• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 연구회
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• pp.153-156
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• 2001

In this paper, we present the results of the design and fabrication of the VCO(Voltage controlled Oscillator) using RF circuit simulator GENESYS and electromagnetic field simulator EMpower Frequency range is fabricated VCO is 850 MHz ~ 950 MHz, which is used Colpitts Circuit. the fabricated VCO is consisted of resonator, oscillator and MSL(Microstrip Line) is used in LC tuning circuit.(operated by negative feedback) MSL(Microstrip Line), Varactor(Plastic package), low noise TR(SOT-23), chip inductor(1608), chip capacitor(1005), chip resistance(1005). 1005 type is used for sample fabrication of VCO. In the fabrication process, circuit pattern is screen printed on the alumina substrates of over 99.9% purity. Center frequency of the sample VCO is 850MHz at $V_T$=1.5V, while the simulated value was 1.0GHz at $V_T$=1.5V. Variable frequency range of the sample is 860~950MHz in contrast to the 1068~1100MHz of the simulated values.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제21권4호
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• pp.345-351
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• 2000

본 연구는 심전신호와 부가정보 신호의 다중신호를 주파수분할 다중방식과 주파수변조에 의해 무선전송하기 위함이다. 심전신호는 전극으로부터 유도되고 아날로그 증폭기에 의해 증폭된다. 전극 전착부실, 간호사 호출 및 저전압 배터리 신호의 부가정보 신호는 서로 주파수가 중복되지 않도록 발진되고 주파수분할 다중방식에 의해 합성되어 주파수 변조된다. 주파수 변조된 신호는 콜피츠회로에 의해 발진된 기본 반송파로 주파수 변조되고 체배되어 송신 반송주파수로 변환된다. 수신된 신호는 슈퍼헤테로다인 방식에 의해 중간주파수로 변환되고 쿼드래처 복조기에 의해 주파수 변조된 신호는 복조된다. 펄스카운터와 저역통과필터에 의해 심전신호와 부가정보 신호들은 복조된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권12호
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• pp.2136-2139
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• 2008

카오스 발진기는 광대역의 신호를 발생시킬 수 있으며, 발진기의 출력 신호는 스위치를 사용해서 on/off 하더라도 스펙트럼 특성이 변하지 않는다. 통신시스템에서 카오스 발진기를 이용하면, 송수신기에서 국부발진기, 믹서 등의 사용이 필요없기 때문에 전력 소모도 적고 시스템이 간단해지는 장점이 있다. 본 논문에는 UWB 시스템용 카오스 발진기의 설계, 구현 및 시험 결과가 기술되어 있다. 본 논문에서 제작된 카오스 발진기의 출력은 3.4GHz의 중심주파수에서 500MHz의 채널대역폭에 -8.11dBm의 출력전력을 가지며, -10dB 대역폭은 약 470MHz 이었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제7권4호
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• pp.715-720
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• 2012

본 연구는 1V 미만의 전원 전압에서 저 위상잡음 동작에 적합한 혼성 평형 전압제어 발진기 회로를 제안한다. 제안한 회로의 개별 반 회로에서는 바렉터 통합형 궤환 커패시터를 사용한다. 바렉터 통합형 궤환 커패시터의 사용으로 인해 발진기 탱크회로내의 부성저항이 더욱 증가되며 이는 1V 미만 전원전압에서도 발진기의 안정된 발진시동을 보장한다. 또한, 본 연구에서는 이러한 부성저항의 증가 현상을 이론적으로 해석한다. $0.18{\mu}m$ RF CMOS 기술을 사용한 시뮬레이션 결과는 발진 주파수 4.87GHz의 1MHz 오프셋에서 0.6 V에서 0.9 V 사이의 전원 전압에 걸쳐 -122.4 dBc/Hz에서 -125,5 dBc/Hz까지의 위상잡음을 나타냄을 보여준다.