• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 1997년도 제12회 학술발표회 논문개요집
• /
• pp.45-46
• /
• 1997

• 한국진공학회지
• /
• 제2권1호
• /
• pp.34-40
• /
• 1993

새로운 단결정 박막 성장방법으로 최근에 많은 관심을 끌고 있는 초고진공 화학기상증착법(Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition)을 이용하여 AlGaAs에 에피탁시 박막을 성장시켰다. AlGaAs 에피탁시층의 성장은 2。 경사진 GaAs(100) 기판을 사용하였다. 반응 기체로는 Trimethylgallium(TMGa), Trimethylaluminum(TMAl)과 arsine을 사용하였고, 성장온도는 $580~700^{\circ}C$, 기체 압력은 10-5~10-4Torr를 유지하였다. 특히 본 연구에서는 arsine을 사전에 열분해 하는 통상의 Chemical Beam Epitaxy(CBE) 성장법과는 달리, arsine이 표면에서 분해되는 화학 반응만을 사용하여도 AlGaAs 에피탁시를 성장할 수 있음은 물론 박막내의 탄소 불순물의 농도가 크게 낮아짐을 관찰하였다. 또한 성장 온도의 변화에 따른 AlGaAs 에피탁시층의 Al 함유 과정에 대하여도 고찰하였다.

• 한국진공학회지
• /
• 제4권3호
• /
• pp.275-282
• /
• 1995

III족 원료 가스로 triethylgallium(TEGa)과 trimethylindium(TMIn)을 사용하고 V족 원료 가스로 사전 열 분해하지 않은 arsine(AsH3)과 monoethylarsine(MEAs)을 사용하여 ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)법으로 Si3N4로 패턴된 GaAs(100)기판 위에 GaAs와 InGaAsqkr막을 선택적으로 에피택시 성장을 하였다. V족 원료 가스를 사전 열 분해하지 않으므로 넓은 성장 온도 구간과 V/lll 비율에서도 선택적으로 박막이 성장되었다. 또한 선택 에피택시의 성장 메카니즘을 규명하기 위하여 다양한 filling factor(전체면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 입사된 분자 상태의 원료 기체가 탈착된 후 표면 이동이나 가스 상태의 확산과정 없이 마스크로부터 제거되므로 패턴의 크기와 모양에 따른 성장 속도의 변화나 조성의 변화가 없을 뿐만 아니라 chemical beam epitaxy(CBE)/metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)법에서 알려진 한계 성장온도 이하에서 선택 에피택시 성장이 이루어졌다.

• 전자통신동향분석
• /
• 제3권4호
• /
• pp.3-12
• /
• 1988

Epilayer growing process has been recognized as a key technology for successful GaAs based devices and integrations. These may include HEMT, multiple quantum well structures, band gap engineering, and quantum confinement heterostructures. The fabrication of epilayers in these devices must meet very stringent requirements in terms of crystallinity, composition, film thickness and interface quality. In particular, the quality of interfaces is getting more important because the film thickness, and flatness, roughness and stability at interface of ultrathin films cause critical effects on the device performance. This article reviews the current status of modern epitaxial techniques which have been developed in the last few years. First, the new techniques PLE, GI, MEE, TSL based on MBE technique will be reviewed and their technical importance will be stressed. Secondly, MOMBE, GSMBE, CBE which combine the advantages of MBE and MOCVD will also be discussed. Thirdly, the new sophisticated epitaxial technique, ALE, of which mechanism is totally different from others, will also be reviewed. Finally, areas which should be exploited more extensively to accomplish these techniques will be addressed.

• 한국광학회:학술대회논문집
• /
• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
• /
• pp.32-33
• /
• 2000

최근 다른 두께로 조합된 양자 우물 구조를 이용한 연구가 다음과 같이 각각 다른 목적으로 진행되고 있다. 이러한 불균일 양자 우물 구조는 주로 광대역폭 반도체 광 증폭기를 위한 구조$^{l),2)}$ 광대역폭 Superluminescent Diode에 적용하기 위한 구조, $^{3)}$ 광대역폭 및 온도 비의존성 면발광 레이저를 위한 구조$^{4)}$ 로 이용되고 있으며 10여년 전에는 파장 조절 및 파장 스위칭을 위한 구조로 연구되었다.$^{5).6)}$ 이들 소자의 실현을 위해 우선 불균일 양자 우물 구조의 특성을 알아볼 필요가 있다. 본 연구에서 사용한 양자 우물 구조는 그림 1과 같이 각 양자 우물의 두께가 다르게 분포되어 있다. 그리고 이 구조를 CBE로 성장하고 릿지형 반도체 레이저를 제작하여 공진기 길이와 주입전류에 따른 발광 파장 특성으로부터 불균일 양자 우물 구조에서의 캐리어 분포 특성을 유추하였다. (중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
• /
• pp.70-70
• /
• 2010

일차원 나노구조를 갖는 재료는 크기효과 뿐만 아니라 단결정성, 일차원성으로 인해 새로운 물리적, 화학적 성질과 높은 표면적-부피비 등으로 인하여 많은 관심의 대상이 되고 있다. 일차원 나노구조 중에 특히 GaAs 나노와이어의 경우, 미래의 전자 소자 혹은 광자 소자로서의 잠재력 때문에 많은 연구가 이루어지고 있다. GaAs 나노와이어는 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), CBE(Chemical Beam Epitaxy), MBE(Molecular Beam Epitaxy)등의 방법으로 성장시킬 수 있다. 본 연구에서는 아크 방전법으로 합성한 단일벽 탄소나노튜브 템플릿 위에 GaAs를 MBE로 성장시켜 다공성의 GaAs-탄소나노튜브 복합체를 제작하였다. GaAs는 성장온도를 $400^{\circ}{\sim}600^{\circ}C$ 사이로 변화시켜 성장시켰다. 성장온도가 $500^{\circ}C$ 미만일 경우에는 GaAs가 탄소나노튜브 위에서 입상구조로 성장이 되었으며 $500^{\circ}C$ 이상에서는 탄소나노튜브 위에 나노와이어가 성장되었다. 또한, 제작된 GaAs-탄소나노튜브 복합체를 전자 소스로서의 응용가능성을 보기 위해 전계 방출 특성을 측정하였다.

• 한국항해항만학회:학술대회논문집
• /
• 한국항해항만학회 2021년도 추계학술대회
• /
• pp.109-111
• /
• 2021

IT를 기반으로 하는 상거래 시장은 COVID-19와 맞물려 많은 변혁이 오고 있다. 과거 오프라인에서 주로 소비되던 생필품이 전자상거래 시장으로 이동하는 등 COVID-19 이후 온라인 구매 전환이 더욱 확대 강화될 것으로 보인다. 그로인해 물류센터를 운영하는 물류기업 또한 과거 하역 및 하역에 수반하는 보관중심의 전통적 물류기능만을 고수하기에는 변화되는 트랜드가 너무 급박하여 기업의 존립까지도 위협을 받을 수 있다. 이에 본 연구에서는 항만의 미래 생존전략을 위해 전자상거래 시대의 환경변화에 빠르게 대응할 수 있도록 국가간 전자상거래 기반 부산항의 풀필먼트센터 구축 당위성과 전환수요 등을 도출하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제6권3호
• /
• pp.351-359
• /
• 1996

ECR (electron cyclotron resonance) 플라즈마원이 장착되어 있는 화학선에피탁시 (chemical beam epitaxy : CBE) 장치를 사용하여 InAs 양자점 구조형성에 미치는 수소플라즈마의 효과에 대하여 조사하였다. 자기조직화(self-organized)에 의해 GaAs 기판위에서 InAs 양자점의 형성을 RHEED(reflection high energy electron diffraction)로 관측한 결과 수소가스 및 수소플라즈마의 영향을 받지 않은 상태에서는 1.9 ML(monolayer)의 InAs 층성장(layer growth) 후에 형성되는데 비해 수소플아즈마를 조사한 상태에서는 약 2.6 ML의 InAs 층성장(layer growth) 후에 형성되는데 비해 수소플아즈마를 조사한 상태에서는 약 2.6 ML의 InAs층이 성장된 후 뒤늦게 이루어짐을 확인하였다. 기판의 온도 $370^{\circ}C$에서 동일한 조건으로 형성시킨 InAs 양자점의 밀도 및 크기는 수소플라즈마의 영향을 받지 않은 경우 $1.9{\times}10^{11}cm^{-2}$ 및 17.7 nm에서 수소플라즈마를 쪼인 경우 $1.3{\times}10^{11}cm^{-2}$ 및 19.4 nm로 양자점 형성 다소 완화되는 것으로 나타났다. 또한, 수소플아즈마에 의한 InAs 양자점의 PL(photoluminescence) 신호의 적색이동(red shift)과 반치폭 증가로부터 양자점 크기의 증가와 균일성이 다소 감소되는 모습을 알 수 있었다. 이와같은 수소플라즈마의 영향은 GaAs 기판과 InAs 사이의 부정합 변형환화 효과에의해 InAs의 충성장을 강화시키는 원자상 수소의 작용때문인 것으로 고려되었다.

• Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
• /
• 제16권3호
• /
• pp.927-932
• /
• 2015

Background: Breast and cervical cancers are the most common causes of cancer mortality among women in India, but actually they are largely preventable diseases. Although early detection is the only way to reduce morbidity and mortality, there are limited data on breast and cervical cancer knowledge, safe practices and attitudes of teachers in India. The purpose of this study is to assess the level of awareness and impact of awareness programs in adoption of safe practices in prevention and early detection. Materials and Methods: This assessment was part of a pink chain campaign on cancer awareness. During cancer awareness events in 2011 at various women colleges in different parts in India, a pre-test related to cervical cancer and breast cancer was followed by an awareness program. Post-tests using the same questionnaire were conducted at the end of the interactive session, at 6 months and 1 year. Results: A total of 156 out of 182 teachers participated in the study (overall response rate was 85.7 %). Mean age of the study population was 42.4 years (range- 28-59 yrs). There was a significant increase in level of knowledge regarding cervical and breast cancer at 6 months and this was sustained at 1 year. Adoption of breast self examination (BSE) was significantly more frequent in comparison to CBE, mammography and the Pap test. Magazines and newspapers were sources for knowledge regarding screening tests for breast cancer in more than 60% of teachers where as more than 75% were educated by doctors regarding the Pap test. Post awareness at 6 months and 1 year, there was a significant change in alcohol and smoking habits. Major reasons for not doing screening test were found to be ignorance (50%), lethargic attitude (44.8%) and lack of time (34.6%). Conclusions: Level of knowledge of breast cancer risk factors, symptoms and screening methods was high as compared to cervical cancer. There was a significant increase in level of knowledge regarding cervical and breast cancer at 6 months and this was sustained at 1 year. Adoption of BSE was significantly greater in comparison to CBE, mammography and the Pap test. To inculcate safe practices in lifestyle of people, awareness programmes such as pink chain campaign should be conducted more widely and frequently.

• 한국광학회지
• /
• 제14권6호
• /
• pp.669-673
• /
• 2003

본 연구에서는 기존의 ridge waveguide laser diode(RWG LD)보다 ridge폭에 따른 측방향 단일모드 특성이 우수하고 planar 화에 유리하며 측방향의 유효 굴절률차를 ridge 구조에 추가로 성장된 InGaAsP층의 두께로 조절이 가능한 Buried RWG LD를제작하였다. 본 연구에서는 Buried RWG LD를 CBE장치로 InGaAs/InGaAsP multiple quantum well(MQW) 에피 웨이퍼를 성장하고, LPE로 재성장하여 B-RWG LD를 제작하였다. 또한 ridge 폭을 5 $\mu\textrm{m}$와 7 $\mu\textrm{m}$로 하여 B-RWG LD를 제작하고 특성을 비교하여 보았다. 제작된 7 $\mu\textrm{m}$ B-RWG LD에서 광출력이 20㎽에 이를 때까지 고차모드 발진에 의한 kink현상이 일어나지 않았으며, 포화 광출력이 80 ㎽ 이상임을 확인하였다. 제작된 B-RWG LD가 측방향 단일모드로 동작함을 확인하기 위해 FFP을 측정한 결과, ridge 폭이 5 $\mu\textrm{m}$일 때는 2.7I$_{th}$ , ridge 폭이 7 $\mu\textrm{m}$일 때는 2.4I$_{th}$ 까지 단일모드로 동작함을 확인할 수 있다.