• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.113-120
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• 2013

본 논문은 지금까지 NP-완전인 난제로 알려진 4-색 정리를 $O(n)$선형시간 복잡도로 수기식과 컴퓨터를 활용하여 증명하는 알고리즘을 제안하였다. 제안된 알고리즘은 그래프 $G=(V_1,E_1)$의 정점 집합 V를 최대 독립집합 $\bar{C_1}$와 최소 정점 피복 집합 $C_1$으로 정확히 양분하는 기법을 적용하여 $\bar{C_1}$에 첫 번째 색을 배정하고, $C_1$ 집합의 정점들로 축소된 연결 그래프 $G=(V_2,E_2)$를 대상으로 $\bar{C_2}$와 $C_2$로 양분하여 $\bar{C_2}$에 두 번째 색을 지정하였다. $C_2$ 집합의 정점들로 축소된 연결 그래프 $G=(V_3,E_3)$를 대상으로 $\bar{C_3}$와 $C_3$로 양분하여 $\bar{C_3}$에 세 번째 색을 지정하였다. 마지막으로$C_3$를 $\bar{C_4}$로 하여 4번째 색을 배정하였다. 2개의 실제 지도 그래프와 2개의 평면 그래프를 대상으로 제안된 알고리즘을 적용한 결과 모든 그래프에서 채색수 ${\chi}(G)=4$를 찾는데 성공하였다. 결국, 제안된 "4-색 알고리즘"은 평면 그래프의 4-색을 결정하는 일반적인 알고리즘으로 적용할 수 있을 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제11권9호
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• pp.776-780
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• 2001

$SiO_2$ and polycrystalline Si layers were sequentially grown on (100) Si. NiSi was formed on this substrate from a 20nm Ni layer or a 20nm Ni/5nm Ti bilayer by rapid thermal annealing (RTA) at $300~500^{\circ}C$ to compare thermal stability. In addition, MOS capacitors were fabricated by depositing a 20nm Ni layer on the Poly-Si/$SiO_2$substrate, RTA at $400^{\circ}C$ to form NiSi, $BF_2$ or As implantation and finally drive- in annealing at $500~800^{\circ}C$ to evaluate electrical characteristics. When annealed at $400^{\circ}C$, NiSi made from both a Ni monolayer and a Ni/Ti bilayer showed excellent thermal stability. But NiSi made from a Ni/Ti bilayer was thermally unstable at $500^{\circ}C$. This was attributed to the formation of insignificantly small amount of NiSi due to suppressed Ni diffusion through the Ti layer. PMOS and NMOS capacitors made by using a Ni monolayer and the SADS(silicide as a dopant source) method showed good C-V characteristics, when drive-in annealed at $500^{\circ}C$ for 20sec., and$ 600^{\circ}C$ for 80sec. respectively.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권8호
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• pp.800-806
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• 1997

The behavior of de levels in rapid thermal annealed Fe-doped semi-insulating InP(100) was studied by photoinduced current transient spectrocopy(PICTS). In bulk InP, T2(Ec-0.24 eV), T3(Ec-0.30 eV) and T5(Ec-0.62 eV) traps were observed. After annealing the T2 trap was annihilated at 20$0^{\circ}C$ and recreated at 35$0^{\circ}C$. T3 trap was not affected below 40$0^{\circ}C$. With increasing temperature the concentration of T5 trap reduced and it was annihilated at 30$0^{\circ}C$. However the T1(Ec-0.16 eV) and T4(Ec-0.42 eV) traps were began to appear at 40$0^{\circ}C$and these concentrations were increased with annealing temperature. The T1 and T4 traps seem to be related to the isolated phosphorus vacancy( $V_{p}$) and $V_{p}$-indium antisite( $V_{p}$- $P_{in}$ ) or $V_{p}$-indium interstitial( $V_{p}$-I $n_{I}$) respectiely.respectiely.

• 한국자원식물학회지
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• 제19권6호
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• pp.700-705
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• 2006

Present studies were performed to determine the physiology of seed germination in Viola species native to Korea. Twelve species, 1 variety and 1 form were collected, classified and used as materials: V. collina, V. blandaefomis, V. rosii, V. chaerophylloides, V. phalacrocarpa, V. patrinii, V. mandshurica, V. mandshurica for. albescence, V. seoulensis, V. yedoensis, V. keiskei, V. variegata, V. variegata var. chinensis, and V. verecunda. V. tricolor 'Helen Mount' was also used to compare wild with cultivated species. In order to investigate the effect of temperature on seed germination, seeds stored at $4{\pm}2^{\circ}C$ for 10 months or 4 years were incubated at 10, 15, 20, $25^{\circ}C$ under 16h illumination with 4 replicates per treatment. Seeds which had not germinated at $10^{\circ}C$ were transferred to $30^{\circ}C$ to assess the effect of temperature change in germination. Germination percent and the days of first, 40% and 80% germination were assessed. Capability of seed germination varied with taxon; Species belonging to subsection Patellares had high ability of germination, compared to species in the other subsections, and series Chinensis was the best among subsection Patellares. Species capable of high germination germinated in all temperatures with reasonably high germination rate, but the other species responded sensitively to temperature with different germination patterns. Higher the temperature, shorter the incubation time required for first, 40% and 80% of germination. Therefore, high temperature was effective in almost all species, not only for inducing high rate of germination but also the uniformity of germination. Temperature change from $10^{\circ}C\;to\;30^{\circ}C$ had a positive effect on seed germination.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권6호
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• pp.272-278
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• 2003

초음파 분무에 의한 유기금속 화학증착법 (MOCVD)법으로 $Bi_4Ti_3O_{12}$(BIT)와 Bi와 Ti 대신에 La과 V을 동시에 치환시킨 ($Bi_{3.75}La_{0.75})(Ti_{2.97}V_{0.03})O_{12}$ (BLTV)박막을 ITO/glass 기판 위에 증착하였다. 산소 분위기에서 30분 동안 증착한 후, RTA 방식의 직접삽입법으로 열처리를 하였다. 박막은 페로브스카이트상 생성 온도, 미세구조, 전기적 성질에 관해서 조사하였다. XRD(X-Ray diffraction) 측정결과 BLTV 박막의 페로브스카이트상 생성 온도는 약 $600^{\circ}C$로써 BIT의 $650^{\circ}C$보다 더 낮았다. BLTV 박막의 누설전류는 인가전압 1 V에서 $1.52\times10^{-19}$ A/cm^2$로 측정되었다 또한, $650^{\circ}C$에서 증착했을 경우 잔류 분극값이 $5.6\mu$C/$cm^2$, 항전계값 96.5 kV/cm으로 명확한 강유전성을 보이고 있다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.44-48
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• 2001

본 연구에서는, 접촉연소식 가스 탐지 소자를 대상으로 감도특성 및 전기적 특성을 분석하였으며, 24시간 동안 공기중에 노출시킨 후 온도($20^{\circ}c$, $40^{\circ}c$)와 상대습도(65%, 85%)에서 작동시켜 분석하였다. 또한 동일한 주거환경에서 210일 동안 50 cm/sec 유속을 유지하며 가스탐지소자의 동작을 실험하였다. 가스 탐지센서에 공급 전원은 기본회로에 직류 전압별(2.1V, 2.2V, 2.3V)로 인가하였다. 따라서, 상대습도와 온도에 의한 이소부탄과 메탄 특성그래프를 각각 분석한 결과 전반적으로 선형적인 증가를 보임을 확인할 수 있다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권11호
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• pp.765-770
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• 2001

고온 급속 열처리시킨 LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조를 이용하여 MFIS 소자를 제작하고, 비휘발성 메모리 동작 가능성을 확인하였다. 고유전율 AIN 박막 위에 Pt 전극을 증착시켜 제작한 MIS 구조에서 측정한 1MHz C-V 특성곡선에서는 히스테리시스가 전혀 없고 양호한 계면특성을 보였으며, 축적 영역으로부터 산출한 비유전율 값은 약 8 이었다. Pt/LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조에서 측정한 1MHz C-V 특성의 축적영역에서 산출한 LiNbO₃ 박막의 비유전율 값은 약 23 이었으며, ±5 V의 바이어스 범위 내에서의 메모리 윈도우는 약 1.2 V이었다. 이 MFIS 구조에서의 게이트 누설전류밀도는 ±500 kV/cm의 전계 범위 내에서 10/sup -9/ A/㎠ 범위를 유지하였다. 500 kHz의 바이폴러 펄스를 인가하면서 측정한 피로특성은 10/sup 11/ cycle 까지 초기값을 거의 유지하는 우수한 특성을 보였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제10권2호통권19호
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• pp.156-160
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• 2006

Al2O3 층의 유무에 따른 Ge 나노입자가 형성된 MOS 구조의 캐패시터의 전압에 대한 캐패시턴스 (C-V)의 특성을 측정하였다. Al20O층이 형성된 MOS 캐패시터의 C-V 곡선은 전압의 변화에 대해 나타나는 반시계 방항의 히스테리시스 특성은 Si 기판과 Ge 나노입자 사이를 전자가 터널링하여 Ge 나노입자에 저장되었기 때문이다. Al2O3 층이 없는 MOS 캐패시터의 경우, 시계 방향의 히스테리시스 특성과 좌측으로 이동한 플랫-밴드 전압 값을 볼 수 있다. 이것은 SiO2 층에 존재하는 산소 결원 (oxygen vacancy) 으로 인한 전하 트랩이 이러한 특성을 나타냈다 할 수 있다. 또, 백색광이 C-V 특성에 미치는 영향에 대하여 논하였다.

• 전력전자학회논문지
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• 제8권6호
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• pp.534-542
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• 2003

현재 차량에 사용되는 전동기는 대부분 직류전동기로, 12V또는 24V 밧데리 전원으로 구동되는 엔진 냉각 팬, 오일 펌프 및 공조시스템 등에 적용되고 있다 그러나 직류전동기의 경우 효율, 수명, 내구성에 취약한 단점을 지니고 있다. 따라서, 자동차용 전동기로써 구조가 간단하고 내구성이 우수한 SRM(Switched Reluctance Motor)의 관심이 매우 높아지고 있다. SRM을 차량용으로 사용하기 위해서는 고성능 제어와 12V 전윈 구동에 모두 우수한 성능을 갖는 구동 컨버터의 선정이 매우 중요하다. 여러 종류의 구동 컨버터는 각각의 장단점을 갖고 있어, 차량에 적용시 여러 가지 제약 조건이 따른다. 일반적으로 많이 사용되고 있는 비대칭 컨버터는 제어성능이 우수하지만, 각 상당 스위치가 가장 많이 필요하고, 상당 2개의 스위치에 의한 전압강하가 발생하는 단점을 지니고 있어, 차량의 12V 전원에는 부적절하다 구조가 간단하고, 스위치 수가 적은 컨버터로 차량의 환경과 여러 요구조건을 충족시킬 수 있는 컨버터로써 Modified C-dump 컨버터와 Energy efficient C-dump 컨버터를 선정하였다. 제안된 두 컨버터를 시뮬레이션과 실험을 통해 비교 검토하여, 차량용 SRM 구동 컨버터로써 Energy efficient C-dump 컨버터의 우수한 제어성능을 증명하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.38-42
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• 2000

플라즈마 중합박막은 내정전 플라즈마 중합장치에 의해서 제조되었다. 중칙률을 4O[W]에서 100[W] 사이에서 최대값을 나타내었다. ESCA 분석에샤는 285.4와 285.5[eV]에서 -CH2, -C-를 나타내는 피크들을 보였다. 무시할 수 없는 양으로 산소와 그룹화 되어 있는 532.8[eV]에서의 C-O와 533.8[eV)에서의 C-O[C/O=8]를 확인하였다. ESR 분석에서 강한 진폭이 나타나는 곡선은 매우 약한 방전전력에 영향을 받은 포화상태를 나타낸다. 알림기를 함유한 -CH-CH=CH- 구조로 사료된다. 제조된 플라즈마 중합박막은 100[Hz]~200[kHz]의 주파수에서 비유전율이 3,5정도를 보이고 유전정접은 0.08의 낮은 값올 냐타내었다.