• Journal of Pharmaceutical Investigation
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• 제28권3호
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• pp.171-175
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• 1998

KHPC-002 $[(trans-l-diaminocyclohexane-bis-l,2(diphenylphosphinoethane)platinum)\;{\cdot}2NO_3]$ and $KHPC-006[(cis-diaminocyclohexane-bis-1,2(diphenylphosphinoethane)platinum)\;{\cdot}2NO_3]$ were synthesized as candidates for third platinum antitumor agent. Before their pharmacokinetic study, we optimized the analytical condition with HPLC and identified the major metabolites in the rat plasma. HPLC analysis by $C_{18}$ reverse-phase column showed that standard peak of both compounds appeared rapidly at around 1 minutes, whereas metabolites of KHPC-002 and KHPC-006 which were extracted from plasma after single I.V. administration in rats or incubation for 24 hr at $37^{\circ}C$ showed retention time of $10{\sim}11$ minutes. These metabolites were identified as the major compound by Matrix Associated Laser Deposition/Ionization (MALDI), which only lose the 2 molecules of $NO_3$. Based on these results, we suggest that the major metabolites of KHPC-002 and KHPC-006 were [trans-l-diamino-cyclohexane-bis-l,2(diphenylphosphinoethane)platinum] and [cis-diaminocyclohexane-bis-l.2(diphenylphosphinoethane)platinum], respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.81-81
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• 2011

Sol-gel spin-coating법을 이용하여 ZnO 박막을 증착하였다. Sol 전구체 용액을 Si(100) 기판에 증착하고 전열처리(pre-heat treatment)하여 gel 상태의 ZnO 박막을 형성시킨 후 다른 속도로 냉각시켰다. Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Raman, photoluminescence (PL)을 이용하여 냉각속도가 ZnO 박막의 구조적 및 광학적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 느린 속도($5^{\circ}C$/min)로 냉각시킨 ZnO 박막은 나노섬유질구조(nano-fibrous structure)를 나타내었고, 상온에서 바로 냉각시킨 ZnO 박막은 매우 매끄러운 표면(mirror-like surface)을 나타내었다. ZnO (100), ZnO (002), ZnO (101) 방향을 나타내는 회절피크가 관찰되었고, 냉각속도에 따른 ZnO 박막의 배향성을 알아보기 위하여 texture coefficient (TC)를 계산해 보았다. 상온에서 바로 냉각시킨 ZnO 박막(TC(002)=76.3%)이 느린 속도로 냉각시킨 박막(TC(002)=45.2%)보다 (002) 방향으로의 배향성이 우세하게 나타났으며, 잔류응력도 작았다. 뿐만 아니라 PL을 이용한 광학적 특성평가에서도 상온에서 바로 냉각시킨 ZnO 박막에서 더 강한 강도와 좁은 반치폭(full-width at halt-maximum)을 갖는 near-band-edge emission (NBE) 피크가 관찰되었다. 후열처리에 따른 구조적 및 광학적 특성 변화 또한 연구하였다.

• 동력기계공학회지
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• 제5권2호
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• pp.71-78
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• 2001

Using sodium hypophosphite as reducing agent, bath composition and plating condition of electroless copper plating on plating rate have been studied. The followings were determined as optimum, bath composition; $CuSO_4\;0.025M,\;NiSO_4\;0.002M,\;NaH_2PO_2\;0.4M$, sodium citrate 0.06M, $H_3BO_3$ 0.6M, thiourea or 2-MBT $0.2mg/{\ell}$, and operation conditions; pH $9{\sim}10$ at bath temperature rage of $60{\sim}70^{\circ}C$. A small amount of nickel ion($Ni^{2+}/Cu^{2+}$=0.002/0.025) to the hypophosphite reduced solution promotes autocatalysis and continuous plating. An additive such as thiourea or 2-MBT of a small amount($0.2mg/{\ell}$) can be used to stabilize the solution without changing plating rate much. The attivation energy between $20^{\circ}C\;and\;70^{\circ}C$ were calculated to be 11.3kcal/mol for deposition weight. Plating reaction had been ceased by the adjustment of pH above 13, temperature higher than $90^{\circ}C\;and\;under\;20^{\circ}C$. Deposited surface became worse in the case of increment of bath temperature above $80^{\circ}C$.

• 센서학회지
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• 제6권2호
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• pp.163-171
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• 1997

CSVT(close spaced vapor transport)증착시스템으로 태양전지의 창재에 적합한 CdS박막을 기판온도에 따라 증착하였으며, 실온에서 증착된 CdS박막을 온도를 변화시켜 가면서 열처리하였다. 증착 및 열처리후의 CdS박막의 구조적, 전기적 및 광학적 특성을 조사하였다. 증착조건에 무관하게 CdS박막들은 육방정계구조로 (002)면으로 기판에 수직으로 성장함을 확인하였다. 기판온도가 $25^{\circ}C$에서 $300^{\circ}C$까지 증가함에 따라 비저항은 $60{\Omega}cm$로 부터 $2{\times}10^{4}{\Omega}cm$로 단순증가하였으며 기판온도 $25^{\circ}C$에서 가시광영역에서의 광투과도가 80%정도로 가장 높았다. 열처리온도가 증가함에 따라 막내의 결정결함의 증가에 따라 비저항은 현저하게 증가하였으며 광투과도는 현저하게 감소하였다.

• 대한약리학회지
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• 제29권2호
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• pp.283-295
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• 1993

일부 malignant tumor에 Pt-complex의 임상 응용 과정에서 신장독성등의 심한 부작용이 문제점으로 지적되고 있다. 이 연구에서는 기존의 cisplatin보다 항암효과는 우수하면서, 부작용을 감소시킨 새로운 Pt-complex의 개발에 역점을 두었다. 본 연구에서는 합성한 Pt (II) complex는 carrier ligand로서 1, 2-diaminocyclohexane (dach)을 사용하였고, leaving group으로는 diphosphine류인 1, 3-bis (diphenylphosphine)의 propane (DPPP) 및 ethane (DPPE)을 도입하였으며, 물에 대한 용해도를 높이기 위해 dinitrate로 만들었다. 새로이 합성한 [Pt (II)-(trans-1-dach)(DPPP)] $(NO_3)_2$ 과 [Pt (II)(trans-1-dach)(DPPE)] $(NO_3)_2$ 는 원소 분석, IR 및 $^{13}C-NMR$ 분석 data에 의하여 위의 물질임이 확인되었다. KHPC-001과 KHPC-002는 MTT assay method에 의한 항암활성 연구를 통하여 P-388, L-1210 lymphocytic leukemia cell에서 항암효과가 인정되었으며, 이 항암효과는 대조 약물로 사용된 cisplatin에 비하여 우수하였다. KHPC-001과 KHPC-002는 토끼의 신세뇨관 세포와 인체의 신피질 세포를 이용한 cytotoxity 및 thymidine 섭취율과 인체 신피질 조직 배양을 이용한 glucose consumption 실험을 통하여 모두 cisplatin보다 신장독성이 현저히 감소되었다. 이상의 결과로 보아 Pt (II) complex는 carrier ligand와 leaving group의 선택에 따라 항암활성의 증가와 신독성의 감소를 일으키는 요인으로 보여지며, 이 연구에서 만들어진 두 Pt (II) complex는 앞으로 다각적인 검토를 거쳐 새로운 anticancer chemotherapeutic agent로 개발될 가능성이 있을 것으로 생각된다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제18권12호
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• pp.173-181
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• 2017

본 연구의 목적은 대학생의 외모 관련 사회문화적 태도와 사회적 압박감, 스트레스가 신체상 불일치에 미치는 영향을 파악하기 위함이다. 연구 대상자로 C시와 A시 4년제 대학에 다니는 대학생 363명을 표집하였다. 구조화된 자가보고 설문지를 통해 2016년 10월 27일부터 12월 9일까지 자료를 수집하였다. 자료분석을 위해 SPSS 20.0 통계 프로그램의 기술 통계 및 상관 분석, 다중 회귀분석을 적용하였다. 연구결과에서 신체상 불일치 정도는 여학생의 외모 관련 사회문화적 태도(r=.406, p=.006), 친구에 의한 압박감(r=.197, p<.001), 부모에 의한 압박감(r=.176, p=.002), 스트레스(r=.218, p<.001)와 양의 상관관계가 있는 것으로 나타났다. 신체상 불일치는 친구에 의한 압박감(${\beta}=.159$, p=.007), 스트레스(${\beta}=.186$, p=.002), BMI(${\beta}=.186$, p=.002)가 증가할수록 높게 나타났으며, 이 변수들은 대상자의 신체상 불일치에 대해 10.9%의 설명력을 보였다. 따라서 신체상 불일치를 줄이기 위해서는 대학생들이 건강 유지 목적으로 체중과 스트레스 관리를 할 수 있게 하고, 타인의 시선이나 평가로 인해 상처받지 않고, 긍정적인 자기 인식을 가질 수 있도록 하는 보건교육 및 건강증진 프로그램 개발이 요구된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.237-237
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• 2009

Zinc oxide (ZnO) thin film was deposited on Si substrates using polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer, in which the ZnO film was grown by sol-gel method. Physical characteristics of the grown ZnO film was investigated experimentally by means of SEM, XRD, FT-IR (Furier Transform-Infrared spectrum), and AFM. XRD pattern was proved that the grown ZnO film on 3C-SiC layers had highly (002) orientation with low FWHM (Full width of half maxium). These results showed that ZnO thin film grown on 3C-SiC buffer layers can be used for various piezoelectric fields and M/NEMS applications.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.346-347
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• 2007

Aluminum nitride (AlN) thin films were deposited on Polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layers using pulsed reactive magnetron sputtering. Characteristics of AlN films were investigated experimentally by means of FE-SEM, X-ray diffraction, and FT-IR, respectively. As a result, highly (002) oriented AlN thin films with almost free residual stress were achieved using 3C-SiC buffer layers. Therefore, AlN thin films grown on 3C-SiC buffer layers can be used for various piezoelectric fields and M/NEMS applications.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권5호
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• pp.245-247
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• 2012

In this study, ZnO films have been grown on PES (polyethersulfone) of flexible polymer substrate by PLD (pulsed laser deposition) and characterized for crystalline and optical properties. Growing conditions were changed with substrate temperatures ranging from 50 to $200^{\circ}C$ and laser power density ranging from 0.2 to $0.4J/cm^2$. When ZnO thin films are deposited at low temperature with a small laser power density, the (002) peaks of XRD to signify the crystal quality of ZnO thin films appear to be very weak and the (101) peaks to signify the chemical composition of oxygen and zinc are strong. The (002) peaks increase with the substrate temperature and laser power density because the energy needed for the supply of the combination regarding zinc and oxygen has increased. In this study, the best condition for growing ZnO thin film on PES is at a substrate temperature of $200^{\circ}C$ and with a laser density of $0.3J/cm^2$. The characteristics of PL were measured by UV and green luminescence.

• 미생물학회지
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• 제32권3호
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• pp.182-185
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• 1994

구름버섯에 의한 Poly R-478염료의 탈색에 미치는 탄소원과 질소원의 영향을 조사하였다. 2.0% glucose, 0.04% ammonium tartrate, 2% $KH_2PO_4$, 0.5% $MgSO_4{\cdot}7H_2O$, 0.1% $CaCl_2{\cdot}2H_2O$, 0.002% thiamine-HCI, 10 mM 2,2-dimethylsuccinate(sodium)와 0.02% Poly R-478 염료 등으로 조성된 질소제한배지에서 균주를 $28^{\circ}C$에서 10일간 정치배양 했을때 염료의 탈색율은 87.2%로 나타났다. 염료의 탈색은 배지내에 질소원이 존재할 때에 일어났으며 탈색율은 배지내에 질소원이 고갈된 직후에 급격히 증가하였다.