• 제목/요약/키워드: Conductor-backed CPW (CBCPW)

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Non Leaky Conductor-Backed CPW Based on Thin Film Polyimide on CMOS-grade Silicon for Ku-band Application

  • Lee, Sang-No;Lee, Joon-Ik;Yook, Jong-Gwan;Kim, Yong-Jun
    • KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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    • 제4C권4호
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    • pp.165-169
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    • 2004
  • This paper reports a miniaturized conductor-backed CPW (CBCPW) bandpass filter based on a thin film polyimide layer coated on CMOS-grade silicon. With a 20 ${\mu}{\textrm}{m}$-thick polyimide interface layer and back metallization on the CMOS-grade silicon, the interaction of electromagnetic fields with the lossy silicon substrate has been isolated, and as a result a low-loss and low-dispersive CBCPW line has been obtained. Measured attenuation constant at 20 GHz is below 1.2 ㏈/cm, which is compatible with the CPW on GaAs. In addition, by using the proposed CBCPW geometry, miniaturized BPF for Ku band application is designed and its measured frequency response shows excellent agreement with the predicted value with validating the performances of the proposed CBCPW geometry for RFIC interconnects and filter applications.

밀리미터파 SiP 응용을 위한 기생 공진 모드 억제 (Suppression of Parasitic Resonance Modes for the Millimeter-Wave SiP Applications)

  • 이영철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권9호
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    • pp.883-889
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    • 2006
  • 본 논문에서는 저온 소성 세라믹(Low-Temperature Co-fired Ceramic: LTCC)에 기초한 밀리미터파 RF SiP(System-in-Package) 모듈 응용을 위하여, CBCPW(Conductor Backed CPW) 전송선과 스트립 라인 대역 통과필터(BPF)에서 기생적으로 발생하는 공진 모드들과 40 GHz 전력 증폭기 모듈의 발진 현상을 분석하고 이를 제거하기 위한 방법들을 제안하였다. CBCPW 구조에서의 기생 구형 도파관(RWG) 모드는 비아의 간격을 줄여 공진 주파수를 높게 하여 동작 주파수 내에서 완전히 억제하였다. 스트립 라인 구조에서는 마주 보는 비아 중한 쪽을 제거하여 대각선으로 비아를 배치함으로써 완전히 제거하였다. CBCPW의 마이크로스트립 패치 공진기 모드들을 제거하기 위하여, 갭을 통한 커플링을 감소시키기 위해 갭에 인접하게 비아를 배치하였다. 그 결과 기생 공진 모드들이 완전히 제거되었다. 40 GHz 대역의 능동 증폭기 모듈의 경우, 상호 연결(interconnection)불연속 효과로 발생한 방사에 의한 인한 누설(cross talk)을 억제하기 위해, LTCC 기판 내부에 내장된 DC 전원 배선과 CPW 전송선의 고 격리 구조를 사용하여 발진 현상을 개선하였다.

무선랜 대역용 Ba0.5Sr0.5TiO3 박막을 이용한 가변 대역 통과 여파기 (Tunable Band-pass Filters using Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films for Wireless LAN Application)

  • Kim, Ki-Byoung;Yun, Tae-Soon;Lee, Jong-Chul;Kim, Il-Doo;Lim, Mi-Hwa;Kim, Ho-Gi;Kim, Jong-Heon;Lee, Byungje;Kim, Na-Young
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제13권8호
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    • pp.819-826
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    • 2002
  • 본 논문은 $Ba_{0.5}$Sr$_{0.5}$TiO$_3$(BST) 박막을 이용한 대역 통과 여파기를 설계, 제작한 것으로 마이크로스트립 과 코플래너 웨이브가이드(CPW), CBCPW 전송 선로 구조에서 각 구조의 여파기 특성을 비교하였다. 제작된 여파기는 전압 0V 인가시 각각 6.4 GHz, 6.14 GHz, 6.04 GHz의 중심 주파수와 6 dB, 4.41 dB, 5.41 dB의 삽입 손실이 측정되었으며, 40V 인가시 중심 주파수 6.61 GHz, 6.31 GHz, 6.21 GHz와 삽입 손실 7.33 dB, 5.83 dB, 6.83 dB로 나타났다. 본 논문에서 제작된 각각의 대역 통과 야파기는 가변 범위가 약 3 % - 8 %이며, 무선랜 대역에 응용할 수 있도록 설계 및 제작되었다.다.