Computer Simulaton of Defect Formation Behaviors of Crystal-Silicon on the Low Energy Arsenic Implantation by Molecular Dynamics (분자동력학적 방법에 의한 저 메너지 As 이온 주입에 따른 Si 기판의 결함 형성 거동에 대한 컴퓨터 모사 실험)
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- Journal of the Korean Society for Heat Treatment
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- v.13 no.4
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- pp.259-264
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- 2000