• Journal of Electrical Engineering and information Science
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• 제3권2호
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• pp.261-266
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• 1998

This paper describes the fabrication and characterization of dual-polysilicon gated surface channel 0.1$\mu\textrm{m}$ CMOSFETs using BF2 and arsenic as channel dopants. We have used and LDD structure and 40${\AA}$ gate oxide as an insulator. To suppress short channel effects down to 0.1$\mu\textrm{m}$ channel length, shallow source/drain extensions implemented by low energy implantation and SSR(Super Steep Retrograde) channel structure were used. The threshold voltages of fabricated CMOSFETs are 0.6V. The maximum transconductance of nMOSFET is 315${\mu}$S/$\mu\textrm{m}$, and that of pMOSFET is 156 ${\mu}$S/$\mu\textrm{m}$. The drain saturation current of 418 ${\mu}$A/$\mu\textrm{m}$, 187${\mu}$A/$\mu\textrm{m}$ are obtained. Subthreshold swing is 85mV/dec and 88mV/dec, respectively. DIBL(Drain Induced Barrier Lowering) is below 100mV. In the device with 2000${\AA}$ thick gate polysilicon, depletion in polysilicon near the gate oxide results in an increase of equivalent gate oxide thickness and degradation of device characteristics. The gate delay time is measured to be 336psec at operation voltage of 2V.

• 한국추진공학회지
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• 제9권4호
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• pp.39-47
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• 2005

재생냉각형 액체로켓 연소기 챔버 냉각 채널부의 상온상태의 구조해석과 검증시험을 수행하였다. 재생냉각 연소기 냉각 채널부에 사용하는 구리 합금의 상온 인장시험을 수행하여 재료의 탄소성 물성 값을 확보하였으며 냉각 채널의 탄-소성해석은 이 물성 값을 이용하여 수행하였다. 해석결과의 검증을 위해서 평판형태의 냉각채널 시편을 제작하여 강도시험을 수행하였다. 탄-소성 구조해석 결과와 시편의 수압시험 결과 사이에 약간의 차이는 있지만 비교적 잘 일치하였으며 채널의 단면 두께가 작기 때문에 제작상의 가공오차가 채널의 구조적인 안정성에 큰 영향을 미치는 것을 확인하였다.

• 전자공학회논문지T
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• 제36T권2호
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• pp.8-13
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• 1999

본 논문은 MOSFET에서 2차원적 전위분포가 채널방향을 따라 준-선형적으로 변한다는 GCA(Gradual Channel Approximation)를 진성영역에서 수직 공핍층 폭이 준-선형적으로 변한다는 가정으로 대치하여 단채널 MOSFET에서도 적용 가능한 문턱전압의 해석적 모형을 제안하였다. 제안된 문턱전압 표현식은 유효 채널길이, 드레인전압, 기판(substrate) 바이어스 전압, 기판 도핑농도, oxide 두께 등에 대한 의존성을 통합적으로 나타내었으며, 계산된 결과는 BSIM3v3의 결과와 유사한 경향을 보이고 있다.

• 한국표면공학회지
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• 제40권3호
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• pp.149-158
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• 2007

Of all components of MCFC(molten carbonate fuel cell), corrosion of separator is one of the most decisive factor for commercializing of MCFC. In order to provide better understanding of corrosion behavior and morphology for gas channel of separator plate, post-analysis after cell operation for 1200 hours at $650^{\circ}C$ was performed by optical microscope, SEM and EPMA. Intergranular corrosion was observed on gas channel of separator plate. Corrosion product layer was identified as Fe-oxide, Cr-oxide and Ni-oxide by EPMA, and oxide thickness was measured with a $60{\mu}m-150{\mu}m$. Also, gas channel of separator was damaged by severe intergrannular attack with post analysis in consistent with immersion test. Moreover, pitting on the channel plate was observed with a depth of $18{\sim}24{\mu}m$. The results of immersion method are well agreement with post analysis measurements.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.5-5
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• 2009

Thin-film-transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention because of the great potential for transparent and flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited due to low field-effect mobility and rapid degradation after exposing to air. Alternative approach is the use of amorphous oxide semiconductors as a channel. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) based TFTs showed the fast technological development, because AOS films can be fabricated at room temperature and exhibit the possibility in application like flexible display, electronic paper, and larges solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO has lots of advantages because it has high channel mobility, uniform surface roughness and good transparency. [1] The high mobility is attributed to the overlap of spherical s-orbital of the heavy post-transition metal cations. This study demonstrated the effect of the variation in channel thickness from 30nm to 200nm on the TFT device performance. When the thickness was increased, turn-on voltage and subthreshold swing was decreased. The a-IGZO channels and source/drain metals were deposited with shadow mask. The a-IGZO channel layer was deposited on $SiO_2$/p-Si substrates by RF magnetron sputtering, where RF power is 150W. And working pressure is 3m Torr, at $O_2/Ar$ (2/28 sccm) atmosphere. The electrodes were formed with electron-beam evaporated Ti (30 nm) and Au (70 nm) bilayer. Finally, Al (150nm) as a gate metal was thermal-evaporated. TFT devices were heat-treated in a furnace at 250 $^{\circ}C$ and nitrogen atmosphere for 1hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station. The TFT with channel thickness of 150nm exhibits a good subthreshold swing (SS) of 0.72 V/decade and on-off ratio of $1{\times}10^8$. The field effect mobility and threshold voltage were evaluated as 7.2 and 8 V, respectively.

• 대한기계학회논문집
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• 제10권1호
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• pp.86-95
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• 1986

본 연구에서는 폭이 일정한 급경사 개수노상(0.15mW*1.6mL)을 상온의 물이 유동할 때 유동율과 수로 급경사에 따른 명입치에서의 유동깊이 변화를 실측을 통하여 밝히고 이념치와 비교하였다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권4호
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• pp.86-92
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• 1999

SiGe을 이용한 p형 전계 효과 트랜지스터의 전류 구동 능력 향상을 위하여 이중 δ도핑층을 이용한 MESFET을 설계하고 시뮬레이션을 통하여 전기적 특성의 개선을 확인하였다. 두 δ도핑층 사이의 도핑 농도가 낮은 분리층에 SiGe층을 위치시키면 양자 우물이 형성되어 δ도핑층에서 넘쳐 나온 정공이 Si 채널의 경우보다 더 많아져 전류 구동 능력이 크게 향상된다. δ도핑층 사이의 SiGe층의 두께는 0∼300Å, Ge 구성비는 0∼30%의 범위에서 변화시켜 SiGe 두께 200Å, Ge 구성비 30%일 때 이중 δ도핑 Si 채널 MESFET에 비해 최대 45% 이상 개선될 수 있음을 확인하였다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제24권12호
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• pp.1635-1643
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• 2000

The present work investigates a heat transfer phenomenon at the interface between a porous medium and an impermeable wall. In an effort to appropriately describe the heat transfer phenomenon at the interface, the heat transfer at the interface between the microchannel heat sink, which is an ideally organized porous medium, and the finite-thickness substrate is examined. From the examination, it is clarified that the he heat flux distribution at the interface is not uniform for the impermeable wall with finite thickness. On the other hand, the first approach, based on the energy balance for the representative elementary volume in the porous medium, is physically reason able. When the first approach is applied to the thermal boundary condition, and additional boundary condition based on the local thermal equilibrium assumption at the interface is used. This additional boundary condition is applicable except for the very th in impermeable wall. Hence, for practical situations, the first approach in combination with the local thermal equilibrium assumption at the interface is suggested as an appropriate thermal boundary condition. In order to confirm our suggestion, convective flows both in a microchannel heat sink and in a sintered porous channel subject to a constant heat flux condition are analyzed. The analytically obtained thermal resistance of the microchannel heat sink and the numerically obtained overall Nusselt number for the sintered porous channel are shown to be in close agreement with available experimental results when our suggestion for the thermal boundary conditions is applied.

• 한국광학회지
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• 제13권6호
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• pp.461-466
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• 2002

파장분할 다중화 시스템의 다중 채널분리 필터가 측면연마 광섬유 결합기를 이용한 빗살필터로 구현됨을 제안하였다 단일 모드 광섬유의 기본모드와 결합하는 상부 평면 도파로의 모드가 고차일수록 광 전력전달 효율은 낮아지는데, 두 도파로 사이 에 중간 결합층을 삽입함으로서 개선시킬 수 있고 최적화 조건에서 20dB 이상의 채널간 소멸비를 얻을 수 있음을 보였다. 200fm두께의 리튬나오베이트를 상부 평면 도파로로 적용한 경우 4m의 채널간격을 가지는 빗살필터 특성을 얻었으며, 중간 결합층의 두께가 1 Um일 때 굴절률이 1.52-1.53 범위에서 최대 광 전력전달이 일어남을 관측하였고 빔 전파 방법을 이용하여 계산한 결과와 거의 일치함을 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2014년도 춘계학술대회
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• pp.741-744
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• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 하단 게이트전압에 대한 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 비대칭 DGMOSFET는 4단자소자로서 상단과 하단의 게이트단자에 별도의 전압을 인가할 수 있으므로 하단게이트전압의 변화가 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 그러므로 단채널효과로 알려져 있는 문턱전압이동현상이 하단게이트전압에 의하여 감소할 수 있는지를 관찰하고자 한다. 이를 위하여 문턱전압 이하영역에서의 차단전류모델을 제시하였으며 차단전류가 채널폭 당 $10^{-7}A/{\mu}m$일 경우의 상단게이트 전압을 문턱전압으로 정의하여 채널길이 및 채널두께의 변화에 따라 하단게이트 전압의 변화에 대한 문턱전압의 이동현상을 관찰하였다. 결과적으로 하단게이트전압은 문턱전압이동현상에 커다란 영향을 미치는 것을 알 수 있었으며, 특히 단채널효과가 심각하게 발생하고 있는 채널길이 및 채널두께 영역에서는 더욱 큰 영향을 미치고 있다는 것을 알 수 있었다.