Due to the heat confinement in the shallow region of the target for a short time scale, pulsed laser annealing has received an increasing interest for the fabrication of poly-Si thin film transistors(TFTs) on glass as a low cost substrate in the flat panel displays. The formation and growth mechanisms of poly silicon(poly-Si) grains in thin films are investigated using an excimer laser crystallization system. To understand the crystallization mechanism, the grain formations are observed by FESEM photography. The optical reflectance and transmittance during the crystallization process are measured using HeNe laser optics. A two-step ELC(Excimer Laser Crystallization) process is applied to enhance the grain formation uniformity.
Park, Chul jin;Jeong, Haedo;Lee, Sangjik;Kim, Doyeon;Kim, Hyoungjae
Tribology and Lubricants
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제32권2호
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pp.61-66
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2016
Total thickness variation (TTV), BOW, and surface roughness are essential characteristics for high quality sapphire substrates. Many researchers have attempted to increase removal rate by controlling the key process parameters like pressure and velocity owing to the high cost of consumables in sapphire chemical mechanical polishing (CMP). In case of the pressure approach, increased pressure owing to higher deviation of pressure over the wafer leads to significant degradation of the TTV. In this study, the authors focused on reducing TTV under the high-pressure conditions. When the production equipment polishes multiple wafers attached on a carrier, higher loads seem to be concentrated around the leading edge of the head; this occurs because of frictional force generated by the combination of table rotation and the height of the gimbal of the polishing head. We believe the skewed pressure distribution during polishing to be the main reason of within-wafer non-uniformity (WIWNU). The insertion of a hub ring between the polishing head and substrate carrier helped reduce the pressure deviation. Adjusting the location of the hub ring enables tuning of the pressure distribution. The results indicated that the position of the hub ring strongly affected the removal profile, which confirmed that the position of the hub ring changes the pressure distribution. Furthermore, we analyzed the deformation of the head via finite element method (FEM) to verify the pressure non-uniformity over the contact area Based on experiment and FEM results, we determined the optimal position of hub ring for achieving uniform polishing of the substrate.
Roll forming refers to the production of long plate-molded products, such as panels, pipes, tubes, channels, and frames, by continuously causing the bending deformation to thin plates using rotating rolls. As the roll forming method has advantages in terms of mass production because of its excellent productivity, the size of the roll forming industry has been continuously increasing and the roll forming method is increasingly being used in diverse industrial fields as a very important processing method. Furthermore, as the roll forming method mainly depends on the continuous bending deformation of the plate materials, the time and the cost of the heterogeneous materials developed in the process are relatively large when considered from the viewpoint of plastic working because many processes are continuously implemented. The existing studies on roll forming manufacturing have reported the loss of large amounts of time and materials when the raw materials or product types were changed; further, they have stated that the use of this method can hardly guarantee the uniformity of the formed shapes and the consistency in terms of size and cannot detect all the defects occurring during the mass production and related to the dimensions. Therefore, in this research, a real-time process data-based smart roll forming method that can be applied to multiple products was studied. As a result, a roll forming system was implemented that remembers and automatically sets the changes in the finely adjusted values of the supplied quantities of individual heterogeneous materials so that the equipment setting changing time for heterogeneous material replacements or changes in the products being produced can be shortened. It also secures the uniformity of the products so that more competitive and precise slide-rail products can be mass-produced with improvements in the quality, price, and productivity of the products.
Plasma source ion implantation is a new doping technique for the formation of shallow junction with the merits of high dose rate, low-cost and minimal wafer charging damage. In plasma source ion implantation process, the wafer is placed directly in the plasma of the appropriate dopant ions. Negative pulse bias is applied to the wafer, causing the dopant ions to be accelerated toward the wafer and implanted below the surface. In this work, inductively couples plasma was generated by anodized Al antenna that was located inside the vacuum chamber. The outside wall of Al chamber was surrounded by Nd-Fe-B permanent magnets to confine the plasma and to enhance the uniformity. Before implantation, the wafer was pre-sputtered using DC bias of 300B in Ar plasma in order to eliminate the native oxide. After cleaning, B2H6 (5%)/H2 plasma and negative pulse bias of -1kV to 5 kV were used to form shallow p+/n junction at the boron dose of 1$\times$1015 to 5$\times$1016 #/cm2. The as-implanted samples were annealed at 90$0^{\circ}C$, 95$0^{\circ}C$ and 100$0^{\circ}C$during various annealing time with rapid thermal process. After annealing, the sheet resistance and the junction depth were measured with four point probe and secondary ion mass spectroscopy, respectively. The doping uniformity was also investigated. In addition, the electrical characteristics were measured for Schottky diode with a current-voltage meter.
Recently, a great deal of research is focused on the printed electronics. One of their mainly concerned products is printed RFID tag. RFID technology has attracted researchers and enterprises as a promising method for automatic identification, and they are expected to replace conventional bar codes in inventory tracking and management. The key to successful RFID technology lies in developing low-cost RFID tags and the first step in applying printing technology to RFID systems is to replace antennas that are conventionally produced by etching copper or aluminum. However, due to the printing quality variations, errors, and lower conductivity, the performance of the printed RFID antennas is lower than that of antennas manufactured by conventional etching methods. In this paper, the effect of variations in the printing conditions on the antenna performance is investigated. Three levels for each condition parameter is assumed and effect on the resonant frequency are examined experimentally based on orthogonal array. The most serious factor that affects the resonant frequency of the antenna is the non-uniformity of the edge and the resonant frequency is found to be lower as the non-uniformity increases.
노트북, 테블릿 PC 및 스마트폰 등의 휴대 기기를 위한 디스플레이의 전력소모를 낮추기 위해, 주변 밝기에 따라서 디스플레이의 밝기를 조정할 수 있는 광 센서 시스템을 연구하였다. 또한, 휴대 기기의 복잡도와 비용에 크게 영향을 주지 않도록, 광 센서 시스템을 디스플레이 패널에 일체형으로 구현하고자 했으며, 이를 위해서 저온 다결정 실리콘 박막트렌지스터를 이용하여 패널에 광 센서와 신호취득 회로를 집적하고자 했다. 주변 밝기를 감지하는 광 센서의 패널 간 편차를 별도의 공정 설비없이 신뢰성 있게 보정할 수 있도록, 새로운 보정 방식을 제안하였다. 이와 더불어 최종 데이터를 디지털화하기 위한 아날로그-디지털 변환기를 포함한 신호취득 회로를 제안하고 검증하였다. 제안하는 회로는 집적하기에 적합하도록 간단한 구동 신호로 동작되며, 인식 가능한 입력 밝기는 10에서 10,000 lux까지이다. 제안하는 신호취득 회로의 신호취득 주파수는 100Hz이며, 20개의 출력 레벨에 대한 최대 차등 불균일 오차는 0.5 LSB 이하이다.
캐슁 기법은 저장 장치 계층 간의 속도차를 완충시키기 위해 캐쉬 메모리, 페이징 기법, 버퍼링 기법 등으로 널리 연구되어 왔다. 하지만, 최근 웹을 비롯한 다양한 광역 분산 환경의 보편화에 따라 단일 시스템 내의 저장 장치 간에 이루어지는 캐슁 기법 뿐 아니라 타 노드의 객체를 캐슁하는 기법의 중요성이 커지고 있다. 광역 분산 환경에서의 캐슁 기법은 객체의 캐슁에 드는 비용과 캐슁으로 인한 이득이 객체의 근원지 노드의 위치에 따라 이질적이기 때문에 비용 차이를 고려한 캐쉬 교체 알고리즘이 필요하다. 한편, 캐쉬 교체 알고리즘은 온라인 알고리즘으로서 매 시점 교체 대상이 되는 객체를 즉시 선택해야 하기 때문에 알고리즘의 시간 복잡도가 지나치게 높지 않아야 한다. 그러나, 광역 분산 환경에서의 교체 알고리즘에 대한 지금까지의 연구는 객체들의 이질성을 고려하는 문제와 캐쉬 운영의 시간 복잡도 측면 모두에서 만족스러운 결과를 보이지는 못하고 있다. 본 논문은 이러한 점을 극복하여 우수한 성능을 나타내면서 효율적인 구현이 가능한 새로운 교체 알고리즘을 설계하고, 그 우수성을 트레이스 기반 모의 실험을 통해 보여 준다.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.597-600
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2006
The silver gate and source/drain electrodes for an a-Si thin film transistor were fabricated by the selective electroless plating (SELP) process. Relevant physical properties including taper angle, uniformity and resistivity are investigated. The Ag layer was about 150nm to 250nm thick, the resistivity less than $3{\times}10^{-6}$ Ohm-cm and the taper angle 45'-60' and the nonuniformity less than 10% on G2 substrates. The transfer characteristics with the Ag gate, and source/drain electrodes respectively possessed good field effect mobility similar to conventionally fabricated a-Si TFTs. This process provided low resistivity, low cost and ease of processing.
논문에서는 1:10으로 희석된 실리카 슬러리에 산화망간(MnO2) 연마제를 첨가하여 재처리된 혼합연마제 슬러리(Mixed Abrasive Slurry; MAS)의 화학기계적연마(CMP) 특성을 연구하였다. 최적의 연마 성능을 갖는 슬러리를 설계하기 위해서는 높은 연마율, 하부층에 대한 적절한 연마선택비, 연마 후의 낮은 표면결함, 슬러리의 안정성 등을 얻어야 한다. 산화망간이 첨가된 MAS의 연마 성능은 연마율 및 비균일도와 같은 CMP 성능, 입도 분석, 표면 형상에 대해 평가하였다. 실험결과, 높은 연마율과 낮은 비균일도 측면에서 볼 때 원액 실리카 슬러리와 대등한 슬러리 특성을 얻을 수 있었다. 따라서 본 연구에서 제안하는 MnO2-MAS를 사용하면 고가의 소모재인 슬러리를 절약하는데 매우 유용할 것이다.
본 논문에서는 휴대전화용 백라이트 유닛의 광학시트를 줄이면서도 휘도와 휘도균일도 및 시야각을 유지하기 위한 복합 도광판을 설계하고 가공하였다. 복합 도광판의 패턴은 가공성을 고려하여 윗면에는 마이크로 급의 프리즘 패턴을 형성하고 아랫면은 나노 및 마이크로 급의 크기가 다른 두 개의 음각 프리즘 패턴을 형성하였다. 이러한 패턴 형상은 금형 코어를 이용한 사출성형을 통해 복합 도광판의 가공성을 확인하였다. 특히 최적화된 복합 도광판은 프리즘 시트 한 장만을 채용하여 통상적인 백라이트 유닛과 유사한 휘도 4560 cd/$m^2$, 휘도균일도 83%, 수직 시야각 $60^{\circ}$, 수평 시야각 $56^{\circ}$라는 성과를 얻을 수 있었다. 결과적으로 도광판의 윗면과 아랫면에 복합 패턴들을 형성함으로써 기존의 백라이트 유닛에서 확산시트 및 프리즘시트 1장을 제거하여 BLU에 적용될 수 있음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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