Park, So Yeon;Chung, Hyun Suk;Han, Gill Sang;Su, Jang Ji;Jung, Hyun Suk
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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pp.467.1-467.1
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2014
Quantum dots (QD) solar cells has received considerable attention due to their potential of improving the overall conversion efficiency by harvesting excess energy via multiple excitons generation (MEG). Although there have been many reports which show MEG phenomena by using optical measurement of quantum dots themselves, carrier multiplication in real QD photovoltaic devices has been sparsely reported due to difficulty in dissociation of excitons and charge collection. In this reports, heterojunction QD solar cells composed of PbS QD monolayer on highly crystalline $TiO_2$ thin films were fabricated by using Langmuir-Blodgett deposition technique to significantly reduce charge recombination at the interfaces between each QD. The PbS CQDs monolayer was characterized by using UV-vis, transmission electron microscopy (TEM) and atomic force microscopy (AFM). The internal quantum efficiency (IQE) for the monolayer QD solar cells was obtained by measurement of external quantum efficiency and determining light absorption efficiency of active layer. Carrier multiplication was observed by measuring IQE greater than 100% over threshold photon energy. Our findings demonstrate that monolayer QD solar cell structure is potentially capable of realizing highly efficient solar cells based on carrier multiplication.
In order to enhence the photocurrent multiplication process, we controlled the irradiation light and the material of cathode layer of organic light emitting diodes (OLEDs). The structures of OLEDs were indium tin oxaide (ITO)/ copper(II) phthalocyanine (CuPc)/triphenyl-diamine (TPD)/ tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum (Alq3)/ aluminum (Al). We found that OLEDs were changed by the photocurrent and free charge carrier multiplication process due to the irradiation of light. The rate of photocurrent was increased by the irradiation of red and blue light.
We report the electrical properties of organic light emitting diodes (OLEDs) depending on the crystal structure of hole injection layer of copper(II)-phthalocyanine(CuPc) and the light irradiation the carrier mobility of copper(II)-phthalocyanine(CuPc) of light source. OLEDs were constructed with indium tin oxide(ITO)/CuPc/triphenyl-diamin(TPD)/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq$_3$)/Al.Photocurrent multiplication of OLEDs was varied by the heat-treatment condition of CuPc thin film and the light irradiation.
본 논문에서는 VSB 수신기를 위한 반송파 위상 오차에 독립적인 심벌 타이밍 옵셋 추정 알고리즘을 제안한다. 심벌 타이밍 옵셋 추정에 대표적인 알고리즘인 가드너 방법은 반송파 위상 옵셋이 포함된 VSB 수신기에서는 타이밍 옵셋을 추정할 수 없다. 본 논문에 서는 수신신호의 공액 곱 연산을 통하여 신호의 스펙트럼을 확장하고 반송파 위상 옵셋을 상쇄 하였고, 그 후 가드너 알고리즘을 통하여 인접 스펙트럼 간의 중복부분을 발생시켜, 타이밍 옵셋을 추정하는 방식을 연구하였다. 시뮬레이션 결과, 제안하는 알고리즘은 VSB 수신기에서 반송파 위상 오차에 영향을 받지 않고, 정확하게 타이밍 옵셋을 추정할 수 있는 것으로 나타났다.
We report the electric properties of organic light emitting diodes (OLEDs) by controlling the carrier density according to the crystalline of copper(II) phthalocyanine(CuPc) and the irradiation light intensity. OLEDs were constructed with indium tin oxaide (ITO)/CuPc/triphenyl-diamin (TPD)/tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum (Alq3)/Al. The transport properties of OLEDs were changedby the heat-treatments of CuPc. The irradiation of red and blue light exciting CuPc, TPD and Alq3. And then we observed the carrier density of OLEDs.
본 논문에서는 DVB-S2 시스템을 위한 간단한 구조를 가지는 반송파 주파수 복구부를 소개한다. 위성방송 통신 환경 및 상용 부품의 사용으로 인해, DVB-S2 수신기의 반송파 주파수 복구부는 최대 20%의 정규화된 주파수 옵셋(Offset)을 복구해야만 한다. 이로 인해 기존에 소개된 반송파 주파수 복구 방식은 복잡한 구조를 가지고 많은 연산량 및 메모리를 필요로 한다. 본 논문에서 소개된 방식은 거친 주파수 복구부에 변형된 Fitz 방식을 채택하여 정확하게 거친 주파수 옵셋 복구를 수행하고, 잔류 주파수 옵셋을 후단의 알려진 간단한 미세 주파수 복구방식으로 처리하는 구조를 갖는다. 소개된 방식은 기존에 소개된 방식과 동일한 성능을 보이면서도 필요한 곱셈 연산량을 80% 가량 줄일 수 있고 추가적인 메모리를 필요로 하지 않는 장점이 있다.
에밀레 소리 울림의 최대 특징은 맥놀이 파동의 생성이다. 이는 시간영역에서는 간섭 곱셈의 결과로 나타나며 반소파는 억제하면서 신호파가 좌우에 분포하는 대역 억압 양측파대 변조방식이다. 이러한 맥놀이파는 에밀레의 파동 이외도 폴리비닐에 대한 라만 분산신호, 음성신호, 수맥파와 조석파 등에서 관찰된다. 이러한 맥놀이의 발생원인은 대칭구조에서 비대칭 구조로 발생함을 보여주고 있다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제12권1호
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pp.46-52
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2012
Separate extraction of source ($R_S$) and drain ($R_D$) resistances caused by process, layout variations and long term degradation is very important in modeling and characterization of MOSFETs. In this work, we propose "Avalanche Hot-Source Method (AHSM)" for simple separated extraction of $R_S$ and $R_D$ in a single device. In AHSM, the high field region near the drain works as a new source for abundant carriers governing the current-voltage relationship in the MOSFET at high drain bias. We applied AHSM to n-channel MOSFETs as single-finger type with different channel width/length (W/L) combinations and verified its usefulness in the extraction of $R_S$ and $R_D$. We also confirmed that there is a negligible drift in the threshold voltage ($V_T$) and the subthreshold slope (SSW) even after application of the method to devices under practical conditions.
Interfacial engineering approaches as an efficient strategy for improving the power conversion efficiencies (PCEs) of inverted polymer solar cells (iPSCs) has attracted considerable attention. Recently, polymer surface modifiers, such as poly(ethyleneimine) (PEI) and polyethylenimine ethoxylated (PEIE), were introduced to produce low WF electrodes and were reported to have good electron selectivity for inverted polymer solar cells (iPSCs) without an n-type metal oxide layer. To obtain more efficient solar cells, quantum dots (QDs) are used as effective sensitizers across a broad spectral range from visible to near IR. Additionally, they have the ability to efficiently generate multiple excitons from a single photon via a process called carrier multiplication (CM) or multiple exciton generation (MEG). However, in general, it is very difficult to prepare a bilayer structure with an organic layer and a QD interlayer through a solution process, because most solvents can dissolve and destroy the organic layer and QD interlayer. To present a more effective strategy for surpassing the limitations of traditional methods, we studied and fabricated the highly efficient iPSCs with mono-layered QDs as an effective multi-functional layer, to enhance the quantum yield caused by various effects of QDs monolayer. The mono-layered QDs play the multi-functional role as surface modifier, sub-photosensitizer and electron transport layer. Using this effective approach, we achieve the highest conversion efficiency of ~10.3% resulting from improved interfacial properties and efficient charge transfer, which is verified by various analysis tools.
본 논문은 진동형 각속도 검출 센서로부터 각속도 신호를 검출하는 애널로그 신호처리 ASIC의 구현에 관한 것이다. 각속도 검출 센서의 출력은 구조적으로 콘덴서의 용량변화로 나타나므로 이를 검출하기 위하여 전하 증폭기를 이용하였으며, 센서의 구동에 필요한 자체발진회로는 각속도 검출 센서의 공진 특성을 이용한 정현파 발진회로로 구현하였다. 특히 센서의 제조 공정으로 인한 특성 변화나 온도 변화와 같은 외부 요인에 의한 자체발진특성의 열화를 방지하기 위하여 자동이득조절회로를 사용하였다. 진동형 각속도 검출 센서의 동작특성에 의하여 진폭변조 형태로 나타나는 각속도 신호를 검출하기 위하여 동기검파회로를 사용하였다. 동기검파회로에서는 반송파의 크기에 따라 검파신호의 크기가 달라지는 현상을 방지하기 위하여 스위칭 방식의 곱셈회로를 사용하였다. 설계된 칩은 0.5㎛ CMOS 공정으로 구현하였으며, 1.2㎜×1㎜의 칩 크기로 제작되었다. 실험 결과 3V의 전원전압에서 3.6mA의 전류를 소비하였으며, 칩과 각속도 센서를 결합한 정상동작상태에서 직류에서 50㎐까지 잡음 스펙트럼 밀도는 -95 dBrms/√㎐에서 -100 dBrms/√㎐ 사이에 존재하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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