• 제목/요약/키워드: Class AB

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RF 전치왜곡 비대칭 도허티 증폭기 설계 및 제작 (Design and Implementation of RF Predistorted Asymmetric Doherty Power Amplifier)

  • 최영락;장동희;김상희;조경준;김종헌;김남영;이병제;이종철
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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    • pp.182-185
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    • 2002
  • A RE predistorted asymmetric Doherty amplifier for CDMA IS-95 signal has been fabricated using GaAs FETs. The Doherty amplifier used a Class AB main device and a Class C auxiliary device. At 6 ㏈ back-of from Pl ㏈ of 34 ㏈m, PAE of 27% was measured. This Doherty amplifier has higher PAE than Class AB for over 20 dB range of pout power. A RF predistortion linearizer is applied to the Doherty amplifier to improve the IMD cancellation performance. The 3rd order IMD cancellation of 12.2 ㏈ was achieved at output power of 18 ㏈m.

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전력증폭기의 선형성 및 효율 향상에 관한 연구 (A Study on Linearity and Efficiency Enhancement of Power Amplifier)

  • 전중성
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • 제29권6호
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    • pp.618-627
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    • 2005
  • In this paper, we have compared and analyzed the performance of high amplifier using Doherty technique to improve linearity and efficiency of base station and repeater Power amplifier for WCDMA. This Doherty amplifier implements with 3dB branch line coupler and $90^{\circ}C$ transmission line The phase offset line is designed to maintain the high linearity and efficiency at the low efficiency Period of the power amplifier CW 1-tone experimental results at the WCDMA frequency $2.11{\sim}2.17GHz$ shows that Doherty amplifier which achieves power add efficiency(PAE) of 50% at 6dB back off the point from maximum output power 52.3 dBm, obtains higher efficiency of 13.3% than class AB Finding optimum bias Point after adjusted gate voltage, Doherty amplifier shows that $IMD_3$ improves 4dB.

고조파 제어 회로를 이용한 X-대역 전력 증폭기의 효율 개선에 관한 연구 (A Study on Efficiency Improvement of X-Band Power Amplifier Using Harmonic Control Circuit)

  • 김형종;최진주;김동윤;나형기
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권9호
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    • pp.987-994
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    • 2010
  • 본 논문에서는 간단하면서도 효과적인 능동적인 로드 풀(active load-pull) 방법을 제시하고, 고조파의 임피던스 성분을 제어하는 회로를 사용하여, X-대역 전력 증폭기의 효율을 개선시킬 수 있는 방법에 관하여 연구하였다. 제안된 능동적인 로드 풀 시스템은 크게 방향성 결합기와 위상 변위기, 단락 회로, 그리고 전력 증폭기로 구성되어 있으며, 전통적인 능동적인 로드 풀 방법에 비해 반사 계수가 1인 지점까지 임피던스를 쉽게 가져다 놓을 수 있다. 본 논문에서 사용된 소자는 Mitsubishi사의 GaAs FET인 MGF1801이며, 9 GHz의 동작 주파수에서 class-A일 때, 21.65 dBm의 출력 전력과 24.9 %의 드레인 효율을 얻었고, class-AB일 때, 21.46 dBm의 출력 전력과 53.3%의 드레인 효율을 얻었다. 고조파 제어 회로는 실험에 사용된 초고주파 부품의 주파수 대역폭의 한계로 인해, 2차와 3차 항 성분까지만 고려하여 설계하였으며, class-AB에서, 6.4 %의 효율이 증가된 것을 확인하였다.

Class-D 증폭기를 사용한 가진기 시스템의 전기적 잡음 감소 (Electrical Noise Reduction in the Electromagnetic Shaker System using a Class-D Amplifier)

  • 윤을재;김인식;한태균
    • 한국추진공학회지
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    • 제3권4호
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    • pp.12-22
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    • 1999
  • Class-B 증폭기를 사용하는 가진기 시스템의 운용으로 인하여 다른 전자 시스템에 전자파 장해가 나타날 수 있으며, 이런 경우에 사용자가 이 장해를 해결하기 위하여 필요한 대책을 마련하기를 요구하고 있다. 한 가진기 시스템에서는 공통모드 잡음전압의 효과를 줄이기 위하여 Class-D 증폭기에서 차동증폭기가 사용되었고, 다른 가진기 시스템에서는 접지루프를 막기 위하여 변압기가 삽입되었다. 이 방법들은 이전에 발생하였던 불필요한 진동의 감소를 보여주고 있다. 전하증폭기의 변압기가 접지루프를 방지하기 위하여 Class-AB 증폭기를 사용한 가진기 시스템에서 수 년간 사용되었으나, Class-D 증폭기를 사용하는 가진기 시스템에서 이것은 잡음에 민감하였다. 따라서 전하증폭기와 진동 제어분석 시스템 사이의 접지루프를 변압기를 사용하지 않고 해결하였다. 이 방법의 유용성이 실험결과를 통하여 확인되었다.

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마이크로파용 고효율 Doherty 전력증폭기 설계 (A Design of High Efficiency Doherty Power Amplifier for Microwave Applications)

  • 오정균;김동옥
    • 한국항해항만학회지
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    • 제30권5호
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    • pp.351-356
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    • 2006
  • 본 논문에서는 마이크로파 대역의 주파수를 이용해 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기는 MRF 281 LDMOS FET를 사용하여 구현하였고, 도허티 전력 증폭기의 성능을 AB급 증폭기만 있을 때와 비교하였다. 측정결과, 구현한 도허티 전력 증폭기는 P1dB 출력전력이 2.3GHz 주파수에서 33.0dBm을 가진다. 또한, 도허티 증폭기는 주파수 $2.3GHz\sim2.4GHz$에서 이득은 11dB, 입력 반사손실 -17.8dB를 얻었다. 설계된 도허티 증폭기는 AB급 증폭기만 있을 때와 비교해서 평균 PAE는 10% 이상 개선됨을 보였고, 설계된 도허티 증폭기의 최대 PAE는 39%를 갖는다.

마이크로파용 고효율 Doherty 전력 증폭기 설계 (A Design of High Efficiency Doherty Power Amplifier for Microwave applications)

  • 오정균;김동옥
    • 한국항해항만학회:학술대회논문집
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    • 한국항해항만학회 2006년도 춘계학술대회 및 창립 30주년 심포지엄(논문집)
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    • pp.91-96
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    • 2006
  • 본 논문에서는 마이크로파 대역의 주파수를 이용해 고효율 도허티 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 도허티 전력증폭기는 MRF 281 LDMOS FET를 사용하여 구현하였고, 도허티 전력 증폭기의 성능을 AB급 증폭기만 있을 때와 비교하였다. 측정결과, 구현한 도허티 전력 증폭기는 PldB 출력전력이 2.3GHz 주파수에서 33.0dBm을 가진다. 또한, 도허티 증폭기는 주파수 $2.3GHz{\sim}2.4GHz$에서 이득은 11dB, 입력 반사손실-17.8dB를 보인다. 설계된 도허티 증폭기는 AB급 증폭기만 있을 때와 비교해서 평균 PAE는 10% 이상 개선됨을 보였고, 설계된 도허티 증폭기의 최대 PAE는 39%를 갖는다.

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골격적 요소에 따른 교합평면 검사도의 보상적 변화 (Compensatory changes of occlusal plane angles in relation to skeletal factors)

  • 김현숙;김선영;이인성;김상철
    • 대한치과교정학회지
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    • 제34권3호
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    • pp.229-240
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    • 2004
  • 본 연구는 정상교합군과 부정교합군의 교합평면경사도와 부정교합군의 치료 전후의 교합평면 경사도를 비교 분석함으로써 골격관계에 따른 교합평면의 치아 치조성 보상에 대하여 알아보고 교정치료 시 교합평면 설정의 기준을 마련하고자 61명의 정상교합자와 92명의 부정교합자의 치료 전후 측모 두부방사선사진을 분석하여 골격 관계에 따른 교합평면 경사도를 비교하였다. 정상교합군은 전후방적 골격양상에 따라 골격성 I급군, II급군 III급 군으로 나누었으며, 수직적 골격양상에 따라서는 수평군, 정상군, 수직군으로 분류하였다. 각 군의 계측치를 일원 분산분석과 사후검정을 통해 분석하였고 치료전후의 변화는 paired t-test로 유의성 검정을 하였다. 본 연구의 결과는 다음과 같다. 1. 정상교합군과 부정교합군간의 비교에 있어 일정한 값을 보인 계측치는 AB평면에 대한 교합평면 경사도이었다. 2. 치료 후의 AB평면에 대한 교합평면 경사도는 II급 골격관계에서는 증가하는 방향으로, III급 골격관계에서는 감소하는 방향으로 정상교합군의 값에 근접하였다. 3. 정상교합군에서 AB평면에 대한 하악 교합평면 경사도는 I급 골격 관계에서 $91.7^{\circ}$, II급 골격 관계에서 $88.8^{\circ}$, I격 관계에서는 $93.5^{\circ}$이었다.

A 8-bit Variable Gain Single-slope ADC for CMOS Image Sensor

  • 박수양;손상희;정원섭
    • 전기전자학회논문지
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    • 제11권1호통권20호
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    • pp.38-45
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    • 2007
  • A new 8-bit single-slope ADC using analog RAMP generator with digitally controllable dynamic range has been proposed and simulated for column level or per-pixel CMOS image sensor application. The conversion gain of ADC can he controlled easily by using frequency divider with digitally controllable diviber ratio, coarse/fine RAMP with class-AB op-amp, resistor strings, decoder, comparator, and etc. The chip area and power consumption can be decreased by simplified analog circuits and passive components. Proposed frequency divider has been implemented and verified with 0.65um, 2-poly, 2-metal standard CMOS process. And the functional verification has been simulated and accomplished in a 0.35$\mu$m standard CMOS process.

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고주파 신호처리 시스템을 위한 1.5V CMOS 고주파 연산증폭기 (A 1.5V CMOS High Frequency Operational Amplifier for High Frequency Signal Processing Systems.)

  • 박광민;김은성;김두용
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.1117-1120
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    • 2003
  • In this paper, a 1.5V CMOS high frequency operational amplifier for high frequency signal processing systems is presented. For obtaining the high gain and the high unity gain frequency with the 1.5V supply voltage, the op-amp is designed with simple two stages which are consisting of the rail-to-rail differential input stage and the class-AB output stage. The designed op-amp operates with the 1.5V supply voltage, and shows well the push-pull class-AB operation. The simulation results show the DC open loop gain of 77dB and the unity gain frequency of 100MHz for the 1㏁ ┃ 10pF load. When the resistive load R$_1$. is varied from 1㏁ to 1 ㏀, the DC open loop gain decreases by only 4dB.

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Novel Low-Power High-dB Range CMOS Pseudo-Exponential Cells

  • De La Cruz Blas, Carlos A.;Lopez-Martin, Antonio
    • ETRI Journal
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    • 제28권6호
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    • pp.732-738
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    • 2006
  • In this paper, novel CMOS pseudo-exponential circuits operating in a class-AB mode are presented. The pseudo-exponential approximation employed is based on second order equations. Such terms are derived in a straightforward way from the inherent nonlinear currents of class-AB transconductors. The cells are appropriate to be integrated in portable equipment due to their compactness and very low power consumption. Measurement results from a fabricated prototype in a 0.5 ${\mu}m$ technology reveal a range of 45 dB with errors lower than ${\pm}0.5$ dB, a power consumption of 100 ${\mu}W$, and an area of 0.01 $mm^2$.

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