• 대한전기학회논문지
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• 제44권10호
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• pp.1311-1316
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• 1995

The electrical properties of the Langmuir-Blodgett (LB) films layered with arachidic acid were studied at the room temperature. The sample was formed with 2 different structure ; One was Al/LB/Al and the other was Au/LB/Au. The precise structure of Al/LB/Al was considered as Al/Al$_{2}$O$_{3}$/LB/Al, because the natural oxide layer was formed on surface of lower Al electrode. The electrical conductivity of Al/Al$_{2}$O$_{3}$/LB/Al structure was determined the value of 3.5 * 10$^{-14}$ S/cm from the measurement of current-voltage (I-V) characteristics. The sample with the structure of Au/LB/Au was made to eliminate the influence of oxide layer in the electrical properties of the LB films. The short circuit current was observed in this sample from the I-V characteristics. To verify the reason of short circuit current generation, copper decoration method was employed to the 15 layers of LB films deposited on the Al and Au electrode each. The defects were shown on the films deposited with Au electrode. This results means that the defects on the LB films which layered with the Au electrode were contributed to the short circuit current. Several films (15, 31, 51, 71L) were deposited on the Au electrode and measured the size of defects with the copper decoration method. The size of defects becomes smaller as the film layer was increased. We conclude that the existence of defects affects the short circuit current generation.

• 박물관보존과학
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• 제16권
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• pp.14-31
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• 2015

고령 지산동 고분군 39호분에서 출토된 장식대도(M310)는 손잡이 끝의 둥근 고리 안에 용의 머리를 장식한 환두대도로 금과 은을 활용하여 금장, 은장, 도금, 투조, 조금의 기술로 제작되었다. 장식대도는 손잡이 금구의 변형과 손상, 도신의 결실, 부식 등이 발생하여 보존처리를 진행하였다. 보존처리는 표면 이물질 및 부식물 제거, 재질의 안정화처리, 강화 처리 순으로 진행하였으며 보존처리와 병행하여 유물의 재질 및 제작기법을 조사하였다. 조사 결과 환두 내 용장식은 아말감도금기법으로 표면이 장식되었고 병두금구는 동제지판에 얇은 금판을 덧씌워 장식되었다. 병판은 은제판을 사격자문으로 투조하여 원통형으로 만들었으며 대도의 칼은 외날의 철제이다. 초구금구 역시 동제지판에 얇은 금판을 덧씌워 장식한 것으로 확인되었다.

• 박물관보존과학
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• 제24권
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• pp.1-16
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• 2020

대구 달성 고분군 중 하나인 55호분에서 발견된 부장품 중 삼엽문이자태도의 재보존처리와 제작 기법에 관한 연구이다. 이자태도는 모도가 2점, 자도가 4점이 부착된 이합도이고 출토된 완형으로는 유일하다. 과거 2회의 보존처리가 실시된 기록이 있으며 이번에 균열부 보강제 교체를 위한 재보존처리와 함께 컴퓨터 단층촬영(CT), XRF분석, 실체현미경 관찰을 통해 유물의 재질, 성분, 제작 기법을 조사하였다. 주성분은 구리(Cu)이고 금색 부분에서는 금(Au)과 수은(Hg)이 함께 검출된 것으로 보아 구리에 수은 아말감 금도금을 한 금동으로 추정된다. 제작 기법을 조사한 결과 둥근 삼엽문의 환두부와 병부의 연결은 슴베 부분을 만들어 끼웠고 병판만 금속판으로 제작되어 있는 것을 보아 장식으로서의 기능이 높다고 판단할 수 있다. 상부 자도의 결합 방식은 모도와 같고, 하부 자도는 하나의 금속판을 재단하여 만들었다. 검초는 총 2개의 판을 재단하여 만들었고 상부 자도를 검초에 고정하기 위해 자도 도신부의 아래쪽에 지지대를 넣었으며 하부 자도는 검초 일부를 재단하여 안으로 꽂아 넣었다. 표현된 문양은, 환두부는 삼엽문, 병판은 횡주 연호문, 초구금구와 초미금구는 파상형 점열문, 어미형 초미금구는 점열문을 시문하여 제작되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1988년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.147-150
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• 1988

Since the integration level of VLSI circuits progresses very quickly, a highly reliable thin $SiO_2$ film is required to fabricate a small-geometry MOS device. In the present study we have attempted to eliminate the failure-causing defects that develop in thin oxide films during the oxidation step by performing a long-time preoxidation and postoxidation annealing. The TDDB test and the copper decoration method were used to calculate the oxide defects density of MOS device. The dielectric reliability of high-quality thin oxides have been studied by using the time-zero-dielectric-breakdown (ramp-voltage-stressed I-V) and time-dependent-dielectric -breakdown (Constant-stressed I-V) tests. Failure times against temperature and electric field are examined and acceleration factors are abtained for each parameter. Based on the data obtained, breakdown wearout limitation for thin oxide films is estimated.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1993년도 추계학술대회 논문집
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• pp.112-115
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• 1993

We have studied a property of arachidic acid Langmuir-Blodgett films at room temperature with two different electrodes ; Al/LB/Al and Au/LB/Au. Since a natural oxide layer is formed on top of the Al electrode, the appropriate structure of AL/LB/Al is Al/Al$_2$O$_3$/LB/Al. To obtain a property of Pure LB film, Aua/LB/Au structure was made. In Al/Al$_2$O$_3$/LB/Al structure, a conductivity of 3.7${\times}$10$\^$-14/ S/cm was obtained by using current-voltage(I-V) characteristics. In Au/LB/AU structure, however, I-V curve was not able to be measured because of short current even in 51 layers of the LB film. A status of defects in the film was confirmed by copper decoration method. We have clearly seen a rather big difference of defect in those two above structures.

• 박물관보존과학
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• 제26권
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• pp.119-142
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• 2021

금동은제식리는 무령왕릉에서 출토된 무령왕의 식리로 결실된 부분이 많아 재조사의 필요성이 꾸준히 제기되었다. 이에 과학적인 보존처리 및 분석을 진행하여 제작기법을 연구하였다. 보존처리는 형태 복원 및 편 접합에 중점을 두고 실시하였다. 그 결과, 우측 식리 상연과 뒤축 일부 편을 접합하여, 결합방법 및 발등 결합에 사용된 원두정의 개수를 확인하였다. 성분 분석결과, 외판 등은 순동에 수은 아말감 금도금을 한 것으로 추정되며, 내판은 순은을 사용하였다. 금동은제식리의 주문양은 봉황문, 연화문, 6엽 화문이며, 전체적으로 연화문의 비율이 높다. 각 판의 결합은 영락사, 금동사, 원두정, 사면정을 사용하였다. 내·외판 결합은 영락사를 사용하였는데, 내측판의 중앙과 후면에는 금동사로만 결합하여 장식 기능과 결합 기능을 구분하여 사용한 것으로 추정된다. 또한 제작과정에서 금동제판과 은제판의 외면에는 광쇠질한 흔적이 확인되지만, 은제판의 내면에서는 확인되지 않아 내면보다 외면의 마무리에 중점을 둔 것으로 추정된다.

• 한국화예디자인학연구
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• 제43호
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• pp.123-138
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• 2020

본 연구는 2011~2019년의 9년간 화훼장식 전문 월간지에 나타난 플라워 주얼리 작품을 추출하고, 추출된 플라워 주얼리 작품을 대상으로 표현유형, 표현기법, 사용된 식물재료와 비식물재료의 종류와 수 등을 작품별, 연도별로 분석하여 국내 플라워 주얼리의 트렌드를 알아보고자 실시하였다. 표현유형별로 살펴보면 머리장식의 경우 20.83%, 목걸이의 경우 57.29%, 귀걸이의 경우 5.21%, 리스트의 경우 10.42%, 기타 6.25%로 총 96작품으로 분석되었다(χ²=94.833, p<.001). 표현기법의 사용빈도를 분석한 결과 각 작품당 머리장식, 목걸이, 리스트는 5~6가지의 표현기법, 귀걸이는 2~4가지의 표현기법을 사용하여 제작되었다. 사용된 표현기법은 소재 결합기법 34.43%, 꽃과 잎의 이용기법 30.17%, 시각적 기법 16.63%, 집단화 기법 14.12%, 테크닉 강조기법 4.26%, 기타 0.39%로 나타났다(χ²=455.222, p<.001). 가장 많이 사용된 기법은 프레이밍 기법 16.63%, 노팅기법 16.44% 순으로 나타났다. 플라워 주얼리에 사용된 식물 재료는 절화의 경우 호접란 22.61%, 천일홍 13.48%, 글로리오사 9.57%, 에피덴드럼7.39%, 왁스플라워 6.96%, 골든볼 4.78% 등으로 나타났다(χ²=718.104, p<.001). 절지의 경우 말채나무 70.00%로 가장 많이 사용되었고, 다래덩굴, 노박덩굴, 능수버들이 각각 10.00% 사용되었다(χ²=10.800, p=.013). 절엽의 경우 엽란 24.65%, 아스파라거스 스마일락스 24.62%, 콩란 11.54%, 러브체인 6.15% 등으로 나타났다(χ²=269.385, p<.001). 열매의 경우 청미래덩굴의 열매 44.44%, 하이페리쿰 33.33%, 미국자리공 11.11% 등으로 나타났다(χ²=11.444, p=.022). 플라워 주얼리 제작에 사용된 비식물재료는 2mm 알루미늄와이어 47.34%, 카파와이어 33.73%, 1mm 알루미늄와이어 10.06% 등으로 나타났다(χ²=186.704, p< .001). 와이어 이외에 진주 53.57%, 리본 12.50%, 스팽글과 깃털 4.14% 등의 순으로 나타났다.