며, 배향성과 액정분자의 프리틸트각 특성에 대해서 정량적인 결과를 얻을 수 있었다. 실험에서는 폴리스타일렌 수지에 이온빔의 조사시간을 15초까지 변화시키면서 액정분자의 배향성 및 프리틸트각의 특성을 측정하였다. 측정결과 스마트폰 및 휴대용 정보단말기 등의 디스플레이에 적합한 고투과율 액정표시소자의 구현이 가능하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권2호
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• pp.152-158
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• 2000

상압 소결법(PLS, pressureless sintering) 및 방전가열 소결법(SPS, spark plasma sintering)으로 소결한 {{{{ {ZrB }_{2 } - ZrC }}}} 복합체의 미세구조를 SEM-EBSP 법에 의해 결정기하학적으로 분석하였다. PLS법에 의해 소결된 복합체에서 {{{{ { ZrB}_{2 } }}}}의 (1010) 면은ND(시편에 수직인 방향)로 배향되었고, ZrC 경우 (101) 및 (111)면이 ND방향으로 배향되었다. 한편 SPS법에 위해 소결된 {{{{ { ZrB}_{2 } }}}}의 (0001)A면은 ND방향으로 강하게 배향되었다. ZrC인 경우 (001) 면만이 ND방향으로 배향되었다. PLS법에 의한 소결체의 결정립은 특정방위에 대해 약한 배향을 갖으면서, {{{{ { ZrB}_{2 } }}}}와 ZrC상 계면의 구조적 조화가 우수한 반면, SPS법에 의한 소결체의 결정립들은 특정방향으로 강하게 배향되는 경향을 보인다.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권2호
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• pp.87-90
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• 2008

Co-Pt 합금 박막은 amino-citrate 기반의 전해액에서 Ru(30 nm)/Ta(5 nm)/Si(100)구조의 작업 전극을 사용하여 정전류 전해도금 방법으로 증착 하였다. (0002) 우선 성장된 Ru의 buffer layers를 사용하여 Co-Pt 합금 박막의 결정구조와 우선 성장을 조절하였다. 본 실험에서는 도금액 온도를 변화시킴에 따른 Co-Pt 합금 박막의 자기적 성질과 미세구조에 미치는 영향을 고찰하였다. Co-Pt 합금 박막의 형상과 조성은 FESEM 과 EDS로 확인하였고, XRD로 결정구조를 분석하였다. 자기적 성질은 진동 시료 자력계와 토오크 자력계로 분석하였다. Co-Pt 합금 박막은 박막표면과 수직한 방향에서 열처리 없이 각각 6527 Oe의 높은 보자력과 0.93의 높은 각형비를 나타내었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권5호
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• pp.413-418
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• 2001

황산구리 전해욕에 분산제인 콜리이달 실리카($SiO_2$현탁액)를 첨가시키는 분산도금의 방법을 이용하여 음극에 석출하는 전해 석출물의 결정구조, 표면형상, 결정방향 등의 변화를 검토하였고 내식성, 물리적 특성 또한 조사하였다. 콜로이달 실리카를 분산시킨 구리 전해욕의 석출피막의 특성에 대해서 조사한 결과, 다음과 같은 결론을 얻었다. 전해 석출피막의 결정입자가 미세화 되고, 균일하게 성장됨은 물론, 결정 수가 증가하였으며, 콜로이달 실리카의 분산 효과에 의해서 전해 석출피막의 경도가 대략 16%까지 상승하였다. 또한 콜로이달 실리카를 분산시킨 극리 전착층의 X-선 회절패턴이 (111)면, (200)면과 (311)면이 거의 소멸되어 우선 방위가 (111)에서 (110)면으로 변화되었다. 부식전위의 측면에서도 콜로이달 실리카의 흡착 효과에 의해서 구리 전착층의 전위가 귀하게 이동하는 효과를 얻을 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제51권4호
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• pp.191-196
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• 2018

The self-annealing which leads evolution of microstructure in copper electroplating layers at room temperature occurs after forming deposition layer. During the process, crystal orientation, size and sheet resistance of plating layer change. Lastly, it causes the change of physical and mechanical characteristics such as a tensile strength of plating layer. In this study, the variation of incorporated impurities, microstructure and sheet resistance of copper plating layer formed by electroplating are measured with and without inorganic additives during the self-annealing. In case of absence of inorganic additives, the copper layer presents strong total intensity of incorporated impurities. During the self-annealing, such width of reduction was significant. Moreover, microstructure and crystal size are increased while the tensile strength is decreased noticeably. On the other hand, in the presence of inorganic additives, there is no observable distinction in the copper plating layer. According to the observation on movements of the incorporated impurities in electrodeposition copper layer, within 12 hours the impurities are continuously shifted from inside of the plating layer to its surface after as-deposited electroplating. Within 24 hours, except for the small portion of surface layer, it is considered that most of the microstructure is transformed.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제25권4호
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• pp.529-532
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• 2004

Cesium-133 NMR spectra of a single crystal of tetragonal $Cs^+ (15-crown-5)_2I^-$ were obtained as a function of crystal orientation in an applied magnetic field of 9.40T and analyzed to provide the magnitudes and orientations of the $^{133}Cs$ chemical shift and quadrupolar tensors for two magnetically nonequivalent and symmetry related sites. Chemical shift tensor components and parameters of quadrupolar interactions are obtained as ${\delta}_{11}=46(1),\;{\delta}_{22}=60(1),\;{\delta}_{33}=-30(1)$ ppm, quadrupole coupling constant QCC = 581(1) kHz, and asymmetry parameter ${\eta}$ = 0.481(1), respectively. The nonaxially symmetric NMR parameters imply that the local environment of the cesium nuclei is nonaxially symmetric. The DANTE experiment burned holes in the $^{133}Cs$ NMR line of the title compound. The hole burning of the single crystal and powder $^{133}Cs$ NMR lines showed that the NMR lines are not homogeneously broadened.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.163-163
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• 2015

The effect of nematic liquid crystal(5CB-4-Cyano-4'-pentylbiphenyl) on the amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors(a-IGZO TFTs) was investigated. Through dropping the 5CB on the a-IGZO TFT's channel layer which is deposited by RF-magnetron sputtering, properties of a-IGZO TFTs was dramatically improved. When drain bias was induced, 5CB molecules were oriented by Freedericksz transition generating positive charges to one side of dipoles. From increment of the capacitance by orientation of liquid crystals, the drain current was increased, and we analyzed these phenomena mathematically by using MOSFET model. Transfer characteristic showed improvement such as decreasing of subthreshold slope(SS) value 0.4 to 0.2 and 0.45 to 0.25 at linear region and saturation region, respectively. Furthermore, in positive bias system(PBS), prevention effect for electron trapping by 5CB liquid crystal dipoles was observed, which showing decrease of threshold voltage shift [(${\delta}V$]_TH) when induced +20V for 1~1000sec at the gate electrode.

• 한국결정성장학회지
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• 제14권5호
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• pp.187-192
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• 2004

We try to use isopropanol which has low boiling point to prepare ZnO thin films at low temperature. ZnO thin films were prepared by sol-gel spin-coating method using zinc acetate dehydrate-isopropanol-monoethanolamine (MEA) solution. The c-axis preferred orientation and optical properties of ZnO films with preheating temperature have been investigated. ZnO thin films were preheated at 200 to $300^{\circ}C$ with an interval of $25^{\circ}C$ and post-heated at $650^{\circ}C$. The ZnO film preheated at $275^{\circ}C$ and post-heated at $650^{\circ}C$ was highly oriented along c-axis (002) plane, and the surface with homogeneous and dense microstructures was formed having nano-sized grains. The optical transmittance was above 90 % in the visible range and exhibited absorption edges at 368 nm wavelength.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권7호
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• pp.610-614
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• 2005

In this paper, simple AT-cut crystal resonator utilizing $Bi_{0.5}(Na_{0.84}K_{0.16})_{0.5}TiO_3$ relaxator ceramics as load capacitator were designed and their frequency-temperature characteristics were investigated. In order to modify temperature dependance of dielectric constant, $Bi_{0.5}(Na_{0.84}K_{0.16})_{0.5}TiO_3$ ceramics were manufactured with the variations in Sr substitution. At the composition with $6\;mol\%$ Sr substitution as load capacitator, frequency-temperature characteristics of AT-cut crystal resonators with the series load capacitance were similarly varied as those of cut orientation variation, and also compensated.