• 제목/요약/키워드: Charge Profile

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리튬 이온 배터리의 충전 상태 추정을 위한 LSTM 네트워크 학습 방법 비교 (Comparison of Learning Techniques of LSTM Network for State of Charge Estimation in Lithium-Ion Batteries)

  • 홍선리;강모세;김건우;정학근;백종복;김종훈
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.1328-1336
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    • 2019
  • 안전하고 최적의 배터리 성능을 유지하기 위해 정확한 충전상태(SOC) 추정 기술이 필수적이다. 본 논문에서는 기존의 전류적산 방법이 가지고 있는 문제를 해결하기 위해 시간 종속성을 가지는 인공지능 기반의 LSTM을 이용한 SOC 추정 방법을 적용하였다. 훈련과 검증에 필요한 데이터는 전기적 실험을 통해 일정 크기로 방전된 전류, 전압, 온도를 수집하였고 학습을 위한 입력데이터의 질을 향상시키기 위해 데이터 전처리를 수행하였다. 또한, LSTM 모델의 구조 및 하이퍼파라미터 설정에 따른 학습 능력과 SOC 추정 성능을 비교하였다. 학습한 모델은 UDDS 프로파일을 통해 검증하였으며, RMSE 0.82%, MAX 2.54%의 추정 정확도를 달성하였다.

안동화강암의 풍화단면에서 산출되는 산화흑운모 (Oxidized Biotite in the Weathering Profile of Andong Cranite)

  • 정기영;김혜빈
    • 한국광물학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.183-194
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    • 2002
  • 안동화강암에 발달한 풍화단면에서 발견되는 흑운모 및 그 풍화산물을 대상으로 X-선회절분석, 화학분석, 전자현미경 관찰 등의 광물학적 분석을 실시하였다. 그 결과, 이 지역의 흑운모는 풍화과정에서 별개의 질석이나 흑운모-질석 규칙혼합층 구조로 변질되지 않고 10$\AA$의 회절선을 보이는 산화흑운모로 풍화되었다. Fe의 산화로 발생하는 과잉 양전하는 사면체 자리의 양이온 점유율의 변화는 없이 팔면체자리로부터 16%의 Fe와 12%의 Mg, 그리고 층간에서 13%의 K가 제거되는 방식으로 해소되었다. 동시에 흑운모의 5%는 산화흑운모와 불규칙혼합층을 이루는 질석으로 변환되었다. 흑운모 풍화초기에 Fe의 산화로 야기된 약간의 화학조성 및 구조적 변화의 결과로 생성된 산화흑운모는 대부분의 풍화 구간에서 더 이상 질석으로 풍화되지 않고 안정한 상태를 유지하다가 상부에서 부분적으로 캐올리나이트로 분해된다. 흑운모가 풍부한 기반암의 지표환경에서 원소거동을 이해하기 위해서는 신선한 흑운모가 아닌 풍화저항도가 매우 큰 산화흑운모에 대한 생성원인과 용해실험이 요청된다.

인공신경망을 이용한 플러그인 하이브리드 차량의 동력분배제어전략 개발 (Development of Power Distribution Control Strategy for Plug-in Hybrid Electric Vehicle using Neural Network)

  • 심규현;이수지;이지석;남궁철;한관수;황성호
    • 드라이브 ㆍ 컨트롤
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    • 제12권3호
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    • pp.18-24
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    • 2015
  • The plug-in hybrid electric vehicle has a high fuel economy and can be driven long distances. Its different modes include the electric vehicle, hybrid electric vehicle, and only engine operating mode. A power management strategy is important to determine which mode should be selected. The strategy makes the vehicle more efficient using appropriate power sources for driving. However, the strategy usually needs a driving speed profile which is future driving cycle. If the profile is known, the strategy easily determines which mode is driven efficiently. However, it is difficult to estimate the speed profile for a real system. To address this problem, this paper proposes a new power distribution strategy using a neural network. The average speed and driving range are used as input parameters to train the neural network system. The strategy determines a limit for the use of the battery and the desired power is distributed between the engine and the motor simultaneously. Its fuel economy can increase by improving the basic strategy.

XML 기반의 에너지 저장용 프로파일 어댑터 분석 및 설계 (Analysis and Design of Profiling Adaptor for XML based Energy Storage System)

  • 우용제;박재홍;강민구;권기원
    • 인터넷정보학회논문지
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    • 제16권5호
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    • pp.29-38
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    • 2015
  • 에너지 저장장치(Energy Storage System)은 전력 수요가 적을 때 전력을 저장해 두었다가 수요가 발생하거나 비상시 저장된 전력을 사용함으로 전기 에너지를 저장하여 필요할 때 사용 가능함으로써 에너지 이용 효율 향상, 전력공급 시스템 안정화 및 신재생 에너지 활용도 향상 효과를 가지는 시스템이다. 최근 세계적으로 에너지의 효율적인 소비에 대한 관심이 증대되면서 전력의 안정적인 공급을 원하는 수요자와 전력 수요 평준화를 원하는 공급자의 요구를 충족시켜줄 수 있는 에너지 저장장치의 필요성이 증대되고 있다. 현재 에너지 저장장치를 구성하는 Power Conditioning System(PCS), Battery Management System(BMS), 배터리 셀은 제조사별로 상이한 규격을 가진다. 이로 인해 각 핵심 부품 간 인터페이스가 규격화되어 있지 않아, 에너지 저장장치의 구성 및 운영에 난점으로 작용하고 있다. 본 논문에서는 제조사별로 상이한 특징을 가지는 부품들의 설정과 효율적 운영에 필요한 정보를 수용하여 에너지 저장장치를 구성할 수 있는 XML 기반의 에너지 시스템 전용 프로파일 시스템의 설계와 분석방안을 제안한다. 제조사별 PCS, BMS, 배터리 셀과 그 외의 주변 기기들의 설정 정보 및 운영 정보를 분석하여 프로파일 규격을 정의하고, 에너지 저장장치에 적용할 수 있는 프로파일 어댑터 소프트웨어를 설계 및 구현한다. 프로파일 어댑터를 통해 생성된 프로파일은 설정 프로파일과 운영 프로파일로 구성되며, 추후 확장성을 고려하여 표준 XML의 규격을 따른다. 구현된 프로파일 시스템의 검증은 에너지 저장장치 시스템에 적용되어 기본적인 충 방전 동작을 통해 정상 동작 결과를 제안한다.

SMC 압축성형공정에서의 열변형에 관한 유한요소해석 (Finite Element Analysis of Thermally-Induced Deformation in SMC Compression Molding)

  • 이재형;이응식;윤성기
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제21권1호
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    • pp.154-163
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    • 1997
  • Thermally-induced deformation in SMC(Sheet Molding Compound) products is analyzed using three dimensional finite element method. Planar fiber orientation, which causes the anisotropic material properties, is calculated through the flow analysis during the compression stage of the mold. Also curing process is analyzed to predict temperature profile which has significant effects on warpage of SMC products. Through the developed procedure, effects of various process conditions such as charge location, mold temperature, fiber contents, and fiber orientations on deformation of final products are studied. and processing strategies are proposed to reduce the warpage and the shrinkage.

태양대기모델 계산법 (CALCULATION METHODS OF SOLAR ATMOSPHERIC MODEL)

  • 김갑성
    • 천문학논총
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    • 제15권spc2호
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    • pp.65-71
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    • 2000
  • We have investigated the numerical methods to calculate model atmosphere for the analysis of spectral lines emitted from the sun and stars. Basic equations used in our calculations are radiative transfer, statistical equilibrium and charge-particle conservations. Transfer equation has been solved to get emitting spectral line profile as an initial value problem using Adams-Bashforth-Moulton method with accuracy as high as 12th order. And we have calculated above non linear differential equations simultaneously as a boundary value problem by finite difference method of 3 points approximation through Feautrier elimination scheme. It is found that all computing programs coded by above numerical methods work successfully for our model atmosphere.

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N-Type Carbon-Nanotube MOSFET Device Profile Optimization for Very Large Scale Integration

  • Sun, Yanan;Kursun, Volkan
    • Transactions on Electrical and Electronic Materials
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    • 제12권2호
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    • pp.43-50
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    • 2011
  • Carbon-nanotube metal oxide semiconductor field effect transistor (CN-MOSFET) is a promising future device candidate. The electrical characteristics of 16 nm N-type CN-MOSFETs are explored in this paper. The optimum N-type CN-MOSFET device profiles with different number of tubes are identified for achieving the highest on-state to off-state current ratio ($I_{on}/I_{off}$). The influence of substrate voltage on device performance is also investigated in this paper. Tradeoffs between subthreshold leakage current and overall switch quality are evaluated with different substrate bias voltages. Technology development guidelines for achieving high-speed, low-leakage, area efficient, and manufacturable carbon nanotube integrated circuits are provided.

구조에 따른 상변화 소자의 전자장 및 열 해석 (Electromagnetic and Thermal Analysis of Phase Change Device with Structure Charge)

  • 임영진;장낙원;이성환;이동영
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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    • pp.37-39
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    • 2006
  • 본 연구에서는 상변화소자의 구조 변화에 따른 열전달 현상과 reset 전류에 대한 시뮬레이션을 실행하였다. 상변화소자의 상변화재료의 profile에 따른 주울열의 발생 및 reset 전류의 변화량을 시뮬레이션 한 결과, 하부전극에서부터 도포되는 상변화재료 박막의 두께가 2000[A]인 경우는 541($^{\circ}C$)로 현저하게 발열온도가 낮아지는 것을 알 수 있다. 이는 저항체로 쓰이는 상변화재료의 저항 감소로 인해 발열량이 적게 되고 상변화재료를 통해 전달된 열이 상부전극 텅스텐과 접촉하면서 외부로 쉽게 전달되면서 빠져나감에 따라 온도가 많이 올라가지 않는 것으로 생각된다.

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Development of Low Cost, High-Performance Miniaturized Lithium-ion Battery Tester Using Raspberry Pi Zero

  • La, Phuong-Ha;Im, Hwi-Yeol;Choi, Sung-Jin
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 2017년도 추계학술대회
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    • pp.47-48
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    • 2017
  • This paper presents a low-cost portable lithium battery parameter measuring and estimating the solution. In this method, lithium battery characteristics are monitored during discharging and charging cycles. The battery profile is analyzed, and its key parameters are estimated by GNU Octave running on Raspberry Pi Zero, a mini computer. The proposed method can measure and estimate the battery parameters for SOC and DOD estimation with reasonable accuracy as well as portability features.

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비휘발성 SNOSFET 기억소자의 동작특성에 관한 전산모사 (Computer Simulation on Operating Characteristics of Nonvolatile SNOSFET Memory Devices)

  • 김주연;이상배;이영희;서광열
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.14-17
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    • 1992
  • To analyze Nonvolatile SNOSFET(polySilicon-Nitride-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) memory device, two dimensional numerical computer simulation program was developed. The equation discretization was performed by the Finite difference method and the solution was derived by the Iteration method. The doping profile of n-channel device which was fabricated by 1Mbit CMOS process was observed. The electrical potential and the carrier concentration distribution to applied bias condition were observed in the inner of a device. As a result of the write and the erase to memory charge quantity, the threshold voltage shift is expected. Therefore, without device fabrication, the operating characteristics of the device was observed under various the processing and the operating condition.

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