Kim, Jong-Whan;Jo, Yo-Na;Rho, Young-Soo;Seo, Seong-Hoon;Jung, Jee-Chang;Chang, Sung-Goo;Lee, Kyoe-Heung;Lee, Joo-Han;Lee, Kyung-Tae
Journal of Pharmaceutical Investigation
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v.28
no.3
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pp.171-175
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1998
KHPC-002 $[(trans-l-diaminocyclohexane-bis-l,2(diphenylphosphinoethane)platinum)\;{\cdot}2NO_3]$ and $KHPC-006[(cis-diaminocyclohexane-bis-1,2(diphenylphosphinoethane)platinum)\;{\cdot}2NO_3]$ were synthesized as candidates for third platinum antitumor agent. Before their pharmacokinetic study, we optimized the analytical condition with HPLC and identified the major metabolites in the rat plasma. HPLC analysis by $C_{18}$ reverse-phase column showed that standard peak of both compounds appeared rapidly at around 1 minutes, whereas metabolites of KHPC-002 and KHPC-006 which were extracted from plasma after single I.V. administration in rats or incubation for 24 hr at $37^{\circ}C$ showed retention time of $10{\sim}11$ minutes. These metabolites were identified as the major compound by Matrix Associated Laser Deposition/Ionization (MALDI), which only lose the 2 molecules of $NO_3$. Based on these results, we suggest that the major metabolites of KHPC-002 and KHPC-006 were [trans-l-diamino-cyclohexane-bis-l,2(diphenylphosphinoethane)platinum] and [cis-diaminocyclohexane-bis-l.2(diphenylphosphinoethane)platinum], respectively.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.81-81
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2011
Sol-gel spin-coating법을 이용하여 ZnO 박막을 증착하였다. Sol 전구체 용액을 Si(100) 기판에 증착하고 전열처리(pre-heat treatment)하여 gel 상태의 ZnO 박막을 형성시킨 후 다른 속도로 냉각시켰다. Atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), Raman, photoluminescence (PL)을 이용하여 냉각속도가 ZnO 박막의 구조적 및 광학적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 느린 속도($5^{\circ}C$/min)로 냉각시킨 ZnO 박막은 나노섬유질구조(nano-fibrous structure)를 나타내었고, 상온에서 바로 냉각시킨 ZnO 박막은 매우 매끄러운 표면(mirror-like surface)을 나타내었다. ZnO (100), ZnO (002), ZnO (101) 방향을 나타내는 회절피크가 관찰되었고, 냉각속도에 따른 ZnO 박막의 배향성을 알아보기 위하여 texture coefficient (TC)를 계산해 보았다. 상온에서 바로 냉각시킨 ZnO 박막(TC(002)=76.3%)이 느린 속도로 냉각시킨 박막(TC(002)=45.2%)보다 (002) 방향으로의 배향성이 우세하게 나타났으며, 잔류응력도 작았다. 뿐만 아니라 PL을 이용한 광학적 특성평가에서도 상온에서 바로 냉각시킨 ZnO 박막에서 더 강한 강도와 좁은 반치폭(full-width at halt-maximum)을 갖는 near-band-edge emission (NBE) 피크가 관찰되었다. 후열처리에 따른 구조적 및 광학적 특성 변화 또한 연구하였다.
Using sodium hypophosphite as reducing agent, bath composition and plating condition of electroless copper plating on plating rate have been studied. The followings were determined as optimum, bath composition; $CuSO_4\;0.025M,\;NiSO_4\;0.002M,\;NaH_2PO_2\;0.4M$, sodium citrate 0.06M, $H_3BO_3$ 0.6M, thiourea or 2-MBT $0.2mg/{\ell}$, and operation conditions; pH $9{\sim}10$ at bath temperature rage of $60{\sim}70^{\circ}C$. A small amount of nickel ion($Ni^{2+}/Cu^{2+}$=0.002/0.025) to the hypophosphite reduced solution promotes autocatalysis and continuous plating. An additive such as thiourea or 2-MBT of a small amount($0.2mg/{\ell}$) can be used to stabilize the solution without changing plating rate much. The attivation energy between $20^{\circ}C\;and\;70^{\circ}C$ were calculated to be 11.3kcal/mol for deposition weight. Plating reaction had been ceased by the adjustment of pH above 13, temperature higher than $90^{\circ}C\;and\;under\;20^{\circ}C$. Deposited surface became worse in the case of increment of bath temperature above $80^{\circ}C$.
CdS thin films for window material of solar cell were prepared by close spaced vapor transport deposition system and annealed at different temperatures. The structural, electrical, and optical properties of as-deposited and annealed CdS films were investigated as functions of substrate and annealing temperatures. The CdS thin films were grown perpendicularly to the substrate along the (002)plane with hexagonal structure regardless of the preparation conditions The resistivity of the CdS film deposited was increased gradually from $60{\Omega}cm$ for $25^{\circ}C$ to $2{\times}10^{4}{\Omega}cm$ for $300^{\circ}C$. The optical transmittance at the substrate temperature of $25^{\circ}C$ was about 80% in the the visible spectrum. The resistivity increased monotonically, and the optical transmittance was decreased substantially with annealing temperature due to the increased defect density in the CdS film.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.237-237
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2009
Zinc oxide (ZnO) thin film was deposited on Si substrates using polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer, in which the ZnO film was grown by sol-gel method. Physical characteristics of the grown ZnO film was investigated experimentally by means of SEM, XRD, FT-IR (Furier Transform-Infrared spectrum), and AFM. XRD pattern was proved that the grown ZnO film on 3C-SiC layers had highly (002) orientation with low FWHM (Full width of half maxium). These results showed that ZnO thin film grown on 3C-SiC buffer layers can be used for various piezoelectric fields and M/NEMS applications.
Pt-complexes is currently one of the most compounds used in the treatment of solid tumors. However, its used is limited by severe side effects such as renal toxicity. Our platinum-based drug discovery program is aimed at developing drugs capable of diminishing toxicity and improving antitumor activity. We synthesized new Pt (II) complex analogues containing 1, 2-diaminocyclohexane (dach) as carrier ligand and 1, 3-bis (diphenylphosphino) propane (DPPP)/1,2-bis (diphenylphosphino) ethane (DPPE) as a leaving group. Furthermore, nitrate was added to improve the solubility. A new series of (KHPC-001) [Pt (trans-1-dach)(DPPP)] $2NO_3$ and (KHPC-002) [Pt (trans-1-dach)(DPPE)] $2NO_3$ were synthesized and characterized by their elemental analysis and by various spectroscopic techniques [infrared (IR), $^{13}carbon$ nuclear magnetic resonance (NMR)]. KHPC-001 and KHPC-002 demonstrated acceptable antitumor activity aganist P-388, L-1210 lymphocytic leukemia cells and significant activity as compared with that of cisplatin. The toxicity of KHPC-001 and KHPC-002 was found quite less than that of cisplatin using MTT, $[^3H]$ thymidine uptake and glucose consumption tests in rabbit proximal tubule cells and human kidney cortical cells.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.18
no.12
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pp.173-181
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2017
This study was conducted to investigate the effects of sociocultural attitude toward appearance, social pressure, and stress on university students' body figure discrepancy. A total of 363 students were recruited from a university in C and A city. Data were collected by self-reported questionnaires from Oct 27 to Dec 9, 2016. Statistical analyses of the collected data were conducted using SPSS 20.0 and consisted of descriptive statistics, Pearson's correlation, and multiple regression. A positive relationship was observed between body figure discrepancy and female's sociocultural attitude toward appearance (r=.406, p=.006), peer pressure (r=.197, p<.001), parental pressure (r=.176, p=.002), and stress (r=.218, p<.001). Body figure discrepancies increased with peer pressure (${\beta}=.159$, p=.007), stress (${\beta}=.186$, p=.002), and BMI (${\beta}=.186$, p=.002), and these factors accounted for 10.9% of the body figure discrepancy. To reduce body figure discrepancy, it is necessary to develop health education and promotion programs that enable university students to manage weight and stress for health maintenance and to have positive self-assessment without being hurt by other people's view or evaluation.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.346-347
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2007
Aluminum nitride (AlN) thin films were deposited on Polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layers using pulsed reactive magnetron sputtering. Characteristics of AlN films were investigated experimentally by means of FE-SEM, X-ray diffraction, and FT-IR, respectively. As a result, highly (002) oriented AlN thin films with almost free residual stress were achieved using 3C-SiC buffer layers. Therefore, AlN thin films grown on 3C-SiC buffer layers can be used for various piezoelectric fields and M/NEMS applications.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.13
no.5
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pp.245-247
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2012
In this study, ZnO films have been grown on PES (polyethersulfone) of flexible polymer substrate by PLD (pulsed laser deposition) and characterized for crystalline and optical properties. Growing conditions were changed with substrate temperatures ranging from 50 to $200^{\circ}C$ and laser power density ranging from 0.2 to $0.4J/cm^2$. When ZnO thin films are deposited at low temperature with a small laser power density, the (002) peaks of XRD to signify the crystal quality of ZnO thin films appear to be very weak and the (101) peaks to signify the chemical composition of oxygen and zinc are strong. The (002) peaks increase with the substrate temperature and laser power density because the energy needed for the supply of the combination regarding zinc and oxygen has increased. In this study, the best condition for growing ZnO thin film on PES is at a substrate temperature of $200^{\circ}C$ and with a laser density of $0.3J/cm^2$. The characteristics of PL were measured by UV and green luminescence.
Effects of nitrogen and carbon sources on the decolorization rate of poly R-478 dye by a white rot basidiomycete Coriorus versicolor IFO 30388 were examined. The fungus exhibited 87.2% of decolorization rate when it was cultured in the state of stationary in a nitrogen-limited medium (pH 4.5) which contained 2.0% glucose, 0.04% ammonium tartrate, 0.02% poly R-478 dye, 2% $KH_2PO_4$, 0.5% $MgSO_4{\cdot}7H_2O$, 0.1% $CaCl_2{\cdot}2H_2O$, 0.002% thiamine-HCl and 10 mM 2,2 dimethylsuccinate (sodium) at $28^{\circ}C$ for 10 days. Decolorization of the dye occurred in the presence of nitrogen source in the medium and decolorization rate increased rapidly after depletion of $NH_4^+$ from the medium.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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