• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1322_1323
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• 2009

The $V_{1.85}W_{0.15}O_5$ thin films deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates by RF sputtering method exhibited fairly good TCR and dielectric properties. It was found that film crystallinity, dielectric properties, and TCR properties were strongly dependent upon the annealing temperature. The dielectric constants of the $V_{1.85}W_{0.15}O_5$ thin films annealed at $400^{\circ}C$ were 38.11, with a dielectric loss of 1%, respectively. Also, the TCR values of the $V_{1.85}W_{0.15}O_5$ thin films annealed at $400^{\circ}C$ were about -3.45%/K.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.117-118
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• 2008

The $V_{1.85}W_{0.15}O_5$ thin films deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates by RF sputtering method exhibited fairly good TCR and dielectric properties. It was found that film crystallinity, dielectric properties, and TCR properties were strongly dependent upon the annealing temperature. The dielectric constants of the $V_{1.85}W_{0.15}O_5$ thin films annealed at $400^{\circ}C$ were 38.11, with a dielectric loss of 1%, respectively. Also, the TCR values of the $V_{1.85}W_{0.15}O_5$ thin films annealed at $400^{\circ}C$ were about -3.45%/K.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1248-1249
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• 2008

The $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates by RF sputtering method exhibited fairly good TCR and dielectric properties. It was found that film crystallinity, dielectric properties, and TCR properties were strongly dependent upon the annealing temperature. The dielectric constants of the $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films annealed at 400$^{\circ}C$ were 38.11, with a dielectric loss of 0.134, respectively. Also, the TCR values of the $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films annealed at 400$^{\circ}C$ were about -3.15%/K.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 Techno-Fair 및 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.116-117
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• 2007

The $V_2O_5$ thin films deposited on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates by RF sputtering method exhibited fairly good TCR and dielectric properties. It was found that film crystallinity, dielectric properties, and TCR properties were strongly dependent upon the annealing temperature. The dielectric constants of the $V_2O_5$ thin films annealed at $300^{\circ}C$ were 37.7, with a dielectric loss of 2.535, respectively. Also, the TCR values of the $V_2O_5$ thin films annealed at $300^{\circ}C$ were about -2.65%/K.

• 센서학회지
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• 제5권6호
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• pp.60-67
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• 1996

저온 remote PECVD $SiO_{2}$막을 이용하여 제조된 InSb MIS구조에서의 계면의 전기적 특성에 대하여 연구하였다. $105^{\circ}C$에서 증착시킨 $SiO_{2}$막을 이용한 MIS구조의 중간 에너지 대역폭에서의 계면상태밀도가 $1{\sim}2{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$으로 평가되었다. 그러나, $105^{\circ}C$이상의 고온에서 제조된 MIS소자의 계면에는 다량의 계면준위 및 트랩 준위가 존재하였다. G-V측정으로부터 계산된 계면준위들의 시상수는 $10^{-4}{\sim}10^{-5}\;sec$였으며, 증착온도가 증가할수록 트랩밀도가 증가하여 C-V특성곡선의 이력특성이 증대되었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제26권8호
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• pp.1185-1189
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• 2005

Two new copper vanadium borophosphate compounds, $(NH_4)(C_2H_{10}N_2)_{5.5}[Cu(C_2H_8N_2)_2]_3[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}17H_2O,\;Cu-VBPO1\;and\;(NH_4)(C_2H_{10}N_2)_{3.5}[Cu(C_2H_8N_2)_2]_5[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}18H_2O$, Cu-VBPO2 have been hydrothermally synthesized and characterized by single crystal X-ray diffraction, thermogravimetric analysis, IR spectroscopy, and elemental analysis. The structure of Cu-VBPO1 contains a layer anion, {$[Cu(C_2H_8N_2)_2]_3[V_2P_2BO_{12}]_6$}$^{12-}$, whereas Cu-VBPO2 has an open framework anion, {$[Cu(C_2H_8N_2)_2]_5[V_2P_2BO_{12}]_6$}$^{8-}$. Crystal Data: $(NH_4)(C_2H_{10}N_2)_{5.5}[Cu(C_2H_8N_2)_2]_3[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}17H_2O$, monoclinic, space group I2/m (no. 12), $\alpha$ = 15.809(1) $\AA$, b = 31.107(2) $\AA$, c = 12.9343(8) $\AA$, $\beta$ = 104.325(1)$^{\circ}$, Z = 2; $(NH_4)(C_2H_{10}N_2)_{3.5}[Cu(C_2H_8N_2)_2]_5[V_2P_2BO_{12}]_6{\cdot}18H_2O$, tetragonal, space group $P4_2$/mnm (no.136), $\alpha$ = 26.832(1) $\AA$, c = 18.021(1) $\AA$, Z = 4.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제17권12호
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• pp.1123-1127
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• 1996

Crystalline compound RbV2SeO7, a Rb analogue of KV2SeO7, was synthesized from a hydrothermal reaction of V2O5, V2O3, SeO2, and Rb2CO3 in the mole ratio 3: 1: 15: 6 (in millimoles) at 230℃. RbV2SeO7 crystallizes in an orthorhombic space group Pnma (No. 62) with a=18.444(8), b=5.415(3), c=7.070(4) Å, Z=8. The two structures of KV2SeO7 and RbV2SeO7 are almost the same except that bond lengths in the latter are slightly longer than in the former. The magnetic susceptibility measurement for RbV2SeO7 in the temperature range 4-300 K showed an antiferromagnetic ordering with TN=45 K, higher than that for KV2SeO7 of 27 K. The origin of the magnetic coupling and the different ordering temperatures in the two phases are discussed in relation to the crystal structures.

• 한국재료학회지
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• 제9권8호
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• pp.782-786
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• 1999

진공증착법으로 CdS 박막을 제작하여 열처리한 시료를 상온에서 SEM, XRD, EDX와 PL 특성을 측정하여 $50^{\circ}C 와 450^{\circ}C$ 사이에서 cubic to hexagonal phase transition을 확인하였다. 열처리 결과 S-빈자리에 $O_2$와 Si불순물이 보상되어 CdO 또는 $Cd_2SiO_4$주개준위(donor level)를 만드는데 광발광 측정에서 열처리온도 $350^{\circ}C$에서는 2.34eV, $550^{\circ}C$는 2.42eV에서 EE 피이크를 나타내었다. 이러한 특성결과 본 연구에서 결정구조변환 온도는 $370{\circ}C$를 나타내었으며 Ariza-Calderon 등의 CBD박막에 대한 결과인 $374^{\circ}C$와 유사한 것으로 확인되었다.

• 공업화학
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• 제21권2호
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• pp.211-216
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• 2010

우레아와 포름산을 이용한 균일침전법으로 $(NH_4)_{0.3}V_2O_5$ 및 $V_2O_5$ 나노소재를 합성한 후 TGA, SEM, FT-IR, XRD, 선형 전압전류법 등을 이용하여 물성과 전기화학적 특성을 조사하였다. 평균 층간 거리는 우레아 첨가 유무에 따라 $10.7{\AA}$, $14.2{\AA}$로 각각 나타났다. 또한 표면구조는 합성 시 우레아가 첨가된 소재는 나노로드, 포름산만 첨가된 시료는 나노쉬트 모양의 단위체가 형성되었다. $95^{\circ}C$에서 우레아를 첨가하여 제조한 $(NH_4)_{0.3}V_2O_5$ 나노소재의 전지용량은 평균 280 mAh/g 이상이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.111-115
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• 2003

200nm 정도의 두께를 가진 SBT 박막이 liquid delivery MOCVD 공정에 의해 (111) oriented Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 증착되었다 이 실험에서는 $Sr(TMHD)_2$tetraglyme, $Bi(ph)_3$ 그리고 $Ta(O^iPr)_4$(TMHD)를 출발 물질로 사용하였다. Sr 출발 물질의 열적 안정화를 위해서 adduct로 tetraglyme를 사용하여 실험하였고 유기 용매로는 n-butyl acetate를 사용하였다 Substrate temperature와 reactor pressure는 각각 $570^{\circ}C$와 5Torr로 유지시켰다. 또한 vaporizer의 용도는 $190-200^{\circ}C$, 그리고 delivery line 의 온도는 vaporizer 보다 높게 유지 $(220-230^{\circ}C)$하여 출발 용액을 분당 0.1ml로 50분간 주입하였다. 수송가스로 Ar, 산화제로 $O_2$ 가스를 사용하였다. 제조한 SBT 박막은 $750^{\circ}C$에서 열처리한 후 인가전압 3V와 5V에서 $2P_r$값이 각각 6.47, $8.98{\mu}C/cm^2$이었으며, $2E_c$값은 인가전압 3V와 5V에서 각각 2.05, 2.31V이었다 그리고 $800^{\circ}C$에서는$750^{\circ}C$에서 열처리한 SBT 박막보다 다소 우수한 이력특성을 나타내어 $2P_r$ 값은 인가전압 3V와 5V에서 각각 7.59, $10.18{\mu}C/cm^2$ 이었으며, $2E_c$값은 인가 전압 3V와 5V에서 각각 2.00, 2.21V 이었다.