Titanium alloys are extensively used in high-temperature applications due to their excellent high strength and corrosion resistance properties. However, titanium alloys are problematic because they tend to be extremely difficult-to-cut material. In this paper, the powder synthesis, spark plasma sintering (SPS), bulk material characteristics and machinability test of hybrid $Ti_2AlC$ ceramic bulk materials were systematically examined. The bulk samples mainly consisted of $Ti_2AlC$ materials with density close to theoretical value were synthesized by a SPS method. Random orientation and good crystallization of the $Ti_2AlC$ was observed at $1100^{\circ}C$ for 10 min under SPS sintering conditions. Scanning electron microscopy results indicated a homogeneous distribution and nano-laminated structure of $Ti_2AlC$ MAX phase. The hardness and electrical conductivity of $Ti_2AlC$ were higher than that of Ti 6242 alloy at sintering temperature of $1000^{\circ}C{\sim}1100^{\circ}C$. Consequently, the machinability of the hybrid $Ti_2AlC$ bulk materials is better than that of the Ti 6242 alloy for micro-EDM process of micro-hole shape workpiece.
Atmospheric bulk (wet and dry) samples were monthly collected in Masan and Heangam areas of Korea, to assess the deposition flux and seasonal variation of polycyclic aromatic hydrocarbons (PAHs). Deposition fluxes of PAHs in bulk samples were determined using gas chromatography coupled to mass spectrometer detector (GC/MSD). Particle deposition fluxes from Masan and Haengam areas varied from 13 to $87\;g/m^2/year$ and from 5 to $52\;g/m^2/year$, respectively. PAHs deposition fluxes in atmospheric bulk samples in Masan and Haengam areas ranged from 135 to $464\;{\mu}g/m^2/year$ and from 62.2 to $194\;{\mu}g/m^2/year$, respectively. Atmospheric deposition fluxes of particles and PAHs in this study were comparable to or slightly lower values than those from different locations in Korea and other countries. PAHs profiles of atmospheric deposition bulk samples showed slightly different from two sampling areas, however the predominant species of PAHs were similar. Indeno (1,2,3-c,d)pyrene, benzo(g,h,i)perylene, phenanthrene compounds were the most detected PAHs in deposition bulk samples. Carcinogenic PAHs occupied the contribution of approximately $30-40\%$ of the total PAHs deposition fluxes. The non-metric multi-dimensional scaling (MDS) was used, to assess the differentiation of PAHs source between two sampling areas. The result suggests that PAHs contamination sources were different according to the location and season surveyed. There was no an apparent relationship between the PAHs deposition flux against temperature and rainfall amount, even though summer season with the highest temperature and the largest amount of precipitation showed the lowest PAHs deposition flux. Benzo(e)pyrene/benzo(a)pyrene ratio indicated that the photo-degradation process was one of important factors to the seasonal variation of PAHs with the lower deposition fluxes.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.175-175
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2000
Si(100) surfaces were exposed to gas-phase thermal-energy hydrogen atoms, H(g). We find that thermal H(g) atoms etch, amorphize, or penetrate into the crystalline silicon substrate, depending on the employed Ts range during the H(g) exposure. We find that etching is enhanced as Ts is lowered in the 300-700K range, while amorphous silicon hydride (a-Si:H) formation dominates at a Ts below 300K. This result was well explained by the fact that formation of the etching precursor, SiHx(a), and amorphization are both facilitated by a lower Ts, whereas the final step for etching, SiH3(a) + H(g) longrightarrow SiH3(g), is suppressed at a lower Ts. we also find that direct absorption of H(g) by the crystalline bulk of Si(100) substrate occurs within a narrow Ts window of 420-530K. The bulk-absorbed hydrogen evolved out molecularly from Si(100) at a Ts 80-120K higher than that for surface monohydride phase ($\beta$1) in temperature-programmed desorption. This bulk-phase H uptake increased with increasing H(g) exposure without saturation within our experimental limits. Direct absorption of H(g) into the bulk lattice occurs only when the surface is atomically roughened by surface etching. While pre-adsorbed hydrogen atoms on the surface, H(a), were readily abstracted and replaced by D(g), the H atoms previously absorbed in the crystalline bulk were also nearly all depleted, albeit at a much lower rate, by a subsequent D(g) at the peak temperature in TPD from the substrate sequentially treated with H(g) and D(g), together with a gas phase-like H2 Raman frequency of 4160cm-1, will be presented.
Temperature is the most influential environment parameter which affects the quality change of agricultural products in cold storage. Therefore, it is essential to keep the uniform temperature distribution in the storage room. This study was performed to analyze the air movement and temperature distribution in the forced recirculating cold storage facility and to simulate optimum storage method of green groceries using 3-D CFD(three dimensional computational fluid dynamics) computer simulation which applied the standard $textsc{k}$-$\varepsilon$ turbulence model and FVM(finite volume method). The simulation was validated by the experimental results for onion storage and the simulation model was used to simulate the temperature and velocity distribution in the storage room with reference to the change of storage method such as location of storage, no stores, bulk storage, and pallet storage. In case of no stores, internal airflow was circulated without stagnation and consequently air movement and temperature distribution were uniform. In case of bulk storage, air movement was stagnated so much and temperature distribution of onion was not uniform. Furthermore, the inner temperature of onion roses more than the initial temperature of storage. In case of pallet storage, air movement and temperature distribution of onion were so uniform that the danger of quality change was decreased.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.52
no.10
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pp.451-457
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2003
The silicon wafer is stable status at room temperature, but it is weak at high temperatures which is necessary for it to be fabricated into a power semiconductor device. During thermal diffusion processing, a high temperature produces a variety thermal stress to the wafer, resulting in device failure mode which can cause unwanted oxide charge or some defect. This disrupts the silicon crystal structure and permanently degrades the electrical and physical characteristics of the wafer. In this paper, the electrical characteristics of a single oxide layer due to high temperature diffusion process, wafer resistivity and thickness of polyback was researched. The oxide quality was examined through capacitance-voltage characteristics, defect density and BMD(Bulk Micro Defect) density. It will describe the capacitance-voltage characteristics of the single oxide layer by semiconductor process and device simulation.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1994.05a
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pp.17-20
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1994
PTCRl(positive temperature coefficient of resistivity) thermistors in the thin file BaTiO$_3$ system were deposited by radio frequency (13.56 MHz) and dc radio frequency (13.56MHz) and dc magnerton sputter equipment. R-T(resistivity -temperature) properties was investigated as a function of substrate and the temperature variation. The specimens make a comperison between the thin films and the bulk in the resistivity variation. Substrate temperature. deposition time. and forward power are deposited at the 400$^{\circ}C$, 10 hours, and 210 watt. respectively. The aim of this work is to obtain lower than bulk specimen resistivity in thin films BaTiO$_3$ system thermistor by RF/DC magnetron sputter equipment.
The microwave dielectric properties of the $Ba_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics with sintering temperature were investigated. All sample of the $Ba_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics prepared by conventional mixed oxide method and sintered at $1450^{\circ}C{\sim}1575^{\circ}C$. Porosity of the $Ba_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics was reduced with increasing sintering temperature. The bulk density, dielectric constant and Qualify factor increased with increasing sintering temperature. In the case of $Ba_{5}Ta_{4}O_{15}$ ceramics sintered at $1550^{\circ}C$, The bulk density, dielectric constant and quality factor were $7.31g/cm^2$ and 27.4, 30,635GHz, respectively.
We investigated the cryogenic temperature plasticity of a bulk amorphous alloy. Experiments showed that as temperature decreases, the plasticity of the alloy increases, such that the alloy exhibited ~20% of plastic strain when tested at $-196^{\circ}C$. This enhancement in the plasticity at cryogenic temperatures was associated with the formation of abundant shear bands distributed uniformly over the entire surface of the sample. Nonetheless, the serrations, the characteristic feature of the plastic deformation of amorphous alloys, were unclear at $-196^{\circ}C$. In this study, both the enhanced plasticity and the unclear serrations exhibited by the amorphous alloy at cryogenic temperatures were clarified by exploring shear banding behaviors in the context of the velocity and the viscosity of a propagating shear band.
Characteristics of skin-bulk sea surface temperature (SST) differences in the Northeast Asia seas were analyzed by utilizing 845 collocated matchup data between NOAA/AVHRR data and oceanic in-situ temperature measurements for selected months from 1994 to 2003. In order to understand diurnal variation of SST within a few meters of the upper ocean, the matchup database were classified into four categories according to day-night and drifter-shipboard measurements. Temperature measurements from daytime drifters showed a good agreement with satellite MCSST (Multi-Channel Sea Surface Temperature) with an RMS error of about $0.56^{\circ}C$. Poor accuracy of SST with an rrns error of $1.12^{\circ}C$ was found in the case of daytime shipboard CTD (Conductivity, Temperature, Depth) measurements. SST differences between MCSST and in-situ measurements are caused by various errors coming from atmospheric moist effect, coastal effect, and others. Most of the remarkable errors were resulted from the diurnal variation of vertical temperature structure within a few meters as well as in-situ oceanic temperatures at different depth, about 20 cm for a satellite-tracked drifting buoy and a few meters for shipboard CTD or moored buoy. This study suggests that satellite-derived SST shows significant errors of about ${\pm}3^{\circ}C$ in some cases and therefore it should be carefully used for one's purpose on the base of in-depth understanding of skin-bulk SST difference and vertical temperature structure in regional sea.
Due to the temporal and spatial simultaneity and the high-frequency repetition, the data set retrieved from the satellite observation is considered to be the most desirable ones for the study of air-sea interaction. With rapidly developing sensor technology, satellite-retrieved data has experienced improvement in the accuracy and the number of parameters. Nevertheless, since it is still impossible to directly measure the heat fluxes between air and sea, the bulk method is an exclusive way for the evaluation of the heat fluxes at the sea surface. It was noted that the large deviation of air temperature in the winter season by the linear regression despite good correlation coefficients. We propose a new algorithm based on the Fourier series with which the SST and the air temperature. We found that the mean of air temperature is a function of the mean of SST with the monthly gradient of SST inferred from the latitudinal variation of SST and the spectral energy of air temperature is related linearly to that of SST. An algorithm to obtain the air temperature over the sea was completed with a proper analysis on the relation between of air temperature and of SST. This algorithm was examined by buoy data and therefore the air temperature over the sea can be retrieved based on just satellite data.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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