A water jet cleaning robot system for micro drill bits is to refurbish micro drill bits used for the PCB manufacturing process. It can refurbish drill bits with the minimum diameter of ${\phi}0.15{\sim}0.075mm$ of which the total quantity have been discarded before. Micro drill bits with the minimum diameter of ${\phi}0.075mm$ can be cleaned by applying the water jet cleaning robot system out of the manual ultrasonic cleaning in the past for the cleaning equipment as the initial process in refurbishing. This study analyzed problems, while applying the apparatus mechanism for the workability such as the robot traces of Transfer Robot I and II, drill bit loading and unloading, and cleaning tasks in the water jet cleaning robot system in an effort to carry out simulations. In addition, the cleaning work process was optimized as the work process was verified in advance and the production quantity was analyzed through simulations.
We analyzed the D.I. water used in wet cleaning process of semiconductor device manufacturing both at the D.I. water plant and at the wafer cleaning bath to detect the impurity source of D.I. water contamination. This shows that the quantity of impurity is related to the resistivity of D.I. water, and we found that the cleanliness of the wafer surface processed in D.I. water bath was affected by the degree of the ionic impurity contamination. So we evaluated the cleaning effect as different method for Fe ion, having the best adsoptivity on wafer surface. Moreover the temperature effect of the D.I. water is investigated in case of anion in order to remove the chemical residue after wet process. In addition to the control of D.I. water resistivity, chemical analysis of impurity control in D.I. water should be included and a suitable cleaning an drinsing method needs to be investigated for a high yielding semiconductor device.
본 연구에서는 물성, 세정성, 헹굼액의 유수분리성을 고려하여 유기용매의 종류 및 함량, 계면활성제의 종류 및 함량, 부조계면활성제/계면활성제 (cosurfactant/surfactant, A/S) 비율 등의 변수로 하여 수계/준수계 세정제를 개발하였다. 개발된 세정제들은 대부분 평균 액적크기가 10 ~ 20 nm의 미세 나노입자를 형성 하였으며, 30.2~32.5 dyne/cm의 낮은 표면장력과 낮은 점도 값을 보여 주었다. 플럭스에 대한 용해력은 계면활성제의 소수성이 증가할수록 높게 나타났으며 terpene을 함유한 세정제들이 hydrocarbon 함유 세정제와 대응 시판세정제에 비해 우수한 용해력을 보여 terpene계 세정제가 대체세정제로의 적합성을 보여주었다. 또한, 개발된 세정제들을 함유한 헹굼액은 시판세정제에 비하여 우수한 유수분리성을 보여 헹굼액의 재활용이 가능하여 경제적인 부담과 수질오염을 줄일 수 있음을 보여주었다. 그리고 이렇게 개발된 세정제를 L 전자 회사의 전자부품 생산라인 SMT(surface mount technology) 세정공정에 적용시켜 보았다. 그 결과 solder cream 제거에 있어서 에탄올, 이소프로필알콜(IPA), glycol ether과 같은 물질이 함유된 기존의 세정제에 비하여 세정성능이 2 배이상 향상되었고 생산현장에서 악취와 VOC의 문제를 해결시킬 수 있었다.
산업체에서 부품을 가공하거나 완성품을 제조하는 과정에서 세정 공정은 필수적으로 사용하고 있고 현재 국내외 대부분의 제조업체에서는 오존파괴물질인 CFC-113이나 1,1,1-TCE 대신에 보다 환경친화적인 수계 세정제로의 대체가 진행중이다. 그러나 수계 세정시스템은 세정공정이나 헹굼공정에서 다량의 물을 사용하기 때문에 많은 폐수를 발생시키는 단점이 있다. 따라서 수계 세정시스템에서는 이러한 발생을 최소화하고 세정액과 헹굼수의 성능을 오랫동안 유지시키기 위한 모니터링 기술과 재활용 기술의 도입이 긴요하다. 본고에서는 수계 세정시스템에 사용하는 세정제와 주요 오염물질인 절삭유를 조사 분석하였고 산업현장에서 도입 가능한 수계 세정시스템의 모니터링 기술과 재활용 기술 등을 분석 평가하였다.
This study was conducted to perform for comparative analysis of the cleaning efficiency on 3 kinds of cleaning liquid state, 3 steps of cleaning temperature $(45^{\circ}C,\;60^{\circ}C,\;70^{\circ}C,\;)$ and 6 steps of cleaning time (2.5, 5, 7.5, 10, 12.5, 15 minute). 3 kinds of cleaning liquid state are the non fluidized bed, liquid fluidized bed and liquid/solid fluidized bed. UV spectrophotometer was used in estimation of cleaning efficiency, which it is experimental equipment using the absorptiometric analysis method. Cleaning efficiency by cleaning time was increase from 2.5 minutes to 15 minutes, liquid/siolid fluidized bed was indicated the highest cleaning efficiency among the 3 kinds of cleaning liquid state and $70^{\circ}C$ of cleaning temperature at liquid/solid fluidized bed was indicated the highest cleaning efficiency as 98% among the 3 steps of cleaning temperature.
본 연구에서는 초임계 이산화탄소와 공용매 첨가물을 이용하여 실리콘 웨이퍼 표면의 $Si_3N_4$ 파티클을 제거하는 기술을 조사하였다. 우선, 몇 가지 계면활성제와 첨가제에 관한 초임계 이산화탄소 용해도 및 파티클 분산성 평가를 통하여 초임계 공정에 대한 적합성을 확인하였다. 다양한 변수를 조정하여 파티클 세정 실험을 진행하여 최적의 제거 조건을 확립하였다. 실험에 사용된 계면활성제는 파티클 제거 효과가 떨어졌으며, 실험 후 이차 오염물이 형성됨을 확인하였다. 반면 trimethyl phosphate는 IPA공용매와 미량의 HF와 혼합된 세정 첨가제로서 초임계 이산화탄소에 5 wt%로 포함한 유체로 온도 $50^{\circ}C$, 압력 2000 psi에서 $15mL\;min^{-1}$의 유속으로 4분 간 세정한 결과, 85%의 파티클 제거 효율을 나타내었다.
The experiment was performed using the cleaning precipitator To investigate the absorption efficiency of the $SO_X/NO_X$ of the aqueous ammonia solution. Concentration of the cleaning liquid is 0.1, 0.5, and 1.0% with increasing absorption efficiency has improved. However, the reaction shown only a difference in time. Absorption efficiency has improved in accordance with the gas residence time. When the direction of the same gas and the cleaning liquid is determined that there is the effect of increasing the residence time. The relative impact of $SO_X$ and $NO_X$ is this likely to react slower than $SO_X/NO_X$. The yield is determined to require adjustment of the cleaning dust collector according to the concentration of the next gas.
Ozone micro-bubble cleaning system was designed, and made to develop a unique technique to clean wafers by using ozone micro-bubbles. The ozone micro-bubble cleaning system consisted of loading, cleaning, rinsing, drying and un-loading zones, respectively. In case of the cleaning the silicon wafers of a solar cell, more than 99 % of cleaning efficiency was obtained by dipping the wafers at 10 ppm of ozone for 10 minutes. Both of long cleaning time and high ozone concentration in the wet-solution with ozone micro-bubbles reduced cleaning efficiency because of the re-sorption of debris. The cleaning technique by ozone micro-bubbles can be also applied to various wafers for an ingot and LED as an eco-friendly method.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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