• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2003년도 하계학술연구발표회 및 한.일 공동심포지엄
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• pp.114-115
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• 2003

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.478-482
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• 1995

The iron-based Metglas 2605S3A amorphous alloy ribbons are annealed at $435^{\circ}C$ for various periods from 5 to 210 min, and the effect of annealing is investigated on the dc magnetic properties of the ribbon. Typical square-type hysteresis loops are observed for the ribbons annealed fo 5 min, indicative of the nearly complete removal of residual stresses which are produced during melt-quenching. As the annealing time increases, the coercivity increases and the shape of hysteresis loops transforms to round type and finally to sheared one at the longest annealing time of 210 min. These results may be explained by the formation of clusters with chemical shortorder and very fine crystallites (at the annealing time of 210 min), and the diffusion-induced stresses during the formation of the clusters. For the samples annealed for 5 min, very good dc properties of the squareness ratio, coercivity and maximum permeability are observed, but, rather unexpectedly, the initial permeability is found to be very low. These results are considered to be due to a simple domain structure consisting of very small number of $^{\circ}$ domains.

• 한국재료학회지
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• 제18권2호
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• pp.61-64
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• 2008

Electrical optical switching and structural transformation of $Ge_{15}Sb_{85}$, $Sb_{65}Se_{35}$ and N2.0 sccm doped $Sb_{83}Si_{17}$ were studied to investigate the phase change characteristics for PRAM application. Sb-based materials were deposited by a RF magnetron co-sputtering system and the phase change characteristics were analyzed using an X-ray diffractometer (XRD), a static tester and a four-point probe. Doping Ge, Se or Si atoms reinforced the amorphous stability of the Sb-based materials, which affected the switching characteristics. The crystallization temperature of the Sb-based materials increased as the concentration of the Ge, Se or Si increased. The minimum time of $Ge_{15}Sb_{85}$, $Sb_{65}Se_{35}$ and N2.0 sccm doped $Sb_{83}Si_{17}$ for crystallization was 120, 50 and 90 ns at 12 mW, respectively. $Sb_{65}Se_{35}$ was crystallized at $170^{\circ}C$. In addition, the difference in the sheet resistances between amorphous and crystalline states was higher than $10^4{\Omega}/{\gamma}$.

• Journal of Magnetics
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• 제15권4호
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• pp.169-172
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• 2010

The coercivity mechanism in permanent magnets was analyzed according to the effects of domain nucleation and domain wall pinning. The coercivity mechanism of a TbCo thin film with high perpendicular magnetic anisotropy was considered in terms of the local inhomogeneity in the thin film. The initial magnetization curves of the TbCo thin films demonstrated domain wall pinning to be the main contributor to the coercivity mechanism than domain nucleation. Based on the coercivity model proposed by Kronmuller et al., the inhomogeneity size acting as a domain wall pinning site was determined. Using the measured values of perpendicular anisotropy constant ($K_u$), saturation magnetization ($M_s$), and coercivity ($H_c$), the inhomogeneity size estimated in a TbCo thin film with high coercivity was approximately 9 nm.

• 센서학회지
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• 제2권1호
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• pp.11-17
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• 1993

비정질 세선의 인장응력에 따른 교류자화과정에서의 최대자기유도 변화를 피측정 물리량으로 하는 가속도 센서에 관하여 연구를 하였다. 진동측정 주파수 범위는 진동감지소자의 질량에 의하여 결정되었으며, 질량이 $1{\times}10^{-3}kg$일 경우 DC에서 700 Hz, $5{\times}10^{-3}kg$일 경우 DC에서 200 Hz로 측정되었다. 가속도 센서의 선형도는 가속도의 범위가 5 g이내일 때 1% 이하였다.

• 한국자기학회지
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• 제5권4호
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• pp.251-260
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• 1995

Co계 비정질 강자성 합금을 1 Oe 이하의 작은 자장 중에서 큐리 온도 이하로 열처리하면 재현성 있는 비대칭 자기이력곡선이 얻을 수 있다는 사실이 보고된 바 있다. 열처 리시 자장의 방향을 (+)라고 하면 (+)에서 (-)에로의 자화반전은 단 한 번의 비가역적 인 Barkhausen jump에 의해서 이루어지며, (-)에서 (+)로의 자화반전은 완만하고 가역 적이다. 이때 이력곡선의 기울기는 시료의 반자장에 의해 결정된다. 이러한 현상을 비 대칭 자화반전이라 한다. 이력곡선의 모양과 재현성은 열처리시 가하는 자장의 크기, 열처리 온도와 시간, 열처리 분위기 등 열처리 조건과 합금의 조성에 따라 크게 바뀐다. 본 연구는 영자왜 조성인 (Fe/sub 0.06/Co/sub 0.94/)/sub 75/Si/sub 10/B/sub 15/ 비 정질 자성 합금을 100 mOe의 자장하에서 열처리할 때 열처리 온도와 시간이 비대칭 자 화반전에 미치는 영향에 대한 것이다. 자화 반전 효과는 비교적 높은 온도에서 짧은 시간에 생성되나 열처리 시간이 길어질수록 안정화된다.

• 한국자기학회지
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• 제5권1호
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• pp.8-14
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• 1995

$Fe_{87}Zr_{7}B_{6}$(at.%)조성의 합금에 Fe에 대해 비고용원소인 Ag를 B와 1.0at.% 치환한 $Fe_{87}Zr_{7}B_{5}Ag_{1}$(at.%) 조성의 비정질리본을 액체급냉법으로 제조하여, 연자 기특성을 조사하였다. 급냉응고된 비정질리본의 연자기특성을 향상시키기 위하여 $300~600^{\circ}C$에서 $50^{\circ}C$ 간격으로 열처리한 후, 비정질리본의 연자기특성 및 미세조직의 변화를 조사하였다. 열처리방 법은 진공분위기에서 무자장중 열처리하여 상온까지 노냉했다. $Fe_{87}Zr_{7}B_{5}Ag_{1}$ 비 정질리본을 $400^{\circ}C$에서 1시간 등온열처리하였 때, 보자력$(H_{c})$ 15 mOe, 초투자율$(\mu_{i})$ 288,000(1kHz, 2mOe) 그리고 철손$(W_{c})$ 50 W/kg(100kHz, 1,000G)이라는 Co계 비정질합금에 필적할 수 있는 대단히 우수한 연자성재료가 개발되었다. 이와 같은 우수한 연자기특성은 Fe 와 비고용원소인 Ag 를 소량 첨가함에 따라 열처리에 의해 2~3 nm 크기의 미세한 Fe-rich cluster 형성에 따른 전기저항의 증가, 자왜의 감소 그리고 자구(domain) 크기의 감소에 기인한다고 생각된다.

• 대한의용생체공학회:학술대회논문집
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• 대한의용생체공학회 1998년도 추계학술대회
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• pp.94-95
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• 1998

We developed a digital x-ray medical imaging system using commercially available amorphous silicon image sensor plate. The image readout could be accomplished within 3.5 sec after radiation exposure and be displayed on a monitor through computer interface. This system needs not the conventional x-ray films and film processors, and also provides digital radiographic images. This system is the fastest digital radiography system developed so far, and expected to replace many of the conventional x-ray film systems or digital radiography systems.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.998-1001
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• 2009

A new flexible TFT backplane structure with improved mechanical reliability is proposed. Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) thin film transistors based on this structure have been fabricated on a polyimide substrate, and the resultant mechanical durability has been evaluated in a cyclic bending test. The panel can withstand 10,000 bending cycles at a bending radius of 5 mm without any noticeable TFT degradation. After 10K bending cycles, the change of threshold voltage, mobility, sub-threshold slope, and gate leakage current were only -0.22V, -0.13$cm^2$/V-s, -0.05V/decade, and $-3.05{\times}10^{-13}A$, respectively.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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• pp.145-148
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• 2007

The authors report on the fabrication of thin film transistors (TFTs) that use amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) channel and have the channel length (L) and width (W) patterned by dry etching. To prevent the plasma damage of active channel, a 100-nm-thckness $SiO_{x}$ by PECVD was adopted as an etch-stopper structure. IGZO TFT (W/L=10/50${\mu}m$) fabricated on glass exhibited the high performance mobility of $35.8\;cm^2/Vs$, a subthreshold gate voltage swing of $0.59V/dec$, and $I_{on/off}$ of $4.9{\times}10^6$. In addition, 4.1” transparent QCIF active-matrix organic light-emitting diode display were successfully fabricated, which was driven by a-IGZO TFTs.