• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권1호
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• pp.13-17
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• 2013

In this paper, we designed a charge pump circuit using level shifter for LED driver IC. The designed circuit makes the 15 V output voltage from the 5 V input in condition of 50 kHz switching frequency. The prototype chip which include the proposed charge pump circuit and its several internal sub-blocks such as oscillator, level shifter was fabricated using a 0.35 um 20 V BCD process technology. The size of the fabricated prototype chip is 2,350 um ${\times}$ 2,350 um. We examined performances of the fabricated chip and compared its measured results with SPICE simulation data.

• 전기학회논문지
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• 제60권2호
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• pp.320-324
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• 2011

A digital technique is adopted to calibrate the current mismatch of the charge pump (CP) in phase-locked loops. A 2 GHz charge pump PLL (CPPLL) is used to justify the proposed calibration technique. The proposed digital calibration technique is implemented simply using a counter. The proposed calibration technique reduces the calibration time by up to a maximum of 50% compared other with techniques. Also by using a dual-mode CP, good current matching characteristics can be achieved to compensate $0.5{\mu}A$ current mismatch in CP. It was designed in a standard $0.13{\mu}m$ CMOS technology. The maximum calibration time is $33.6{\mu}s$ and the average power is 18.38mW with 1.5V power supply and effective area is $0.1804mm^2$.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2007년도 하계학술대회 논문집
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• pp.381-383
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• 2007

Charge-pump high voltage inverter for Plasma backlight with CIM(Current Injection Method) is proposed in this paper. Adoption of ERC is a new attempt in high voltage inverter so that it is not only energy recovery but also improvement of discharge stability and system unstability which is interrupted by noise. Using a charge-pump technique enables low voltage switches to be usable, the cost can be reduce. CIM is adopted to achieve high speed energy recovery in proposed circuit. Operations of the proposed circuit are analyzed for each mode. The proposed circuit is verified to be applicable on a 32 inch plasma backlight panel by experimental results.

• International Journal of Air-Conditioning and Refrigeration
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• 제16권3호
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• pp.77-82
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• 2008

For heat pumps used in a cold region, it is very important to obtain appropriate heating capacity. Several studies using a variable speed compressor and an additional heater have been performed to enhance heating capacity at low ambient temperatures. However, for outdoor temperature conditions below $-15^{\circ}C$, it is still difficult to obtain enough heating capacity above the rated value. In recent studies, the application of gas injection technique into a two-stage heat pump yielded noticeable heating performance improvement at low temperature conditions. In this study, the heating performance of a two-stage gas injection heat pump with a rated capacity of 3.5 kW was measured and analyzed by varying refrigerant charge amount and EEV opening at the standard heating condition. The heating performance of the two-stage gas injection heat pump was compared with that of a two-stage non-injection heat pump. The heating capacity and COP of the two-stage gas injection heat pump were improved by 2-10% at the optimal charging condition over those of the two-stage non-injection heat pump.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권8호
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• pp.20-26
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• 2001

본 논문에서는 위상획득과정과 동기과정에서의 trade-off를 향상시킨 듀얼 위상 주파수 검출기를 이용하여 차지펌프 PLL을 설계하였다. 제안된 듀얼 위상 주파수 검출기는 상승에지에서 동작하는 POSITIVE 위상 주파수 검출기와 하강에지에서 동작하는 NEGATIVE 위상 주파수 검출기로 구성되어있다. 또한 PLL에 사용된 차지펌프는 전류뺄셈회로를 이용하여 전류 부정합을 감소시켰으며, reference spurs와 전압제어발진기의 변동을 감소시킬수 있도록 구현하였다. 제안된 PLL의 동작특성은 0.25${\mu}m$ CMOS 공종 파라미터를 이용하여 SPICE 시뮬레이션을 통해 검증되었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권6호
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• pp.777-788
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• 2014

This paper presents a wide output range, high power efficiency reconfigurable charge pump for driving touch panels with the high resistances. The charge pump is composed of 4-stages and its configuration automatically changes based on the required output voltage level. In order to keep the power efficiency over the wide output voltage range, internal blocks are automatically activated or deactivated by the clock driver in the reconfigurable charge pump minimizing the switching power loss due to the On and Off operations of MOSFET. In addition, the leakage current paths in each mode are blocked to compensate for the variation of power efficiency with respect to the wide output voltage range. This chip is fabricated using $0.18{\mu}m$ BCD process with high power MOSFET options, and the die area is $1870{\mu}m{\times}1430{\mu}m$. The power consumption of the charge pump itself is 79.13 mW when the output power is 415.45 mW at the high voltage mode, while it is 20.097 mW when the output power is 89.903 mW at the low voltage mode. The measured maximum power efficiency is 84.01 %, when the output voltage is from 7.43 V to 12.23 V.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권3호
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• pp.331-338
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• 2014

A charge-pump circuit using a current-bypass technique, which suppresses charge sharing and reduces the sub-threshold currents, helps to decrease phase-locked loop (PLL) jitter without resorting to a feedback amplifier. The PLL shows no stability issues and no power-up problems, which may occur when a feedback amplifier is used. The PLL is implemented in 0.11-${\mu}m$ CMOS technology to achieve 0.856-ps RMS and 8.75-ps peak-to-peak jitter, which is almost independent of ambient temperature while consuming 4 mW from a 1.2-V supply.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권7호
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• pp.1266-1274
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• 2006

본 논문에서는 TFT-LCD 구동 IC 모듈의 소형화측면에서 유리한 DC-DC 변환기 회로인 펌핑 커패시터 내장형 비중첩 부스트-클락 전하펌프 (Non-overlap Boosted-Clock Charge Pump: NBCCP) 회로가 제안되었다 .2VDC 전압으로 스윙하는 비중첩 부스트-클럭의 사용으로 기존의 펌핑 커패시터 내장형 크로스-커플드 전하펌프에 비해 펌핑 단의 수를 반으로 줄일 수 있었고, 전하 펌핑 노드의 펌핑된 전하가 입력 단으로 역류되는 현상을 방지하였다 . 그 결과 제안된 펌핑 커패시터 내장형 비중첩 부스트-클럭 전하펌프 회로는 기존의 펌핑 커패시터 내장형 크로스-커플드 전하펌프에 비해 펌핑 전류가 증가하였고, 레이아웃 면적은 감소되었다. 제안된 TFT-LCD 구동 IC용 DC-DC 변환기 회로를 $0.18{\mu}m$ Triple-Well CMOS 공정을 사용하여 설계하고, 테스트 칩을 제작 중에 있다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제11권10호
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• pp.1899-1909
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• 2007

본 논문에서는 TFT-LCD 구동 IC 모듈의 소형화 측면에서 유리한 DC-DC 변환기 회로인 펌핑 커패시터 내장형 크로스-커플드 전하펌프(Cross-Coupled Charge Pump with Internal Pumping Capacitor) 회로가 새롭게 제안되었다. VGH 및 VGL 전하펌프 각각의 입력단과 전하 펌핑 노드를 연결하는 NMOS 및 PMOS 다이오드를 두어, 초기 동작 시 전하 펌핑 노드를 서로 같은 값으로 프리차지하여 대칭 적으로 전하 펌핑을 하도록 하였다. 그리고 첫 번째 전하 펌프의 구조를 다르게 설계하여 펌핑된 전하가 입력단으로 역류되는 현상을 방지하였다. 또한, 펌핑 클럭 구동 드라이버의 위치를 펌핑 커패시터 바로 앞에 두어 기생 저항으로 인한 펌핑 클럭 라인의 전압강하를 방지하여 구동능력을 향상 시켰다. 마지막으로 내장형 펌핑 커패시터를 Stack-MIM 커패시터를 사용하여 기존의 크로스-커플드 전하펌프 보다 레이아웃 면적을 최소화하였다. 제안된 TFT-LCD 구동 IC 용 전하펌프 회로를 $0.13{\mu}m$ Triple-Well DDI 공정을 사용하여 설계하고, 테스트 칩을 제작하여 검증하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.696-698
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• 2012

본 논문에서는 기존의 Dickson's charge pump에 개선된 배전압 회로를 조합하여 구성된 새로운 전압증배기 회로를 소개한다. 기존의 charge pump로 얻어진 전압을 승압에 다시 사용하는 구조로 배전압기를 응용하여 전압증배를 가속화 하면서도 DMOS의 구조적 신뢰성을 저하하지 않도록 회로 구조를 제안하였다. 제안된 6단 전압증배기는 3V 전원으로 약 33V의 출력을 내며 6단 이상의 구성으로 고전압 증배도 가능하다. 제안된 회로의 성능을 평가하기 위해 Magna DMOS 공정을 이용하여 시뮬레이션 하였으며 이론적인 증배와 일치함을 보였여 최소한의 소자 사용으로 고전압 전압증배가 가능한 새로운 전압증배기를 제시하였다.