• 한국동물학회지
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• 제26권3호
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• pp.211-217
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• 1983

한국인집단에서 Transferrin C subtypes와 Haptoglobin polymorphism의 분포 및 유전자 빈도에 관한 본 연구에서 얻은 결과는 다음과 같다. 제주집단에서 관찰된 Transferrin C subtypes은 주로 $T_{f}C_{1}, T_{f}C_{2}$ 및 $T_{f}C_{1}-C_{2}$형이었는데 $T_{f}C_{1}$과 $T_{f}C_{1}-C_{2}$이 51%와 42%로 나타났으며, 유전자 빈도는 $T_{f}C^{1}, T_{f}C^{2} 및 T_{f}D^{Jeju}$가 각각 0.7220, 0.2743 및 0.0037이었다. Haptoglobin의 유전자 빈도는 서울집단에서 460명, 제주집단에서 502명을 대상으로 추정한 결과 서울집단에서 $Hp^1 = 0.304, Hp^2 = 0.696$이었고, 제주집단에서는 0.269와 0.731이었으며 두 집단사이에 빈도 차이는 유의하지 않았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.199-200
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• 2009

This paper describes the electrical properties of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin films with different nitrogen doping concentrations. The in-situ-doped poly 3C-SiC thin films were deposited by using atmospheric-pressure chemical vapor deposition (APCVD) at $1200^{\circ}C$ with hexamethyldisilane (HMDS: $Si_2$ $(CH_3)_6)$ as a single precursor and 0 ~ 100 sccm of $N_2$ as the dopant source gas. The peaks of the SiC (111) and the Si-C bonding were observed for the poly 3C-SiC thin films grown on $SiO_2/Si$ substrates by using X-ray diffraction (XRD) and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) analyses, respectively. The resistivity of the poly 3C-SiC thin films decreased from $8.35\;{\Omega}{\cdot}cm$ for $N_2$ of 0 sccm to $0.014\;{\Omega}{\cdot}cm$ with $N_2$ of 100 sccm. The carrier concentration of the poly 3C-SiC films increased with doping from $3.0819\;{\times}\;10^{17}$ to $2.2994\;{\times}\;10^{19}\;cm^{-3}$, and their electronic mobilities increased from 2.433 to $29.299\;cm^2/V{\cdot}S$.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제7권6호
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• pp.466-468
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• 1986

Reaction of $Ir(ClO_4)(CO)(PPh_3)_2$ with trans-$C_6H_5CH$ = $CHCO_2C_2H_5$ produces a new cationic iridium(I) complex, [Ir (trans-$C_6H_5CH$ = $CHCO_2C_2H_5)(CO)(PPh_3)_2]ClO_4$ where trans-$C_6H_5CH$ = $CHCO_2C_2H_5$ seems to be coordinated through the carbonyl oxygen rather than through the $\pi$-system of the olefinic group according to the spectral data. It has been found that Ir$(ClO_4)(CO)(PPh_3)_2$ catalyzes the hydrogenation of $CH_2$ = $CHCO_2C_2H_5$, trans-$CH_3CH$ = $CHCO_2C_2H_5$ and trans-$C_6H_5CH$ = $CHCO_2C_2H_5$ to $CH_3CH_2CO_2C_2H_5$, $CH_3CH_2CH_2CO_2C_2H_5$ and $C_6H_5CH_2CH_2CO_2C_2H_5$, respectively at room temperature under the atmospheric pressure of hydrogen. The relative rates of the hydrogenation of the unsaturated esters are mostly understood in terms of steric reasons.

• 한국결정학회지
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• 제3권1호
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• pp.44-52
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• 1992

Ti(C, N)-Cr3C2계 ceramics 의 소결에 있어 서, 소결 분위기가 소결체의 물성에 미치는 영 향과 Cr3c2월 상변화 현상을 검토하였다. Ti(C, N)-Crsc2 혼합분말을 진공 및 질소 분위기에서 소결할 경우 치밀한 소결체를 얻을 수 있었으나, 아르곤 분위기에서는 치밀한 소결체를 얻을 수 없었다. 이들 소결체의 X-선 회절 분석결과, 진공 분위기에서는 Cr3c2가 CrIC3로 변화하 였으며 질소 및 아르곤 분위기에서는 상변화가 거의 없었다 이는 진공소결시 Ti(C, N)에서 탈질 현상이 일어나고 이에 따라 Cr3c2중의 C의 이동에 의해 CrTCE 상으로 변하며, 따라서 활발 한 Ti 및 Cr의 이동으로 인해 치밀한 소결이 이루어지는 것으로 해석되며 반면 질소분위기에서는,가질 현상이 일어나고 이에 따라 유리탄 소의 생성, 이 유리탄소에 의한 입계 내의 산소 의 제거 및 입계 사이의 유리탄소의 잔존 등의 소결기구에 의해 치밀화가 이루어 지는 것으로 해석된다.

• 농업과학연구
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• 제18권2호
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• pp.119-126
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• 1991

치이즈와 대두 지질의 양상을 비교하기 위하여 이들에 함유되어 있는 지질의 단편, 지질의 종류 및 총지질내의 지방산 조성을 column, thin-layer 및 gas chromatography로 분석하여 그결과를 검토하였다. 치이즈 중성지질, 당지질 및 인지질의 함량은 각각 96.2%, 1.1% 및 0.7%로 나타난 반면 대두의 중성지질, 당지질 및 인지질의 함량은 87.5%, 0.5% 및 4.3%로 나타났다. 치이즈의 총지질 및 중성지질의 주요 지질의 종류는 triglyceride, free fatty acid, cholesterol, diglyceride, monoglyceride 및 polar lipid 였으며 당지질과 인지 질내의 주요 지질의 종류는 triglyceride, diglyceride monoglyceride 및 polar lipid 인 반면 대두 지질 단편중의 지질의 종류는 대부분 triglyceride 였고, 일부 diglyceride, monoglyceride 및 polar lipid의 흔적이 나타났다. 치이즈의 총지질에서 나타난 주요 지방산은 C4:0, C6:0, C8:0, C10:0, C12:0, C14:0, C16:0, C16:1, C16:0, C18:1 및 C18:2 였고, 대두의 총지질에서 나타난 주요 지방산은 C18:0, C18:1, C18:2 및 C18:3였다. 치이즈의 총지질에서 소량의 C14:1, C15:0, C17:0 및 C20:0과 대두의 총지질에서 소량의 C4:0, C6:0 및 C10:0 지방산이 검출되었다.

• 대한화학회지
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• 제53권3호
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• pp.266-271
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• 2009

고체 화합물 La7Os4C9 속에 있는 [Os4C9]21‑ 사슬의 전자구조와 화학결합을 extended Hückel 계산 결과에 의해서 논의하였다. 탄소 원자는 물론 (C2)2‑ 분자의 결합 특성은 비교적 큰 Os-C 상호작용을 나 타내었고 특히 (C2)2‑ 분자의 결합길이 증가는 Fermi level 바로 아래에 Os-C2(1 πg) 결합 밴드의 존재로 인 해서 반결합 1πg 오비탈에 부분적인 전자점유가 일어나기 때문인 것으로 해석된다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권11호
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• pp.1114-1118
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• 2000

Ti 및 C 입자로 이루어진 다공질 성형체에 용융 Si의 침윤 및 반응으로 새로운 Ti$_3$SiC$_2$합성공정이 개발되었다. 용융 Si 침윤에 의한 Ti$_3$SiC$_2$합성공정에서는 이제까지 연구된 합성방법 보다 넓은 조성 범위에서 Ti$_3$SiC$_2$의 합성이 이루어졌다. 용융 Si을 활성 매질로 사용한 Ti$_3$SiC$_2$의 합성에서는 성형체 조성, 원료 입자 크기 및 침윤되는 용융 Si의 양에 따라 합성되는 상 및 각 합성상의 양이 다르게 나타났다. Ti:Si:C=3:1:6 조성을 제외한 모든 조성의 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$상이 합성되었으며, 일부 조성을 제외한 모든 조성의 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$, TiC 및 SiC가 함께 합성되었다. 작은 Ti 입자로 이루어진 성형체를 사용하여 합성한 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$상의 합성이 용이하게 이루어졌으며, 성형체 조성 및 침윤되는 Si의 양이 화학양론적으로 Ti$_3$SiC$_2$에 근접한 조성을 갖는 시편에서 Ti$_3$SiC$_2$를 높은 수율로 합성할 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제31권8호
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• pp.849-860
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• 1994

The microstructural evolution and crystalline phases of this infiltration of Ti+Al liquids in TiC, SiC, TiC+C, and SiC+C preforms have been investigated. As the Ti and Al mixing ratio in Ti+Al infiltrated liquid changes, the newly formed reaction products, which were reacted from the Ti+Al liquid with preforms, consisted of three major phases as Ti3AlC, Al2Ti4C2 or Al4C3. The TiC grain shape was changed to spheroid, when Ti3AlC was formed. In case of Al2Ti4C2 formation, the platelet grain was formed from the original TiC grain. When Al4C3 was formed, nodular or intergranular fine-grained Al4C3 was formed around the TiC grain, while the original TiC grain shape was not changed.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1303-1304
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• 2007

The composites were fabricated, respectively, using 61[vol.%]SiC-39[vol.%]$TiB_2$ and using 61[vol.%]SiC-39[vol.%]$ZrB_2$ powders with the liquid forming additives of 12[wt%] $Al_{2}O_{3}+Y_{2}O_{3}$ by hot pressing annealing at $1650[^{\circ}C]$ for 4 hours. Reactions between SiC and transition metal $TiB_2$, $ZrB_2$ were not observed in this microstructure. ${\beta}{\rightarrow}{\alpha}$-SiC phase transformation was occurred on the SiC-$TiB_2$ and SiC-$ZrB_2$ composite. The relative density, the flexural strength and Young's modulus showed the highest value of 98.57[%], 226.06[Mpa] and 86.38[Gpa] in SiC-$ZrB_2$ composite at room temperature respectively. The electrical resistivity showed the lowest value of $7.96{\times}10^{-4}[{\Omega}{\cdot}cm]$ for SiC-$ZrB_2$ composite at $25[^{\circ}C]$. The electrical resistivity of the SiC-$TiB_2$ and SiC-$ZrB_2$ composite was all positive temperature coefficient resistance (PTCR) in the temperature ranges from $25[^{\circ}C]$ to $700[^{\circ}C]$. The resistance temperature coefficient of composite showed the value of $6.88{\times}10^{-3}/[^{\circ}C]$ and $3.57{\times}10^{-3}/[^{\circ}C]$ for SiC-$ZrB_2$ and SiC-$TiB_2$ composite in the temperature ranges from $25[^{\circ}C]$ to $700[^{\circ}C]$.

• 한국세라믹학회지
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• 제54권4호
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• pp.340-348
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• 2017

$SiC_f/SiC$ composites were joined using a $60{\mu}m-thick$ $Ti_3AlC_2$ or $Ti_3SiC_2$ MAX phase tape. The filler tape was inserted between the $SiC_f/SiC$ composites containing a 12 wt.% $Al_2O_3-Y_2O_3$ sintering additive. The joining was performed to a butt-joint configuration at $1600^{\circ}C$ or $1750^{\circ}C$ in an Ar atmosphere by applying 3.5 MPa using a hot press. Microstructural and phase analyses at the joining interface confirmed the decomposition of $Ti_3AlC_2$ and $Ti_3SiC_2$, indicating the joining by solid-state diffusion. The results showed sound joining interface without the presence of cracks. Joining strengths higher than 150 MPa could be obtained for the joints using $Ti_3AlC_2$ or $Ti_3SiC_2$ at $1750^{\circ}C$, while those for joined at $1600^{\circ}C$ decreased to 100 MPa approximately without the deformation of the joining bodies. The thickness of initial filler tape was reduced significantly after joining because of the decomposition and migration of MAX phase owing to the plasticity at high temperatures.