• 한국결정성장학회지
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• 제8권1호
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• pp.117-123
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• 1998

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, 광열범위, X-선 단면 측정 및 습식산화/선택적 식각 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 광열 변위의 평균값은 비례적으로 증가하였으며, 손상된 웨이퍼에서 Grade 1의 과잉 광열 변위값을 1로 봤을 때 과잉 광열 변위의 정규화한 상대 정량 비는 Grade 1: Grade 2:Grade 3 = 1:19.6:41이다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권4호
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• pp.581-586
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• 1998

초크랄스키 실리콘 기판의 뒷면에 형성된 기계적 손상이 미치는 효과에 대하여 고찰하였다. 기계적 손상의 정도는 레이저 여기/극초단파 반사 광전도 감쇠법에 의한 소수반송자 재결합 수명, X-선 단면 측정 및 습식 산화/선택적 식긱 방법으로 평가하였다. 그 결과, 웨이퍼 뒷면에 가해지는 기계적 손상의 세기가 강할수록 소수반송자 재결합 수명은 짧아지고, 산만 산란 정도와 X-선 과잉 강도의 적분값은 비례적으로 증가하였으며, 그 값을 Grade 1의 손상된 웨이퍼에서의 과잉 강도로 정규화하면 과잉 강도의 상대 정량비는 Geade 1:Grade 2:Grade 3 = 1:7:18.4이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.391-391
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• 2016

The carrier transport is a key factor that determines the device performances of semiconductor devices such as solar cells and transistors [1]. Particularly, devices composed of in amorphous semiconductors, the transport is often restricted by carrier trapping, associated with various defects. So far, the trapping has been studied for as-grown films at room temperature; however it has not been studied during growth under plasma processing. Here, we demonstrate the detection of trapped carriers in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films during plasma processing, and discuss the carrier trapping and defect kinetics. Using an optically pump-probe technique, we detected the trapped carriers (electrons) in an a-Si:H films during growth by a hydrogen diluted silane discharge [2]. A device-grade intrinsic a-Si:H film growing on a glass substrate was illuminated with pump and probe light. The pump induced the photocurrent, whereas the pulsed probe induced an increment in the photocurrent. The photocurrent and its increment were separately measured using a lock-in technique. Because the increment in the photocurrent originates from emission of trapped carriers, and therefore the trapped carrier density was determined from this increment under the assumption of carrier generation and recombination dynamics [2]. We found that the trapped carrier density in device grade intrinsic a-Si:H was the order of 1e17 to 1e18 cm-3. It was highly dependent on the growth conditions, particularly on the growth temperature. At 473K, the trapped carrier density was minimized. Interestingly, the detected trapped carriers were homogeneously distributed in the direction of film growth, and they were decreased once the film growth was terminated by turning off the discharge.

• Journal of Preventive Medicine and Public Health
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• 제10권1호
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• pp.52-58
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• 1977

By evaluating the health status by Cornell Medical Index in conjunction with their academic grade, we attempted to find out whether any health condition may affect on their academic carrier. CMI health questionnaire was filled out by student and matched with one's own academic score if the previous year. Academic score was classified into 5 grades: excellent, very good, good, fair and poor. Difference in number of questions between sections was corrected by standard score method with means of 50 and standard deviation of 10. Differences in number of 'yes' answers between sections and between groups of students in each grade were statistically tested by two-way variance analysis method. On the other hand, influence of neuropsychiatric factors (section M-R) on the academic carrier was analyzed by $X^2-test$ with Fukamachi's classification. The following were the results obtained in this study: 1) Number of 'yes' answers in sections related to mood and feeling patterns (sections M-R) were appeared to be influential to academic carrier in male students, but not in female students. 2) Generally speaking, in groups of higher academic grade, number of 'yes' answers in each section was on an averege 50 or less, and in groups of lower academic grade, the number was 50 or more depending on sections. 3) Number of 'yes' answers between sections and between groups in each academic grade were significantly different both in male and female college students. 4) It was noteworthy that data obtained from CMI questionnaire might be variable subjectively by examinees with some factors at the time of administration.

• 한국통신학회논문지
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• 제41권10호
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• pp.1290-1300
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• 2016

최근 들어, 유무선 망의 종단 사이에 위치하여 다양한 네트워크 기능을 제공하는 미들박스 서비스가 일반화되고 있다. 특히, 클라우드 컴퓨팅 분야의 가상화 기술이 네트워크 분야에 적용되면서 네트워크 가상화가 빠르게 진행되고, 가상 네트워크 장비들을 유연하게 연결하여 민첩한 네트워크 서비스를 제공하는 플랫폼들이 연구되고 있다. 본 논문에서는 캐리어 급 미들박스 서비스를 제공하기 위한 필수 요소들을 살펴보고, 범용서버에서 캐리어 급 네트워크 주소 변환 서비스를 제공하기 위한 프레임워크의 설계와 구현에 대해 기술한다. 실험 결과에 의하면, 제안하는 프레임워크는 기존의 리눅스 커널에서 제공하는 주소 변환 기능보다 15.5배 빠른 성능을 보인다.

• 대한조선학회논문집
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• 제34권4호
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• pp.108-118
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• 1997

LNG운반선은 일반 상선과는 달리 경제성 관점에서의 적정 Boil-Off Rate(BOR)과 안전성 관점에서의 Steel Grade 결정을 위한 Cargo tank 온도분포 해석이 필수적이다. Membrane형 LNG선의 경우 이미 여러가지 해석이 수행된 바 있지만 대부분이 상당히 영향을 주는 부재들의 영향을 무시하였다. 본 연구에서는 이전의 연구에 더하여 온도 분포 해석에 가장 중요한 대류 열전달 계수의 산정에 더욱 정확한 상관식을 적용하였고 Longitudinal과 Floor등 주요 부재의 영향을 충분히 고려한 3차원 온도분포 해석과 BOR을 산정하는 program을 개발하였다. 또한 여러 가지 경우에 대해 타당성을 검토한 후 그 결과를 설계에 반영하였다.

• 방송공학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.182-191
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• 2010

본 논문에서는 DVB-S2 시스템을 위한 간단한 구조를 가지는 반송파 주파수 복구부를 소개한다. 위성방송 통신 환경 및 상용 부품의 사용으로 인해, DVB-S2 수신기의 반송파 주파수 복구부는 최대 20%의 정규화된 주파수 옵셋(Offset)을 복구해야만 한다. 이로 인해 기존에 소개된 반송파 주파수 복구 방식은 복잡한 구조를 가지고 많은 연산량 및 메모리를 필요로 한다. 본 논문에서 소개된 방식은 거친 주파수 복구부에 변형된 Fitz 방식을 채택하여 정확하게 거친 주파수 옵셋 복구를 수행하고, 잔류 주파수 옵셋을 후단의 알려진 간단한 미세 주파수 복구방식으로 처리하는 구조를 갖는다. 소개된 방식은 기존에 소개된 방식과 동일한 성능을 보이면서도 필요한 곱셈 연산량을 80% 가량 줄일 수 있고 추가적인 메모리를 필요로 하지 않는 장점이 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.438-438
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• 2009

We have investigated the effect of forming gas annealing for Upgraded Metallurgical Grade (UMG)-silicon solar cell in order to obtain low-cost high-efficiency cell using post deposition anneal at a relatively low temperature. We have observed that high concentration hydrogenation effectively passivated the defects and improved the minority carrier lifetime, series resistance and conversion efficiency. It can be attributed to significantly improved hydrogen-passivation in high concentration hydrogen process. This improvement can be explained by the enhanced passivation of silicon solar cell with antireflection layer due to hydrogen re-incorporation. The results of this experiment represent a promising guideline for improving the high-efficiency solar cells by introducing an easy and low cost process of post hydrogenation in optimized condition.

• 한국산업정보학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.83-91
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• 2003

본 논문에서는 QPSK 방식을 채용하는 고속 무선 전송 시스템에 적용될 수 있는 all-digital QPSK 복조기에 대해서, 복조기에 소요되는 알고리즘들을 고찰하고 이를 구현하기 위한 H/W구조에 대해서 언급한다. All-digital QPSK 복조기를 구현하기 위해서, 비트 동기를 포착하는 심볼 동기부와 반송파 동기를 포착하는 반송파 동기부가 구현되어야 하는데, 심볼 동기부로는 Gardner 알고리즘을, 반송파 동기부로는 빠른 반송파 포착을 위한 Decision-Directed 동기화 알고리즘을 적용하여 설계, 구현하였다. 설계한 QPSK 복조기를 Altera사의 Design Compiler를 이용하여 CPLD-EPF10K100GC 503-4 칩에 합성해 본 결과 약 2.6 Mbps의 전송속도까지 복조가능하였다. Speed grade 1인 CPLD칩에서 구현하면 5배 정도 고속화가 가능하고, 설계된 all-digital QPSK 복조기를 ASIC으로 구현할 경우 CPLD 속도의 5∼6배 이상 고속화가 가능하므로 약 50 Mbps급 all-digital QPSK 복조가 가능하다.

• 한국가스학회지
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• 제19권6호
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• pp.62-66
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• 2015

LNG선이나 해양플랜트 같은 설비나 구조물은 작동 조건을 고려할 때, 특히 부재마다 가지는 고유한 연성 취성천이온도(Ductile to Brittle Transition Temperature, DBTT)를 고려하여 설계되어야 한다. 본 연구에서는 해양플랜트 및 LNG선에 hull plate로 쓰이는 A-grade 연강(mild steel)에 대해 DBTT를 샤르피 V-노치(CVN) 실험을 통해 알아보았고 파괴형상을 통한 파괴거동을 살펴보았다. 그 결과 온도가 감소함에 따라 충격 흡수에너지는 감소함을 보였다. Upper shelf energy region과 lower shelf energy region이 나타나고 그 사이 구간의 천이점을 통해 DBTT가 결정되었다. 파괴형상에서는 upper shelf energy region에서 수많은 딤플이 연성파괴 형상으로 관찰되고 lower shelf energy region에서는 전형적인 취성파단형상이 관찰되었다. 이를 통해 BCC 구조를 가지는 A-grade 연강은 upper shelf energy 구역과 lower shelf energy구역을 보이고 그 사이 구간의 천이점에서 급격하게 온도가 떨어지는 DBTT구간을 뚜렷하게 보이는 특성을 알 수 있었다.