A numerical study is made on the ice-formation for a laminar flow in a curved channel. When the water flows through the curved channel with the walls specified below the freezing temperature, the ice layer has been formed on the curved surface, different from that of a straight channel. The fluctuation of ice layer has been predicted, considering the variation of velocity and temperature near the curved portion of channel. The study also takes into account the interaction existing between the laminar flow and the curved channel. In the solution strategy, the present study is substantially different from the existing works in that the complete set of governing equations in both the solid and liquid regions are resolved. The results from this study have been mainly presented, focusing on the variation of ice layer close to the curved portion. Numerical results have been obtained parametrically by varying the curved angle and the radius of curvature of channel, in addition to the variation of Reynolds numbers and wall temperatures of channel. The results show that the curved shape of channel has the great effect on the thickness of the solidification layer. The wave of ice layer thickness appears in the vicinity of curved portion. This behavior of ice layer has been amplified as is the increasing of curved angle and the radius of curvature of channel. In addition, the ice layer becomes thin as Reynolds numbers in increasing. And also, as the wall temperature of channel increases, the width of channel becomes to be shrunk due to the growth of ice layers in the upper and lower wall of channel.
본 논문에서는 수리모형 실험을 통하여 지류와 본류의 합류점의 접근각도, 본류의 유량 및 본류와 지류의 유량비 변화에 따른 합류부의 수리학적 특성을 파악하였다. 실험은 수로길이 450cm의 수로에서 실시하였으며, 본류와 지류의 수로폭은 각각 40cm와 32cm이었으며, 4조의 물탱크와 펌프가 설치되었다. 합류점 부근의 정체 구간의 길이는 접근각도가 증가함에 따라 증가되며, 본류의 유량과 지류와 본류와의 유량비가 증가되는 경우에도 이 경향은 동일하다. 그러나 동일한 합류점 접근각도와 유량비에 있어서 본류 유량 변화에 따른 합류점 부근의 정체구간 변화는 매우 적게 나타나고 있다. 또한 본류와 지류의 유량비가 증가할수록 유속의 정체 구간의 길이가 커져, 유사의 퇴적증가를 유도하는 주요원인이 된다. 합류점 부근의 가속유로는 접근각도가 작을수록 수로 내 중앙부에 한정되지만, 접근각도가 증가할수록 영향권이 증가된다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제17권2호
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pp.260-264
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2017
Process variation effect on arch-structured gate stacked array (GSTAR) 3-D NAND flash is investigated. In case of arch-structured GSTAR, a shape of the arch channel is depending on an alignment of photo-lithography. Channel width fluctuates according to the channel hole alignment. When a shape of channel exceeds semicircle, channel width becomes longer, increasing drain current. However, electric field concentration on tunnel oxide decreases because less electric flux converges into a larger surface of tunnel oxide. Therefore, program efficiency is dependent on the process variation. Meanwhile, a radius of channel holes near the bottom side become smaller due to an etch slope. It also affects program efficiency as well as channel width. Larger hole radius has an advantage of higher drain current, but causes degradation of program speed.
In this study, the hydraulic characteristics variation of flood level caused by tree-planting condition in channel section is evaluated through the examination and analysis of back water characteristics in a natural channel within urban area where the improvement is completed. The study channel is Sinchun runs through the center of Taegu metropolitan city. For the analysis, the comparative examination of runoff characteristics depend on tree- planting condition performed for the flood level of the most upstream point, and velocity of study channel when the project flood flows according to three cases that existing channel is improved to the pro-natural channel, the roughness condition of both riverside highlands is changed, and the composition rate of trees in the riverside highlands is changed. It is known that the variation ranges of the flood level increase remarkably in general, and of the velocity decrease from the result of the examination for the hydraulic characteristics parameters at the most upstream point depend on the tree-planting condition of the channel section when the project flood flows. From the results of the above study on the variation of the hydraulic characteristics according to the tree-planting condition in channel section, it is known that the hydraulic characteristics when the project flood flows in channel have close relationship with the section properties and the slope of channel.
In this paper, we analyze the channel estimation performances associated with the interpolation order for OFDM systems. We first analyze the time varying channel and frequency selective channel, and then we derive the channel Index which indicates the ratio of time axis variation and frequency axis variation. The analyzed results show that time interpolation followed by a frequency interpolation is adequate for the channel with a channel index larger than a certain threshold value and vice versa. Computer simulation explains that the method which decides Interpolation order outperforms fixed order estimation.
Channel distortion degrades the performance of speech recognizer in telephone environment. It mainly results from the bandwidth limitation and variation of transmission channel. Variation of channel characteristics is usually represented as baseline shift in the cepstrum domain. Thus undesirable effect of the channel variation can be removed by subtracting the mean from the cepstrum. In this paper, to improve the recognition performance of Korea connected digit telephone speech, channel compensation methods such as CMN (Cepstral Mean Normalization), RTCN (Real Time Cepatral Normalization), MCMN (Modified CMN) and MRTCN (Modified RTCN) are applied to the static MFCC. Both MCMN and MRTCN are obtained from the CMN and RTCN, respectively, using variance normalization in the cepstrum domain. Using HTK v3.1 system, recognition experiments are performed for Korean connected digit telephone speech database released by SITEC (Speech Information Technology & Industry Promotion Center). Experiments have shown that MRTCN gives the best result with recognition rate of 90.11% for connected digit. This corresponds to the performance improvement over MFCC alone by 1.72%, i.e, error reduction rate of 14.82%.
We have discussed the buried-channel(BC) behavior through the subthreshold characteristics of submicron PMOSFET device fabricated with twin well CMOS process. In this paper, we have guessed the initial conditions of ion implantation using process simulation, obtained the subthreshold characteristics as a function of process parameter variation such as threshold adjusting ion implant dose($D_c$), channel length(L), gate oxide thickness($T_ox$) and junction depth of source/drain($X_j$) using device simulation. The buried channel behavior with these process prarameter variation were showed apparent difference. Also, the fabricated pMOSFET device having different channel length represented good S.S value and low leakage current with increasing drain voltage.
The switching characteristics of MOS-Controlled Thyristor(MCT) is studied with variation of the channel length and impurity concentration in ON and OFF FET channel. The proposed MCT power device has the lateral structure and P-epitaxial layer in substrate. Two dimensional MEDICI simulator and PSPICE simulator are used to study the latch-up current and forward voltage-drop from the characteristics of I-V and the switching characteristics with variation of channel length and impurity concentration in P and N channel. The channel length and N impurity concentration of the proposed MCT power device show the strong affect on the transient characteristics of current and power. The N channel length affects only on the OFF characteristics of power and anode current, while the N doping concentration in P channel affects on the ON and OFF characteristics.
The flooding, especially in channel, is one of the critical issue to put proton exchange membrane fuel cell (PEMFC) to practical use. In this paper, channel flooding was investigated the pressure difference at cathode channel outlet. A ratio of pressure difference changes to 25, 50% as its variation rate. The pressure variable rate is reflected in dimensionless number FN. As a result, modified dimensionless number $FN^*$ correctly predicted the channel flooding. This study analyzes that a variety of pressure difference is how to affect flooding at the cathode of the PEMFC.
Kushwaha Alok;Pandey Manoj Kumar;Pandey Sujata;Gupta A.K.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제5권3호
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pp.187-194
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2005
An analysis of the 1/f or flicker noise in FD n-channel Double Gate SOI MOSFET is proposed. In this paper, the variation of power spectral density (PSD) of the equivalent noise voltage and noise current with respect to frequency, channel length and gate-to-source voltage at various temperatures and exponent $C(i.e\;1/f^c$ is reported. The temperature is varied 125 K from to room temperature. The variation of PSD with respect to channel length down to $0.1{\mu}m$ technology is considered. It is analyzed that l/f noise in FD n-channel Double Gate SOI MOSFET is due to both carrierdensity fluctuations and mobility-fluctuations. But controversy still exits to its origin.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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