• 한국응용과학기술학회지
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• 제17권3호
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• pp.174-177
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• 2000

The effect of a-sexithiophene(${\alpha}-6T$) layers on the light emitting diode (LED) were studied. The ${\alpha}-6T$ was used for a buffer layer in electroluminescent (EL) devices. Enhanced carrier (hole) injection and improved emission efficiency were observed. Carrier injection characteristics were investigated as a function of ${\alpha}-6T$ later thickness. The efficiency of the electroluminescence was proportional to the thickness of ${\alpha}-6T$ layer. The highest efficiency was observed 600A of ${\alpha}-6T$ later, which was about 1.5 times higher than that of device without ${\alpha}-6T$ later. The device with a-6T showed an operation voltage lowered by 2V. The ${\alpha}-6T$ layer can substitute hole blocking layer, and control charge injection properties.

• 한국생물공학회:학술대회논문집
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• 한국생물공학회 2005년도 생물공학의 동향(XVI)
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• pp.149-149
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• 2005

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제48권5호
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• pp.609-614
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• 2010

본 연구는 주단량체로 2-에틸헥실아크릴레이트(2-EHA), n-부틸아크릴레이트(n-BA), 메틸메타크릴레이트(MMA) 그리고 기능성 단량체로 아크릴산(AAc)을 사용한 유화중합에서 아크릴계 점착제를 합성하기 위한 최적의 합성 조건을 구하고자 한다. 이를 위하여 계면활성제 농도의 영향, 계면활성제 Hydrophilic lipophilic Balance(HLB) 값, 중합개시제의 농도와 완충제가 아크릴계 점착제의 물성에 미치는 영향을 연구하였다. 그 결과 계면활성제는 단량체 사용량에 대하여 3~5 wt%를 사용하였을 때, HLB 값이 12.3일 때 가장 안정한 점착체를 얻을 수 있었으며, 중합 개시제의 농도가 1 wt% 이상 사용하였을 때는 중합 속도는 증가하였으나 안정성이 저하되었다. 완충제로 sodium bicarbonate를 사용할 경우 0.4 wt% 이상 사용하여야 충분한 완충 효과가 있었으며, 단량체의 종류에 따라 약간의 차이는 있으나 완충제의 농도가 0.6~0.8 wt%가 적당하여 4성분계 유화중합에서 최적의 중합 조건을 제시할 수 있었다.

• 공업화학
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• 제10권5호
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• pp.672-676
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• 1999

흡착을 이용한 분리공정에서 가장 기본적인 것은 흡착평형식이다. 본 연구에서는 용출곡선법과 frontal analysis(FA)을 사용하여 용출곡선에서 직접 흡착평형식을 구하였다. 역상 액체 크로마토그래피(RP-HPLC)에서 시료는 5'-GMP이고 buffer로서 sodium phosphate를 물에 첨가하여 이동상으로 사용하였다. 이 실험조건에서는 시료의 양이 증가함에 따라서 체류시간이 감소하고 피크의 앞부분이 매우 경사가 심한 Langmuir 흡착평형식이 되었다. 용출곡선을 이용한 방법을 이용하여 Langmuir 흡착평형식의 매개변수를 최적화하여 구하였고 FA 방법을 이용하여 고정상의 농도를 용출곡선으로부터 측정하고 회귀분석에 의하여 흡착평형식을 측정하였다. FA 방법에 비해서 용출곡선법은 시료의 양이 적게 소모되고 실험 횟수도 1-2번 정도로 간편하였다. 이동상에 포함된 sodium phosphate의 농도에 따라서 Langmuir 흡착평형식의 매개변수에 미치는 영향을 고찰하였다.

• The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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• 제3권1호
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• pp.59-68
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• 1999

Chemically induced hypoxia has been shown to induce a depletion of ATP. Since intracellular free $Mg^{2+}\;([Mg^{2+}]_i)$ appears to be tightly regulated following cellular energy depletion, we hypothesized that the increase in $[Mg^{2+}]_i$ would result in $Mg^{2+}$ extrusion following hormonal stimulation. To determine the relation between $Mg^{2+}$ efflux and cellular energy state in a hypoxic rat heart and isolated myocytes, $[Mg^{2+}]_i,$ ATP and $Mg^{2+}$ content were measured by using mag-fura-2, luciferin-luciferase and atomic absorbance spectrophotometry. $Mg^{2+}$ effluxes were stimulated by norepinephrine (NE) or cAMP analogues, respectively. $Mg^{2+}$ effluxes induced by NE or cAMP were more stimulated in the presence of metabolic inhibitors (MI). Chemical hypoxia with NaCN (2 mM) caused a rapid decrease of cellular ATP within 1 min. Measurement of $[Mg^{2+}]_i$ confirmed that ATP depletion was accompanied by an increase in $[Mg^{2+}]_i.$ No change in $Mg^{2+}$ efflux was observed when cells were incubated with MI. In the presence of MI, the cAMP-induced $Mg^{2+}$ effluxes were inhibited by quinidine, imipramine, and removal of extracellular $Na^+.$ In addition, after several min of perfusion with $Na^+-free$ buffer, a large increase in $Mg^{2+}$ efflux occurred when $Na^+-free$ buffer was switched to 120 mM $Na^+$ containing buffer. A similar $Mg^{2+}$ efflux was observed in myocytes. These effluxes were inhibited by quinidine and imipramine. These results indicate that the activation of $Mg^{2+}$ effluxes by hormonal stimulation is directly dependent on intracellular $Mg^{2+}$ contents and that these $Mg^{2+}$ effluxes appear to occur through the $Na^+-dependent\;Na^+/Mg^{2+}$ exchange system during chemical hypoxia.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권10호
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• pp.1582-1584
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• 2005

• 대한화학회지
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• 제58권5호
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• pp.437-444
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• 2014

변전위법과 전기화학적 임피던스측정법(electrochemical impedence spectroscopy)을 이용하여 borate 완충용액에서 Co-RDE의 전기화학적 부식과 부동화에 대하여 조사하였다. Tafel 기울기, 코발트 회전원판전극의 회전속도, 임피던스 그리고 부식전위와 부식전류의 pH 의존성으로부터 코발트의 부식과 부동화 반응 메커니즘과 환원반응에서의 수소 발생 반응구조를 제안하였다. EIS data로부터 등가회로를 제안하였으며 산화반응의 영역별로 전기화학적 변수들을 측정하였다. 부식전위에서 측정된 Nyquist plot의 induction loop가 낮은 주파수 영역에서 관측되는 것으로 보아 흡착/탈착 현상이 Co의 부식과정에 영향을 미치는 것으로 보인다.

• Corrosion Science and Technology
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• 제5권4호
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• pp.141-148
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• 2006

The chemical composition and the semiconducting properties of the passive films formed on Alloy 690 in various film formation conditions were investigated by XPS, photocurrent measurement, and Mott-Schottky analysis. The XPS and photocurrent spectra showed that the passive films formed on Alloy 690 in pH 8.5 buffer solution at ambient temperature, in air at $400^{\circ}C$, and in PWR condition comprise $Cr_2O_3$, $Cr(OH)_3$, ${\gamma}-Fe_2O_3$, NiO, and $Ni(OH)_2$. The thermally grown oxide in air and the passive film formed at high potential (0.3 $V_{SCE}$) in pH 8.5 buffer solution were highly Cr-enriched, whereas the films formed in PWR condition and that formed at low potential (-0.3 $V_{SCE}$) in pH 8.5 buffer solution showed relatively high Ni content and low Cr content. The Mott-Schottky plots exhibited n-type semiconductivity, inferring that the semiconducting properties of the passive films formed on Alloy 690 in various film formation conditions are dominated by Cr-substituted ${\gamma}-Fe_2O_3$. The donor density, i.e., concentration of oxygen vacancy, was measured to be $1.2{\times}10^{21}{\sim}4.6{\times}10^{21}cm^{-3}$ and lowered with increase in the Cr content in the passive film.

• 대한화학회지
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• 제51권1호
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• pp.14-20
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• 2007

금(Au) 전극 위에 전해 석출한 철족 원소(Fe, Co, Ni)를 전극으로 phthalate 완충 용액에서 철족 원소의 부식과정을 조사하였다. Phthalate 완충용액의 pH의 변화에 대한 부식전위와 부식전류를 측정하여 각 원소(Fe, Co, Ni)전극의 산화반응과 환원반응에 대한 Tafel 기울기를 구하였으며 Tafel 기울기를 포함한 정량적인 전기화학 인자를 측정하여 전극의 산화반응과 환원반응에 대한 반응 메커니즘을 제안하였다. Phthalate 완충 용액에 존재하는 화학 종의 흡착은 철족 원소 전극의 산화반응에 영향을 미치는 것으로 보인다.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제4권2호
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• pp.21-26
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• 2002

Textured CeO2 buffer layers for YBCO coated conductors were deposited on biaxially textured Ni substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The degree of texture of deposited $CeO_2$ films was strong1y dependent on the deposition temperature (Td) and oxygen Partial Pressure(PO2). ($\ell$00) textured $CeO_2$ films were well deposited at T=500~52$0^{\circ}C$. PO2=0.90~3.33 Torr. The surface morphology showed that the films consisted of columnar CeO2 films grown from the Ni substrates. The root mean square roughness of CeO$_2$ films estimated by atomic force microscopy(AFM) increased as the deposition temperature(Td) increa- sed. The growth rate of the $CeO_2$ films deposited at T=52$0^{\circ}C$ and PO2=2.30 Torr was 150~200 nm/min that was much faster than that of other Physical deposition methods.