Kim, Myoung-Joo;Kim, Kwang-Dae;Dey, Nilay Kumar;Seo, Hyun-Ook;Kim, Dong-Wun;Jeong, Myoung-Geun;Kim, Young-Dok
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.81-81
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2010
Growth of TiO2 films prepared by atomic layer deposition (ALD) was studied on C fiber. Moreover, adsorption and photocatalytic decomposition of methylene blue on TiO2 thin films were studied. Preferential growth of TiO2 on steps of C surfaces could be identified by scanning electron microscopy (SEM). X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) showed thickness-dependent positive core level shift of Ti, which can be interpreted in terms of enhanced final state charging for thicker films. Adsorption and photocatalytic behaviors of TiO2 thin films will be discussed in this poster.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.57-57
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2010
Self assembled $Zn_{x-1}Cd_xS$ nanowires, synthesized on a Indium tin oxide coated glass substrate with low composition of Cd as x=0.09, were fabricated non-precursor via a co-evaporation method using of solid sources of CdS and ZnS. We studies that ZnCdS nanowires are dislocation-free and the single crystalline hexagonal wurtzite structure showed by transmission electron microscopy and selected area electron diffraction pattern. Cathode luminescence spectra showed an near band edge peak at 383nm originated from nanowires at 80K and 300K. Core level spectra of the Cd 3d, Zn 2p and S 2p in the ZnCdS nanorods were obtained by x-ray photoelectron spectroscopy. Prepared ZnCdS nanorods showed different shape with increase of substrate temperature at the growth.
We have studied initial oxidation of the alkali metal(AM)/Si(111) surface using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and reflection high energy electron diffraction(RHEED) at room temperature(RT) and high temperature(HT)(300~50$0^{\circ}C$). The oxidation of the Si(111)7$\times$7 surface was promoted by the adsorption of 1 momolayer(ML) AM, whereas no promotion occurred for submonolayer(<0.5 ML) adsorbed Si(111)7$\times$7 surface at RT. O Is core level spectra were measured with increasing oxygen exposure. It was found that the oxygen adsorbed on the Si(111)7$\times$7-AM surface have two different bond configuration, Si-O and Am-O, respectively. From these results, we discussed the role of AM-O bonding in the promoted oxidation. At HT(300~50$0^{\circ}C$), the AM-adsorbed surface became very inactive with the structural transformation to the 3$\times$1-AM. We present the results of the oxidation of the Si(111)3$\times$1-AM(Na, K, Cs) surface.
We have studied the chemisorption of oxygen at room temperature on Fe layers deposited on Pt(111) substrates by using core-level X-ray photoelectron spectroscopy. It was found that the oxygen atoms are chemisorbed when the thickness of the Fe layers is not larger than 6 monolayers. Upon post-annealing, it was found that part of the chemisorbed atoms are desorbed at a temperature range 600 - 700 K, after which the intermixing between Fe and Pt atoms occurs. The overall trend of this intermixing was very similar to the Fe/Pt(111) surface without oxygen exposure. The remaining oxygen adatoms, the amount of which is about a half of the total, were found to be eventually desorbed from the surface upon post-annealing at 1000 K. The binding energy of this phase was higher than that of the oxygen atoms desorbed at lower temperatures by 1.3 eV.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.204.2-204.2
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2014
Among various metal oxides, ZrO2 is of particular interests and has received widespread attention thanks to its ideal mechanical and chemical stability. As a cheap metal, Ag nanoparticles are also widely used as catalysts in ethylene epoxidation and methanol oxidation. However, the nature of Ag-ZrO2 interfaces is still unknown. In this work, the growth, interfacial interaction and thermal stability of Ag nanoparticles on ZrO2(111) film surfaces were studied by low-energy electron diffraction (LEED), synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SRPES), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The ZrO2(111) films were epitaxially grown on Pt(111). Three-dimensional (3D) growth model of Ag on the ZrO2(111) surface at 300 K was observed with a density of ${\sim}2.0{\times}1012particles/cm2$. The binding energy of Ag 3d shifts to low BE from very low to high Ag coverages by 0.5 eV. The Auger parameters shows the primary contribution to the Ag core level BE shift is final state effect, indicating a very weak interaction between Ag clusters and ZrO2(111) film. Thermal stability experiments demonstrate that Ag particles underwent serious sintering before they desorb from the zirconia film surface. In addition, large Ag particles have stronger ability of inhibiting sintering.
The effects of fast neutron irradiation on the electrical and optical properties of Li (3 at%) doped ZnSnO (ZTO) thin films fabricated using a sol-gel process are investigated. From the results of Li-ZTO TFT characteristics according to change of neutron irradiation time, the saturation mobility is found to increase and threshold voltage values shift to a negative direction from 1,000 s neutron irradiation time. X-ray photoelectron spectroscopy analysis of the O 1s core level shows that the relative area of oxygen vacancies is almost unchanged with different irradiation times. From the results of band alignment, it is confirmed that, due to the increase of electron carrier concentration, the Fermi level (EF) of the sample irradiated for 1,000 s is located at the position closest to the conduction band minimum. The increase in electron concentration is considered by looking at the shallow band edge state under the conduction band edge formed by fast neutron irradiation of more than 1,000 s.
The surface properties of AI(Si, Cu) alloy film after plasma etching using the chemistries of chlorinated and fluorinated gases with varying the etching time have been investigated using X-ray Photoelectron Spectroscopy. Impurities of C, Cl, F and O etc are observed on the etched AI(Si, Cu) films. After 95% etching, aluminum and silicon show metallic states and oxidized (partially chlorinated) states, copper shows Cu metallic states and Cu-Cl$_{x}$(x$_{x}$ (x$_{x}$ (1
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.21
no.1
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pp.13-17
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2014
The direct-patternable $SnO_2$ thin film was successfully fabricated by photochemical metal-organic deposition. The composition and chemical bonding state of $SnO_2$ thin film were analyzed by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) from the surface to the interface with Si substrate. XPS depth profiling analysis allowed the determination of the atomic composition in $SnO_2$ film as a function of depth through the evolution of four elements of C 1s, Si 2p, Sn 3d, and O 1s core level peaks. At the top surface, nearly stoichiometric $SnO_2$ composition (O/Sn ratio is 1.92.) was observed due to surface oxidation but deficiency of oxygen was increased to the interface of patterned $SnO_2/Si$ substrate where the O/Sn ratio was about 1.73~1.75 at the films. This O deficient state of the film may act as an n-type semiconductor and allow $SnO_2$ to be applied as a transparent electrode in optoelectronic applications.
The surface properties after plasma etching of Al(Si, Cu) solutions using the chemistries of chlorinated and fluorinated gases with varying the etching time have been investigated using X-ray Photoelectron Spectroscopy. Impurities of C, Cl, F and O etc are observed on the etched Al(Si, Cu) films. After 95% etching, aluminum and silicon show metallic states and oxized (partially chlorinated) states, copper shows Cu metallic states and Cu-Clx(x$CuCl_x$ (x$CuCl_x$ (1
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.54-54
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2011
The demand for low-friction, wear and corrosion resistant components, which operate under severe conditions, has directed attentions to advanced surface engineering technologies. The Filtered Vacuum Arc Cathode Deposition (FVACD) process has demonstrated atomically smooth surface at relatively high deposition rates over large surface areas. Preparation of Ti-Si-C-N nanocomposite coatings on (100) Si and stainless steel substrates with tetramethylsilane (TMS) gas pressures to optimize the film preparation conditions. Ti-S-C-N coatings were characterized using X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, transmission electron microscopy, nanoindentation, Rockwell C indentation and ball-on-disk wear tests. The XRD results have confirmed phase formation information of TiSiCN coatings, which shows mixing of TiN and TiC structure, corresponding to (111), (200) and (220) planes of TiCN. The chemical composition of the film was investigated by XPS core level spectra. The binding energy of the elements present in the films was estimated using XPS measurements and it shows present of elemental information corresponding to Ti2p, N1s, Si 2p and C1. Film hardness and elastic modulus were measured with a nano-indenter, and film hardness reached 40 GPa. Tribological behaviors of the films were evaluated using a ball-on-disk tribometer, and the films demonstrated properties of low-friction and good wear resistance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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