• 제목/요약/키워드: C-AFM

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나노/마이크로 인덴터와 AFM을 이용한 스퀴즈 캐스트 A356 합금의 시효경화특성 평가 (Evaluation of Age-Hardening Characteristics of Squeeze-Cast A356 Alloy by Using Micro/Nano Indenter with AFM)

  • 윤성원;김현일;강충길
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 2005년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.1398-1401
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    • 2005

  • The nano/microstructure, the aging response (in T5 heat treatment), and the mechanical/tribological properties of the eutectic regions in squeeze-cast A356 alloy were investigated using nano/micro-indentation and mechanical scratching, combined wit optical microscopy and atomic force microscope(AFM). Most eutectic Si crystals in the A356 alloy showed a modified morphology as fine-fibers. The loading curve for the eutectic region was more irregular than that of the primary Al region due to the presence of various particles of varying strength. In addition, the eutectic region showed lower pile-up and higher elastic recovery than the primary Al region. The aging responses of the eutectic regions in the squeeze-cast A356 alloys aged at $150^{\circ}C$ for different times(0, 2, 4, 8, 10, 16, 24, 36 and 72 h) were investigated. As the aging time increased, acicular Si particles in the eutectic regions gradually came to a fine structure. Both Vickers hardness ($H_V$) and indentation ($H_{IT}$) test results showed almost the same trend of aging curves, and the peak was obtained at the same aging time of 10 h. A remarkable size-dependence of the tests was found. The friction coefficient for the eutectic region was lower than that for the primary Al region.

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PES 기판위에 제작한 Ga-doped ZnO 박막의 전기적 및 광학적 특성 (Electrical and Optical Properties of the Ga-doped ZnO Thin Films Deposited on PES (Polyethersulfon) Substrate)

  • 정윤근;정양희;강성준
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제15권7호
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    • pp.1559-1563
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    • 2011

  • 본 연구에서는 고주파 마그네트론 스퍼터링 (RF magnetron sputtering) 법으로 기판 온도 ($50{\sim}200^{\circ}C$)에 따른 GZO(Ga : 5 wt%) 박막을 PES (polyethersulfon) 플라스틱 기판위에 제작하여, 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. XRD 측정을 통해 공정 조건에 관계없이 모든 GZO 박막이 c축으로 우선 성장함을 확인할 수 있었다. 박막의 표면을 AFM 으로 조사한 결과, 표면 거칠기 값은 기판 온도 $200^{\circ}C$ 에서 제작한 박막에서 가장 낮은 값 (0.196 nm) 을 나타내었다. 투과도 측정 결과, GZO 박막은 약 80% 이상의 투과율을 보였고, 기판 온도가 증가할수록 에너지 밴드 갭이 증가하는 Burstein-Moss 효과를 관찰할 수 있었다. Hall 측정 결과, 기판 온도 $200^{\circ}C$에서 제작한 GZO 박막에서 가장 낮은 비저항 $6.93{\times}10-4\;{\Omega}{\cdot}cm$ 값과 가장 높은 캐리어 농도 $7.04{\times}1020/cm^3$ 값을 나타내었다.

  • https://doi.org/10.6109/jkiice.2011.15.7.1559 인용 PDF KSCI

4H-SiC기판 위에 Aerosol Deposition으로 증착된 Al2O3박막의 후열처리 효과 (Post Annealing Effect on the Characteristics of Al2O3 Thin Films Deposited by Aerosol Deposition on 4H-SiC)

  • 유수산나;강민석;김홍기;이영희;구상모
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제27권8호
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    • pp.486-490
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    • 2014

  • $Al_2O_3$ films on silicon carbide were fabricated by Aerosol deposition with annealing temperature at $800^{\circ}C$ and $1,000^{\circ}C$. The effect of thermal treatment on physical properties of $Al_2O_3$ thin films has been investigated by XRD (X-ray diffraction), AFM (atomic force microscope), SEM (scanning electron microscope), and AES (auger electron spectroscopy). Also electrical properties have been investigated by Keithley 4,200 semiconductor parameter analyzer to explain the interface trapped charge density ($D_{it}$), flatband voltage ($V_{FB}$) and leakage current ($I_o$). $Al_2O_3$ films become crystallized with increasing temperature by calculating full width at half maximum (FWHM) of diffraction peaks, also surface morphology is observed by topography measurement in non-contact mode AFM. $D_{it}$ was $2.26{\times}10^{-12}eV^{-1}.cm^{-2}$ at $800^{\circ}C$ annealed sample, which is the lowest value in all samples. Also the sample annealed at $800^{\circ}C$ has the lowest leakage current of $4.89{\times}10^{-13}A$.

  • https://doi.org/10.4313/JKEM.2014.27.8.486 인용 PDF KSCI

폴리이미드 LB 필름을 이용한 패터닝 및 생물전자 소자로의 응용에 관한 연구 (Studies on the Patterning of Polyimide LB Film and Its Application for Bioelectronic Device)

  • 오세용;박준규;정찬문;최정우
    • 폴리머
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    • 제26권5호
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    • pp.634-643
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    • 2002

  • 고분자 주사슬에 벤젠과 sulfonyloxvimide moiety를 가지고 있는 polyamic acid 초박막을 LB 기법을 이용하여 제조한 다음 200 $^{\circ}C$에서 1시간 동안 열처리에 의해 감광성 폴리이미드 LB 필름을 얻었다. Polyamic acid는 THF-pyridine 공용매를 가지고 축중합에 의해 합성하였다. 모든 단량체와 고분자는 원소분석, FT-IR, $^1$H-NMR의 분광학적 측정을 통해 정량 정성분석을 행하였다. UV lithography 방법을 사용하여 금 기판 위에 제조한 감광성 폴리이미드 LB 필름의 마이크로 어레이 패턴을 제조하였다. 형성된 마이크로 어레이 패턴을 따라 두 가지의 자기조립 방법으로 단백질 cytochrome c 단분자 막을 고정화시켰다. 자기조립된 cytochrome c 단분자 막의 물리ㆍ전기 화학적 특성은 cyclic voltammetry와 AFM을 통해 조사하였으며 생물전자소자로의 응용 가능성에 대해서도 검토하였다.

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