• 제목/요약/키워드: Contact Region

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단백질 복합체를 위한 접촉 영역의 3차원 가시화 (Three Dimensional Visualization of Contact Region for a Protein Complex)

  • 강범식;김구진;김유경
    • 정보처리학회논문지:소프트웨어 및 데이터공학
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    • 제2권12호
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    • pp.899-902
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    • 2013
  • 본 논문에서는 두 개의 단백질 분자가 결합하여 복합체를 구성할 때, 두 분자 간의 접촉 영역을 발견하여 3차원 공간에서 가시화하는 방법을 제시한다. 두 분자 간의 접촉 영역은 기하학적인 측면에서 서로 상보성을 보이며, 상보적인 결합의 크기를 나타내기 위한 방법으로 접촉 영역의 면적을 계산하는 방법이 주로 사용되어 왔다. 접촉 영역의 면적을 수치화한 결과와 접촉 영역의 단순 표시는 서로 다른 접촉 영역에 대해 상대적인 결합 강도를 비교하기에는 적합하지만, 접촉 영역이 가진 기하학적인 특성을 분석하기에는 부적합하다. 본 논문에서는 접촉 영역에서 상보성을 표시하기 위해 상대 분자와의 거리 정보를 가시화하는 방법을 제시한다.

단백질 접촉 영역의 기하학적 특성 가시화 (Visualization of Geometric Features in the Contact Region of Proteins)

  • 김구진
    • 정보처리학회논문지:소프트웨어 및 데이터공학
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    • 제8권10호
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    • pp.421-426
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    • 2019
  • 본 논문에서는 단백질 복합체에서 단백질 사이의 접촉 영역이 갖는 기하학적 특징을 가시화하는 방법을 제안한다. 단백질 또는 리간드가 요철이 있는 곡면으로 표현될 때, 두 곡면이 서로 접하면서 교차하지 않는 성질을 형태 상보성이라 한다. 단백질-단백질 또는 단백질-리간드 도킹 연구에서 형태 상보성과 화학적인 성질, 엔트로피 등이 접촉 영역의 발견에 중요한 역할을 한다는 것을 볼 수 있다. 일반적으로 형태 상보성이 높은 영역을 발견한 뒤, 이 영역에 속한 아미노산들의 잔기 극성 및 소수성 등을 이용하여 접촉 영역을 예측한다. 접촉 영역을 예측하기 위한 연구에서는 기존에 알려진 복합체에서 접촉 영역이 갖는 기하학적인 특징을 조사하는 작업이 필요하며, 이를 위해 기하학적인 특징을 가시화하는 작업은 필수적이다. 본 논문에서는 단백질 복합체에서 접촉 영역을 발견하고, 두 개의 단백질 각각의 접촉 면에 속한 근거리의 정점들의 기하학적인 특징을 법선 벡터 및 평균 곡률로써 가시화하는 방법을 제안한다.

원통형 웜기어의 접촉선 해석 (Tooth Durability Evaluation of n Cylindrical Worm Gear by Contact Line Analysis)

  • 천길정;한동철
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제23권7호
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    • pp.1231-1237
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    • 1999
  • Applying the conjugate contact condition, contact lines of a cylindrical worm gear has been calculated. The characteristics of tooth contact were analyzed and the pitting resistance were also assessed. It has been verified that: i) the length of contact is shortest on the 1st tooth of the front region, ii) the contact region is more narrow in the recess side than in the access side, iii) the contact region is more narrow in worm than in worm wheel. Hence, the pitting resistance is weakest in the recess side of the 1st contacting worm tooth.

3차원 소자를 위한 개선된 소오스/드레인 접촉기술

  • 안시현;공대영;박승만;이준신
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.248-248
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    • 2010
  • CMOS 축소화가 32nm node를 넘어서 지속적으로 진행되기 위하여 FinFET, Surround Gate and Tri-Gate와 같은 Fully Depleted 3-Dimensional 소자들이 SCE를 다루기 위해서 많이 제안되어 왔다. 하지만 소자의 축소화를 진행함에 있어서 좁고 균일한 patterning을 형성하는 것과 동시에 낮은 Extension Region과 Contact Region에서의 Series Resistance을 제공하여야 하고 Source/Drain Contact Formation을 확보하여야 한다. 그리고 소자의 축소화가 진행됨으로써 Silicide의 응집현상과 Source/Drain Junction의 누설전류에 대한 허용범위가 점점 엄격해지고 있다. ITRS 2005에 따르면 32nm CMOS에서는 Contact Resistivity가 대략 $2{\times}10-8{\Omega}cm2$이 요구되고 있다. 또한 Three Dimensional 소자에서는 Fin Corner Effect가 Channel Region뿐만 아니라 S/D Region에서도 중대한 영향을 미치게 된다. 따라서 본 논문에서 제시하는 Novel S/D Contact Formation 기술을 이용하여 Self-Aligned Dual/Single Metal Contact을 이루어Patterning에 대한 문제점 해결과 축소화에 따라 증가하는 Contact Resistivity 문제점을 해결책을 제시하고자 한다. 이를 검증하기3D MOSFET제작하고 본 기술을 적용하고 검증한다. 또한 Normal Doping 구조를 가진3D MOSFET뿐만 아니라 SCE를 해결하기 위해서 대안으로 제시되고 있는 SB-MOSFET을 3D 구조로 제작하고, 이 기술을 적용하여 검증한다. 그리고 Silvaco simulation tool을 이용하여 S/D에 Metal이 Contact을 이루는 구조가 Double type과 Triple type에 따라 Contact Resistivity에 미치는 영향을 미리 확인하였고 이를 실험으로 검증하여 소자의 축소화에 따라 대두되는 문제점들의 해결책을 제시하고자 한다.

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응착 완전 접촉 문제에서 접촉면 미끄럼 현상에 관한 고찰 (On the Slipping Phenomenon in Adhesive Complete Contact Problem)

  • 김형규
    • Tribology and Lubricants
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    • 제36권3호
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    • pp.147-152
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    • 2020
  • This paper is within the framework of an adhered complete contact problem wherein the contact between a half plane and sharp edged indenter, both of which are elastic in character, is constituted. The eigensolutions of the contact shear and normal stresses, σrq and σq, respectively, are evaluated via asymptotic analysis. The ratio of σrqqq is investigated and compared with the coefficient of friction, μ, of the contact surface to observe the propensity to slip on the contact surface. Interestingly, there exists a region of |σθθ| ≥ |μ|. Thus, slipping can occur, although the problem is solved under the condition of an adhered contact without slipping. Given that a tribological failure potentially occurs at the slipping region, it is important to determine the size of the slipping region. This aspect is also factored in the paper. A simple example of the adhered contact between two elastically dissimilar squares is considered. Finite element analysis is used to evaluate generalized stress intensity factors. Furthermore, it is repeatedly observed that slipping occurs on the contact surface although the size of it is extremely small compared with that of the contacting squares. Therefore, as a contribution to the field of contact mechanics, this problem must be further explained logically.

A Study on Third Body Abrasion in the Small Clearance Region Adjacent to the Contact Area

  • Kim, Hyung-Kyu;Lee, Young-Ho;Heo, Sung-Pil;Jung, Youn-Ho
    • KSTLE International Journal
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    • 제4권1호
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    • pp.8-13
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    • 2003
  • Abrasion in fretting wear mechanism is studied experimentally with the specimens of two different shapes of spacer grid spring and fuel tubes of a nuclear fuel. Reciprocating sliding wear test has been carried out in the environment of air and water at room temperature. Especially, third body abrasion is referred to for explaining the wear region expansion found during the slip displacement increase with constant normal contact farce. It is found that the expansion behaviour depends on the contact shape. The small clearance between the tube and spring seems to be the preferable region of the wear particle accumulation, which causes third body abrasion of the non-contact area. Even in water environment the third body abrasion occurs apparently. Since the abrasion on the clearance contributes wear volume, the influence of the contact shape on the severity of third body abrasion should be considered to improve the grid spring design in the point of restraining wear damage of a nuclear fuel.

Frictionless contact problem for a layer on an elastic half plane loaded by means of two dissimilar rigid punches

  • Ozsahin, Talat Sukru
    • Structural Engineering and Mechanics
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    • 제25권4호
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    • pp.383-403
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    • 2007
  • The contact problem for an elastic layer resting on an elastic half plane is considered according to the theory of elasticity with integral transformation technique. External loads P and Q are transmitted to the layer by means of two dissimilar rigid flat punches. Widths of punches are different and the thickness of the layer is h. All surfaces are frictionless and it is assumed that the layer is subjected to uniform vertical body force due to effect of gravity. The contact along the interface between elastic layer and half plane will be continuous, if the value of load factor, ${\lambda}$, is less than a critical value, ${\lambda}_{cr}$. However, if tensile tractions are not allowed on the interface, for ${\lambda}$ > ${\lambda}_{cr}$ the layer separates from the interface along a certain finite region. First the continuous contact problem is reduced to singular integral equations and solved numerically using appropriate Gauss-Chebyshev integration formulas. Initial separation loads, ${\lambda}_{cr}$, initial separation points, $x_{cr}$, are determined. Also the required distance between the punches to avoid any separation between the punches and the layer is studied and the limit distance between punches that ends interaction of punches, is investigated. Then discontinuous contact problem is formulated in terms of singular integral equations. The numerical results for initial and end points of the separation region, displacements of the region and the contact stress distribution along the interface between elastic layer and half plane is determined for various dimensionless quantities.

코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도 (Characterization of Reverse Leakage Current Mechanism of Shallow Junction and Extraction of Silicidation Induced Schottky Contact Area for 0.15 ${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS Technology Utilizing Cobalt Silicide)

  • 강근구;장명준;이원창;이희덕
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권10호
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    • pp.25-34
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    • 2002
  • 본 논문에서는 코발트 실리사이드가 형성된 얕은 p+-n과 n+-p 접합의 전류-전압 특성을 분석하여 silicidation에 의해 형성된 Schottky contact 면적을 구하였다. 역방향 바이어스 영역에서는 Poole-Frenkel barrier lowering 효과가 지배적으로 나타나서 Schottky contact 효과를 파악하기가 어려웠다. 그러나 Schottky contact의 형성은 순방향 바이어스 영역에서 n+-p 접합의 전류-전압 (I-V) 동작에 영향을 미치는 것으로 확인되었다. 실리사이드가 형성된 n+-p 다이오드의 누설전류 증가는 실리사이드가 형성될 때 p-substrate또는 depletion area로 코발트가 침투퇴어 Schottky contact을 형성하거나 trap들을 발생시켰기 때문이다. 분석결과 perimeter intensive diode인 경우에는 silicide가 junction area까지 침투하였으며, area intensive junction인 경우에는 silicide가 비록 공핍층이나 p-substrate까지 침투하지는 않았더라도 공핍층 근처까지 침투하여 trap들을 발생시켜 누설전류를 증가시킴을 확인하였다. 반면 p+-n 다이오드의 경우 Schottky contact이발생하지 않았고 따라서 누설전류도 증가하지 않았다. n+-p 다이오드에서 실리사이드에 의해 형성된 Schottky contact 면적은 순방향 바이어스와 역방향 바이어스의 전류 전압특성을 동시에 제시하여 유도할 수 있었고 전체 접합면적의 0.01%보다 작게 분석되었다.

Prevalence of dental implant positioning errors: A cross-sectional study

  • Gabriel, Rizzo;Mayara Colpo, Prado;Lilian, Rigo
    • Imaging Science in Dentistry
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    • 제52권4호
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    • pp.343-350
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    • 2022
  • Purpose: This study evaluated the prevalence of dental implant positioning errors and the most frequently affected oral regions. Materials and Methods: A sample was obtained of CBCT images of 590 dental implants from 230 individuals who underwent diagnosis at a radiology center using cone-beam computed tomography from 2017 to 2020. The following variables were considered: thread exposure, violation of the minimum distance between 2 adjacent implants and between the implant and tooth, and implant contact with anatomical structures. Descriptive data analysis and the Pearson chi-square test(P<0.05) were performed to compare findings according to mouth regions. Results: Most (74.4%) of the 590 implants were poorly positioned, with the posterior region of the maxilla being the region most frequently affected by errors. Among the variables analyzed, the most prevalent was thread exposure (54.7%), followed by implant contact with anatomical structures, violation of the recommended distance between 2 implants and violation of the recommended distance between the implant and teeth. Thread exposure was significantly associated with the anterior region of the mandible (P<0.05). The anterior region of the maxilla was associated with violation of the recommended tooth-implant distance (P<0.05) and the recommended distance between 2 adjacent implants(P<0.05). Implant contact with anatomical structures was significantly more likely to occur in the posterior region of the maxilla (P<0.05). Conclusion: Many implants were poorly positioned in the posterior region of the maxilla. Thread exposure was particularly frequent and was significantly associated with the anterior region of the mandible.

모서리가공에 따른 접촉응력 해석 (Analysis of Contact Tractions influenced by Edge Machining)

  • 김형규;강흥석;윤경호;송기남
    • 대한기계학회:학술대회논문집
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    • 대한기계학회 2001년도 추계학술대회논문집A
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    • pp.389-395
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    • 2001
  • To restrain contact failure, present study investigates the influence of edge machining of an indenter (punch). As for the edge machining, rounding, chamfering, and chamfering and rounding are considered. Contact mechanics is consulted to examine the traction profile and the size of the contact region which are directly influenced by the end profile of the indenter. The effect of rounding size (i.e., radius) in the case of the chamfering and rounding edge-indenter is studied. Shear traction is also evaluated within the regime of partial slip. Size of slip region and its expansion rate due to the increase of shear force are considered to investigate the shape effect of the indenter on contact failure.

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