• 한국수산과학회지
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• 제29권5호
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• pp.643-650
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• 1996

본 실험은 조피볼락에서의 비타민 C 함량을 달리한 6가지 반정제사료를 28주간 공급했을때의 성장 효과와 그에 따른 네가지 조직에서의 비타민 C 축적량 및 비타민 C 요구량을 조사하기 위해 실시되었다. 4주간의 예비 사육 기간에는 어체내에 축적되어 있을 비타민 C 함량을 최소화하기 위해 비타민 C를 첨가하지 않은 $C_0$ 사료를 공급하였다. 실험어는 실험 시작 평균 체중이 12.6g인 조피볼락 치어를 사용하였으며, 6개 실험구로 나누어 3반복으로 하였으며, 6가지 실험 사료의 비타민 C 첨가 농도는 다음과 같다: 0, 25, 50, 75, 150 and 1500 mg L-ascorbic acid (AA)/kg diet $(C_0,\;C_{25},\;C_{50},\;C_{75},\;C_{150},\;&\;C_{1500})$. 총 28주간의 사육 실험 결과, 증체율, 사료전환효율, 일일성장율, 단백질전환효율은 $C_0$ 실험 구가 다른 모든 실험구들에 비해 유의적으로 낮게 나타났으며 다른 실험구들 간에는 유의적인 차이가 없었다 (P<0.05). 28주간 사육 실험 후의 조직내 비타민 C 분석결과, 네가지 조직 중 총 비타민 C 함량이 가장 높은 조직은 근육이며, 단위 무게당 비타민 C 함량이 가장 높은 조직은 뇌임을 알 수 있었다. 사료내 비타민 C 분석 결과, $C_25$ 사료구의 비타민 C 농도는 64.5mg AA/kg diet로 나타났다. 따라서 성장기 조피볼락에 있어서 사료내 비타민 C 요구량은 약 65mg AA/kg diet 정도일 것으로 추정된다.

• 한국균학회지
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• 제26권1호통권84호
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• pp.1-7
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• 1998

동충하초 균주의 종간 또는 종내의 근연관계를 구명하고자 단백질 분석을 실시한 결과 25개 공시 균주는 85%의 유사도범위에서 세개의 그룹으로 분류되었다. C. militaris 종내의 유사도는 $0.787{\sim}1.000$ 범위로 나타났으며 C. kyushuensis는 $0.958{\sim}1.000$으로 상당히 높은 유사성을 보였다. C. pruinosa역시 종내의 유사성이 $0.993{\sim}1.000$의 높은 수준을 보였다. C. militaris종내에서는 형태적으로 다른 C. militaris균주와는 달리 다소 매생한 형태의 자낭각을 형성한 C210균주와 C298균주가 단백질분석에서도 약 91%의 상동성을 보이며 clustering되었다. 또한 유충을 기주로 자실체를 형성하는 균주들(C108, C225-1, C228)에 있어서도 약 89%의 높은 상동성을 보이며 clustering되었다. C. militaris그룹과 가장 가까운 근연관계를 보인 그룹은 박각시 나방의 유충을 기주로하는 C. kyushuensis와 인시목의 번데기를 기주로 자실체를 형성하는 C. pruinosa로 C. militaris그룹과는 약 87%의 상동성을 보였으며 C. pruinosa와 C. kyushuensis간에는 88%의 상동성을 보였다. 인시목의 번데기를 기주로 자실체를 형성하며 평판배지상에서 분생포자를 형성하는 C. bifusispora는 불완전 균인 Paecilomyces tenuipes와 89%의 상동성을 보였으며 풍뎅이 성충만을 특이적으로 침입하는 C. scarabaeicola는 이 두종과 약 82%의 상동성을 보였다 C. militaris로 동정한 C118의 경우는 단백질 분석에서도 밴드양상이 C. militaris그룹과는 상당히 다른 양상을 보였다.

• 생물환경조절학회지
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• 제6권2호
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• pp.110-116
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• 1997

참외 금싸라기은천을 신토좌 대목에 호접하여 저온기 참외 시설재배시 지중가온의 효과를 구명하고자 비닐 하우스내에 온수보일러를 설치하여 지하 35cm 부위에 직경 15mm의 엑셀파이프를 180cm 이랑에 2열 매설한 후 지하 20cm의 최저 지온을 17$^{\circ}C$, 21$^{\circ}C$ 및 $25^{\circ}C$로 설정하고 1월 18일부터 4월 18일까지 일정하게 유지 관리하여 무가온구와 비교 시험한 결과는 다음과 같다. 1 암꽃의 개화는 무가온구에 비해 17$^{\circ}C$구는 1일, 21$^{\circ}C$구는 6일, $25^{\circ}C$구는 7일 정도 빨랐고 첫 수확 소요일수는 무가온구에 비해 17$^{\circ}C$구는 5일, 21$^{\circ}C$구는 11일, $25^{\circ}C$구는 12일 단축되었다. 2. 평균과중은 21$^{\circ}C$>$25^{\circ}C$>17$^{\circ}C$>무가온구의 순이었고 과육두께는 $25^{\circ}C$>21$^{\circ}C$>17$^{\circ}C$무가온구의 순이었다. 3. 과육부의 무기물 함량은 Mg를 제외한 N, P, K, Ca는 지온이 높을수록 흡수량이 증가하였는데, 특히 인산과 칼슘이 무가온구에 비해 고지온구에서 흡수가 많았다. 인산은 무가온구가 0.42%였으나 17$^{\circ}C$구 0.46%, 21$^{\circ}C$구는 0.59% 그리고 $25^{\circ}C$구는 0.69%였고, 칼슘은 무가온구가 0.41%였으나 17$^{\circ}C$구는 0.42%, 21$^{\circ}C$구는 0.47% 그리고 $25^{\circ}C$구에서는 0.46%였다. 4. 지중온도별 기형과율 및 발효과율은 무가온>17$^{\circ}C$>$25^{\circ}C$>21$^{\circ}C$구의 순이었고 상품과율은 21$^{\circ}C$>$25^{\circ}C$>17$^{\circ}C$>무가온구의 순이었다. 5. 초기 및 중기의 상품과수량은 $25^{\circ}C$구가 가장 많았고 그 다음은 21$^{\circ}C$, 17$^{\circ}C$, 무가온구의 순이었으나 후기에는 17$^{\circ}C$구가 가장 많았고 그 다음은 무가온, 21$^{\circ}C$, $25^{\circ}C$구의 순이었다. 10a당 상품과총수량은 무가온구의 1,490kg에 비하여 17$^{\circ}C$구가 33%, 21$^{\circ}C$구가 49%, $25^{\circ}C$구가 37% 증수하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권1호
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• pp.39-42
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• 1999

N-도핑된 3C-SiC (N-SiC(3C))을 화학기상증착(CVD)으로 $1250^{\circ}C$에서 Si(111) 기판 위에 tetramethylsilane(TMS)를 열분해하여 성장하였다. 수송가스는 $H_{2}$이었고, N-SiC(3C) 에피층은 CVD로 성장되는 동안 $NH_{3}$에 의하여 n-형으로 도핑되었다. N-SiC(3C)의 물리적 특성은 적외선 분광(FTIR), X-선 회절(XRD), 라만 스펙트럼(Raman spectrum), 단면 투과전자영상(XTEM), Hall 측정 및 p/n 다이오드의 전압-진압(I-V) 특성에 의하여 조사되었다. N-도핑된 SiC(3C) 에피층의 전도형은 n-형이었고, 전도형은 $NH_{3}$를 사용한 N-dopant에 의하여 저온에서 잘 조절될 수 있다.

• 한국균학회지
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• 제21권3호
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• pp.224-229
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• 1993

C. dematium 과 C. gloeosporioides의 포자발아 및 발아관 신장에 알맞는 온도는 $20{\sim}30^{\circ}C$이며 부착기는 $20^{\circ}C$에서 형성이 잘 되었으나 포자의 발아는 늦었다. $30^{\circ}C$에서는 포자발아와 발아관의 신장이 양호하였으나 부착기의 형성은 낮았다. C. acutatum의 포자발아에 알맞는 온도는 $20{\sim}30^{\circ}C$이었으나 발아관의 신장이 $25^{\circ}C$에서 촉진되었다. 분생포자는 격막이 생기고 발아관 대신 $1{\sim}2$개의 딸세포가 포자화되었으며, 제2차 포자를 형성하면서 수지상(樹枝狀)으로 되었다. 부착기는 포자의 발아에 의해서 드물게 형성되었으며 알맞는 온도는 $20{\sim}30^{\circ}C$이었다. 그러나 $30^{\circ}C$에서 발아된 포자는 부착기의 형성능력이 없었다. Colletotrichum acutatum, C. dematium 및 C. gloeosporioides 등의 분생포자 발아 및 부착기 형성에 미치는 온도의 영향에 관해서 논의(論議)하였다.

• Journal of Welding and Joining
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• 제14권4호
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• pp.99-108
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• 1996

The microstructure and bond strength are examined on the SiC/SiC and SiC/mild steel joints brazed by the Ag-Ti based alloys with different Ti contents. In the SiC/SiC brazed joints, the thickness of the reaction layers at the bond interface and the Ti particles in the brazing alloy matrices increase with Ti contents. When Ti is added up to 9 at% in the brazing alloy. $Ti_3SiC_2$ phase in addition to TiC and $Ti_5Si_3$ phase is newly created at the bond interface and TiAg phase is produced from peritectic reaction in the brazing alloy matrix. In the SiC/mild steel joints brazed with different Ti contents, the microstructure at the bond interface and in the brazing alloy matrix near SiC varies similarly to the case of SiC/SiC brazed joints. But, in the brazing alloy matrix near the mild steel, Fe-Ti intermetallic compounds are produced and increased with Ti contents. The bond strengths of the SiC/SiC and SiC/mild steel brazed joints are independent on Ti contents in the brazing alloy. There are no large differences of the bond strength between SiC/SiC and SiC/mild steel brazed joints. In the SiC/mild steel brazed joints, Fe dissolved from the mild steel does not affect on the bond strength of the joints. Thermal contraction of the mild steel has nearly no effects on the bond strength due to the wide brazing gap of specimens used in the four-point bend test. The brazed joints has the average bond strength of about 200 MPa independently on Ti contents, Fe dissolution and joint type. Fracture in four-point bend test initiates at the interface between SiC and TiC reaction layer and propagates through SiC bulk. The adhesive strength between SiC and TiC reaction layer seems to mainly control the bond strength of the brazed joints.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
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• pp.166-171
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• 2007

The characterization of monolithic SiC and SiCf/SiC composite materials fabricated by NITE and RS processes was investigated in conjunction with the detailed analysis of their microstructure and density. The NITE-SiC based materials were fabricated, using a SiC powder with average size of 30 nm. RS- SiCf/SiC composites were fabricated with a complex slurry of C and SiC powder. In the RS process, the average size of starting SiC particle and the blending ratio of C/SiC powder were $0.4\;{\mu}m$ and 0.4, respectively. The reinforcing materials for /SiC composites were BN-SiC coated Hi-Nicalon SiC fiber, unidirectional or plain woven Tyranno SA SiC fiber. The characterization of all materials was examined by the means of SEM, EDS and three point bending test. The density of NITE-SiCf/SiC composite increased with increasing the pressure holding time. RS-SiCf/SiC composites represented a great decrease of flexural strength at the temperature of $1000\;^{\circ}C.$

• 센서학회지
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• 제16권4호
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• pp.319-323
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• 2007

This paper describes the mechanical characteristics of poly 3C-SiC thin films grown on Si wafers with thermal oxide. In this work, the poly 3C-SiC thin film was deposited by APCVD method using only Ar carrier gas and single precursor HMDS at $1100^{\circ}C$. The elastic modulus and hardness of poly 3C-SiC thin films were measured using nanoindentation. Also, the roughness of surface was investigated by AFM. The resulting values of elastic modulus E, hardness H and the roughness of the poly 3C-SiC film are 305 GPa, 26 GPa and 49.35 nm respectively. The mechanical properties of the grown poly 3C-SiC film are better than bulk Si wafers. Therefore, the poly 3C-SiC thin film is suitable for abrasion, high frequency and MEMS applications.

• 한국수산과학회지
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• 제14권1호
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• pp.1-6
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• 1981

유지의 triglyceride 조성을 밝히기 위하여 비교적 구성지방산의 종류가 간단한 수종의 식물유를 시료로 하여 연구 검토하였는데, 본 보고에서는 참기름의 triglyceride 조성에 대하여 보고하기로 한다. 시료유를 Bio-Beads SX-2및 sephadex LH-20을 사용한 column chromatography에 의하여 triglyceride를 분리하고, 이것을 $\mu-Bondapak\;C_{18}$ column을 사용한 HPLC에 걸어 PN별로 triglyceride를 분획하여 분취하였다. 분취한 획분의 일부를 GLC에 걸어 acyl 탄소수별로 분획하고, 또 일부는methyl 화하여 GLC에 걸어 지방산조성을 분석하였다. 이들 결과로부터 triglyceride조성을 산정하였는데 산정할 수 있었는 triglyceride는 21종류이며, 그 중 주요 triglyceride는 $(2{\times}_{C18:1},\;C_{18:2};\;17.1\%),\;(C_{18:1},\;2{\times}C_{18:2};\;17.0\%),\;(3{\times}C18:2;17.0\%),$ $(3{\times}C_{18:1}; \;10.9\%),\;(3{\times}C_{18:2};\;9.6\%),$ $(C_{16:0},\;C_{18:1},\;C_{18:2};\;7.9\%),\;(C_{16:0},\;2{\times}C_{18:1};\;7.4\%),$ $(C_{16:0},\;2{\times}C_{18:2};\;6.8\%), (C_{18:0},\;C_{18:1},\;C_{18:2};\;3.1\%),$ $(2{\times}C_{18:0},\;C_{18:2};\;1.5\%),\;(C_{18:0},\;2{\times}C_{18:1};\;1.4\%),$ $(C_{16:0},\;C_{18:0},\;C_{18:1};\;1.3\%),\;(2{\times}C_{16:0},\;C_{18:1};\;1.2\%)$ 및 $(C_{16:0},\;C_{18:0},\;C_{18:2};\;1.0\%)$ 등이었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권6호
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• pp.487-490
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• 2010

This paper describes the elecrtical and optical characteristics of $N_2$ doped porous 3C-SiC films. Polycrystalline 3C-SiC thin films are anodized by $HF+C_2H_5OH$ solution with UV-LED exposure. The growth of in-situ doped 3C-SiC thin films on p-type Si (100) wafers is carried out by using APCVD (atmospheric pressure chemical vapor deposition) with a single-precursor of HMDS (hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6)$. 0 ~ 40 sccm $N_2$ was used for doping. After the growth of doped 3C-SiC, porous 3C-SiC is formed by anodization with $7.1\;mA/cm^2$ current density for anodization time of 60 sec. The average pore diameter is about 30 nm, and etched area is increased with $N_2$ doping rate. These results are attributed to the decrease of crystallinity by $N_2$ doping. Mobility is dramatically decreased in porous 3C-SiC. The band gaps of polycrystalline 3C-SiC films and doped porous 3C-SiC are 2.5 eV and 2.7 eV, respectively.