The usual ceramic process of mixing and milling in state of oxide of $ZrO_2$ and $CeO_2$ was adopted in wet process to manufacture Ce-TZP in this study. The maximum dispersion point of every slurry manufactured with mixture of $ZrO_2$ and $CeO_2$ was neat at pH10. The stable slurry in average particle size of 90 nm can be manufactured when it is dispersed with use of ammonia water and polycarboxylic acid ammonium. The sintered Ce-TZP ceramics manufactured with addition of $CeO_2$ less than 10 mol% was progressed to the fracture of specimen due to the monoclinic phase existence more than 30% at the room temperature. More than 99% of tetragonal phase was created for the sintered body with addition of $CeO_2$ beyond 18 mol%, but the mechanical property degrade on the entire specimen was brought due to the $CeO_2$ existing above 3%. Consequently, the optimal Ce-TZP combined in oxide state was identified in 16 mol% of $CeO_2$ contents.
Thermal conductivities in $La_2Ce_2O_7-Gd_2Ce_2O_7-Y_2Ce_2O_7$ ternary system have been investigated. Pyrochlore phases formed at all ternary compositions and their sinterbilities were decreased with La addition. Thermal conductivities showed a minimum value at $La_2Ce_2O_7$ with moderate increases as $Y^{3+}$ and $Gd^{3+}$ ions replaced $La^{3+}$. Thermal expansion anomaly observed in $La_2Ce_2O_7$, which might be detrimental to TBC application, were suppressed by $Y^{3+}$ and $Gd^{3+}$ additions, with resultant thermal conductivities, $1.3{\sim}1.5 W/mK$ at $1000^{\circ}C$.
3원계 U-Ce-O산화물의 소결거동을 연구하기 위하여 $UO_2$ 및 $CeO_2$분말을 ball-mill 방법으로 혼합한 (U, Ce)$O_2$의 영향이고, 나중에 나타나는 극대점은 $CeO_2$의 영향 때문이다. 또한 $Ceo_{2}$함량이 증가할수록 소결이 지연됨을 알수 있었다. 동일한 10wt. % $CeO_2$함량에서, 4시간동안 ball-milling을 하였을때가 소결속도는 가장 빨랐다.
Sintering behavior and electrical properties of CeO$_2$ system were investigated as a function of the amount of Gd:$_2$O$_3$, and Sm$_2$O$_3$, addition. Doped CeO$_2$ consisted of a homogeneous solid solution of the cubic fluorite structure within the amount of addition from 0 mol% to 15 mol%. Grain growth rate of Gd$_2$O$_3$-doped CeO$_2$ was much smaller than that of pure CeO$_2$, while densification rate was considerably larger. Thus doped CeO$_2$ showed a higher density than pure CeO$_2$. The electrical conductivity of Ce$_1$-$_{x}$Sm$_{x}$O$_1$-$_{x}$/2 was increased up to x = 0.2. However, with further increasing dopant concentrations, the magnitude of the conductivity was found to decrease remarkably. The ionic conductivity value obtained at $700^{\circ}C$ for 10 mol% Sm$_2$O$_3$-doped CeO$_2$ electrolyte was 4.6${\times}$10$^{-2}$ S$.$$cm^{-1}$ /.EX> /.
$CeO_2$ buffer layers have been deposited on YSZ single crystal substrates via a radio-frequency sputtering method. We focused on the texture development of $CeO_2$ with out-of-plane alignment and its effects on a superconducting YBCO layer, which was deposited by metal organic deposition. $CeO_2$ layers were grown epitaxially on single crystal YSZ substrates and subsequent YBCO layers were also grown epitaxially from $CeO_2$ layers. It was observed that the intensity of $CeO_2$(200) decreased with deposition temperature. ${\theta}-2{\theta}$ scan FWHM values of $CeO_2$(200) were inversely proportional to the peak intensities of $CeO_2$(200). The sample with the lowest $CeO_2$(200) intensity and poor out-of-plane alignment showed a strong reaction with the MOD-YBCO layer resulting in a thicker $BaCeO_3$ layer. The texture and superconducting property of the YBCO layer were affected indirectly by the formation of a $BaCeO_3$ layer at the interface between the $CeO_2$ and YBCO layers.
Sinterability and stability of TZP ceramics co-stabilized by 12 mol% CeO2 and divalent or trivalent oxides less than 1 mol% were investigated. Divalent and trivalent oxides increased stability of tetragonal ZrO2. 100% tetragonal ZrO2 phase was obtained by doping 12 mol% CeO2 and 0.2 mol% CaO and MgO respectively when sintering was carried out at 1500$^{\circ}C$ for 2 hours. Divalent and trivalent oxides improved sinterability and inhibit grain growth of ZrO2. And it was found that CaO was the most effective sintering aid and grain growth inhibitor for ZrO2 in this study. Incorporation of divalent and trivalent oxides into 12Ce-TZP increased the strength of 12Ce-TZP and particulary 12Ce, 0.4Ca-TZP exhibited a flexural strength of about twofold greater than 12Ce-TZP.
In this study, the dispersion stability of nano-sized CeO2 particles, synthesized by hydrothermal method in aqueous was evaluated from observing the surface potential behavior of CeO2 particle synthesized by solid state reaction. The isoelectric point(IEP) of nano-sized CeO2 synthesized by hydrothermal synthesis was found to be pH 9 contrary to the isoelectric point of micro-sized CeO2 synthesized by solid state reaction at pH 6.7. IEP was shifted to pH 2.0 as the addition of D-3019 from 0.1 to 1.0 wt%. The surface potential of CeO2 particles synthesized by hydrothermal synthesis was reduced as the addition of B-1001 used as a binder without change of IEP because the absorption of B-1001 polymer on the CeO2 particles shifted the shear plane of CeO2 particles outward away from the surface. This surface potential behavior was well correlated with the dispersion stability of slurry.
Effect of Al2O3 addition on the mechanical properties and microstructure of Ce-TZP were studied. 12, 14, 16Ce-TZP containing 0-40wt% Al2O3 were prepared by sintering at 155$0^{\circ}C$ for 2h. in air. Density, linear shrinkage, bending strength, Vickers hardness, microstructuer and the amount of stress induced phase transformation were examined. Vickers hardness increased linearly with increasing amounts of Al2O3. The amount of transformation and fracture toughness decreased linearly with increasing amount of Al2O3. Linear shrinkage and relative density decreased with increasing Al2O3 content in all composition of Ce-TZP. Grain growth of Ce-TZP was inhibited by Al2O3 dispersion and fracture mode of Ce-TZP/Al2O3 composites transformed from intergranular to transgranular fracture as the amount of Al2O3 increased. TEM observation revealed that Al2O3 particles were located mainly at grain boundaries of ZrO2.
In this study, $CeO_2$thin films were etched with an addition of $Cl_2$gas to $Ar/CF_4$gas mixing in an inductively coupled plasma(ICP) etcher. The surface reactions of the etched $_CeO2$thin films were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). It was analyzed that Ce peaks were mainly observed in Ce-O bonds formed $CeO_2$or $CeO_3$compounds. Cl peaks were detected by the peaks of Cl $2p_{3/2}$ and Cl $2p_{1/2}$. Almost all of Cl atoms were combined with Ce atoms like $CeCl_{x}$ compounds.
The usual ceramic process of mixing and milling in state of oxides $ZrO_2$ and $CeO_2$ was adopted in this study in a wet process to manufacture Ce-TZP. $CeO_2$-$ZrO_2$ ceramics containing 8~20 mol% $CeO_2$ were made by heat treatment at $1250\sim1500^{\circ}C$ for 5hr. The maximum dispersion point of every slurry manufactured with a mixture of $ZrO_2$ and $CeO_2$ was neat at pH10. A stable slurry with average particle size of 90 nm can be manufactured when it is dispersed with the use of ammonia water and polycarboxylic acid ammonium. The sintered Ce-TZP ceramics manufactured with the addition of $CeO_2$ in a concentration of less than 10 mol% progressed to the fracture of the specimen due to the existence of a monoclinic phase of more than 30% at room temperature. More than 99% of the tetragonal phase was created for the sintered body with the addition of $CeO_2$ beyond 18 mol%, but the degradation of the mechanical properties on the entire specimen was brought about due to the $CeO_2$ existing in a percentage above 3%. Consequently, the optimal Ce-TZP level combined in the oxide state was identified to be 16 mol% of $CeO_2$ contents.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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