• 조명전기설비학회논문지
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• 제22권6호
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• pp.34-43
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• 2008

상태 공간 평균화 모델은 강압형, 승압형 및 승 강압형 DC/DC 컨버터에 적용이 가능하며, 특별한 계산이 필요 없는 높은 정밀도가 증명된 모델이다. 이러한 모델은 전류연속모드(CCM) DC/DC 컨버터에서 확립되었으며, 본 논문에서는 컨버터의 전류연속모드(CCM) 모델로부터 의미 있는 결론을 유도하고자 한다. 본 논문에서는 스위치 평균모델을 이용한 DC/ DC 컨버터의 전류불연속모드(DCM) 모델링 및 임계특성에 관하여 논하였다. 스위치 평균 모델은 전류연속모드(CCM)와 전류불연속모드(DCM) 사이의 DC/DC 컨버터의 경계 조건에 대한 모델로부터 유추할 수 있으며, 시뮬레이션과 실험에 의해서 스위치의 평균 모델의 주파수 응답 특성을 예측할 수 있었다. 본 연구에서는 MOSFET를 사용하여 입력전압 15[V], 출력전압 24[V], 출력전력 24[W]급 시스템을 제작하여 실험하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 춘계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.129-133
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• 2005

This paper discusses DC/DC converter modeling using average model of switch and critical characterist. Average model of switch approach is expended to the modeling of boundary conduction mode DC/DC converters that operate at the boundary between Continuous Conduction Mode(CCM) and Discontinuous Conduction Mode(DCM). Frequency responses predicted by the average model of switch are verified by simulation and experiment.

• Current Applied Physics
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• 제18권12호
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• pp.1492-1495
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• 2018

This paper studies the influence of temperature on electrical resistivity in ${\alpha}-InAs$ thin films between 30 K-2K based on the analysis of Mott VRH model and ES VRH model. The effect of the interactions between electrons at lower temperature must be considered, therefore, ES VRH conduction will dominate mechanism, and the crossover from Mott to ES VRH conduction is observed about 7 K. Based on available experiment data and VRH conduction model, the parameters of VRH conduction are determined. And the calculated values of $T_C$ are consistent with the experimental results. In addition, $R_M/{\xi}$, ${\Delta}_M/kT$, $R_{ES}/{\xi}$ and ${\Delta}_{ES}/kT$ are satisfied with the validity of Mott and ES models. Furthermore, the temperature dependence of resistivity at low temperature obeys a universal scaling law, which well describes the overall temperature range of VRH conduction. However, the values of $T^{\prime}_M$ from the universal function are two order of magnitudes lower than $T_M$ deduced from fitting experiment.

• Structural Engineering and Mechanics
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• 제73권3호
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• pp.287-302
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• 2020

This investigation deals with a size-dependent coupled thermoelasticity analysis based on Green-Naghdi (GN) theory in nano scale using a new modified nonlocal model of heat conduction, which is based on the GN theory and nonlocal Eringen theory of elasticity. In the analysis based on the proposed model, the nonlocality is taken into account in both heat conduction and elasticity. The governing equations including the equations of motion and the energy balance equation are derived using the proposed model in a nano beam resonator. An analytical solution is proposed for the problem using the Laplace transform technique and Talbot technique for inversion to time domain. It is assumed that the nano beam is subjected to sinusoidal thermal shock loading, which is applied on the one of beam ends. The transient behaviors of fields' quantities such as lateral deflection and temperature are studied in detail. Also, the effects of small scale parameter on the dynamic behaviors of lateral deflection and temperature are obtained and assessed for the problem. The proposed GN-based model, analytical solution and data are verified and also compared with reported data obtained from GN coupled thermoelasticity analysis without considering the nonlocality in heat conduction in a nano beam.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권2호
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• pp.152-159
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• 2010

We propose a semi-analytical current conduction model for depletion-mode n-type nanowire field-effect transistors (NWFETs) with top-gate structure. The NWFET model is based on an equivalent circuit consisting of two back-to-back Schottky diodes for the metal-semiconductor (MS) contacts and the intrinsic top-gate NWFET. The intrinsic top-gate NWFET model is derived from the current conduction mechanisms due to bulk charges through the center neutral region as well as of accumulation charges through the surface accumulation region, based on the electrostatic method, and thus it includes all current conduction mechanisms of the NWFET operating at various top-gate bias conditions. Our previously developed Schottky diode model is used for the MS contacts. The newly developed model is integrated into ADS, in which the intrinsic part of the NWFET is developed by utilizing the Symbolically Defined Device (SDD) for an equation-based nonlinear model. The results simulated from the newly developed NWFET model reproduce considerably well the reported experimental results.

• KSTLE International Journal
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• 제7권1호
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• pp.1-4
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• 2006

The electro rheological behavior of the hollow polyaniline pimelate suspension in silicone oil was investigated. Hollow polyaniline pimelate suspension showed a typical ER response (Bingham flow behavior) upon application of an electric field. The shear stress for the suspension exhibited the dependence with a factor equals to 0.84 power on the electric field. The experimental results for the hollow polyaniline pimelate suspension correlated with the conduction models of Tang et al., and this suspension behaved as an ER fluid.

• Tribology and Lubricants
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• 제17권2호
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• pp.124-129
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• 2001

The electrical and rheological behaviors of the cellulose phosphate ester suspension in the silicone oil were investigated. Cellulose phosphate ester suspension showed a typical ER response (Bingham flow behavior) upon application of an electric field. The shear stress for the cellulose phosphate ester suspension exhibited a linear dependence on the volume fraction of particles and a square power of the electric field. On the basis of the experimental results, cellulose phosphate ester suspension correlated with the conduction model of Tang et al, and found to be an ER fluid.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2006년도 춘계종합학술대회
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• pp.861-864
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• 2006

본 연구에서는 분석학적 모델을 이용하여 나노구조 이중게이트 MOSFET의 전도현상을 고찰하고자 한다. 분석학적모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 전류전도에 영향을 미치는 전도메카니즘은 열방사전류와 터널링전류를 사용하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값에 대하여 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터인 게이트길이, 게이트 산화막 두께, 채널두께에 따라 전도중심의 변화와 전도중심이 서브문턱 스윙에 미치는 영향을 고찰하였다. 또한 채널도핑농도에 따른 전도중심의 변화를 고찰함으로써 이중 게이트 MOSFET의 타당한 채널도핑농도를 결정하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.541-546
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• 2008

본 연구에서는 분석학적 모델을 이용하여 나노구조 이중게이트 MOSFET의 전도현상을 고찰하고자 한다. 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 전류전도에 영향을 미치는 전도메카니즘은 열방사전류와 터널링전류를 사용하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값에 대하여 이차원 시뮬레이션 값과 비교하였다. 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터인 게이트길이, 게이트 산화막 두께, 채널두께에 따라 전도중심의 변화와 전도중심이 서브문턱스윙에 미치는 영향을 고찰하였다. 또한 채널 도핑농도에 따른 전도중심의 변화를 고찰함으로써 이중게이트 MOSFET의 타당한 채널도핑농도를 결정하였다.

• 대한의용생체공학회:학술대회논문집
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• 대한의용생체공학회 1997년도 추계학술대회
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• pp.222-227
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• 1997

회귀에 기인하는 부정맥의 발생 기전 분석을 위해 심장 전도 계통의 변경된 Hidden Markov Model을 세우고 모의 실험을 하였다. 먼저, 심근의 탈분극 시간과 전도 속도, 탈분극의 자율성(autonomicity)을 매개 변수로 한 모의 실험을 통해 시간적인 심장 진도와 피에 따른 심전도 결과를 얻었다. 결과는 연속된 심전도 파형과 그 발생 시간이었다. 매개변수는 율동의 속도, 각 파형간의 간격, 이상 파형의 발생 빈도등을 결정한다. 정상 동율격 및 심실상성/심실성 정맥, 심방/심실 조기 박동등을 모의 실험할 수 있는 매개변수의 세트를 구하였다. 다음으로 Hidden Markov Model의 확률적 추정 방법을 응용하여 심전도 결과를 가지고 최적 확률의 심장 전도 경로를 추정하였다. 변경된 추정 방법을 이용하여, 모의 실험한 전도경로와 추정한 경로가 유사함을 확인하였다.