• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.131-131
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• 2011

이종접합 태양전지 제작을 위해 기판의 buffer layer로 사용되는 기존의 a-Si 박막을 SiON 박막으로 대체하려는 연구가 진행 중이다. 기존의 a-Si 박막은 대면적에서 균일도를 담보하기 어렵고, 열적 안정성에 취약한 문제점이 있다. 이에 반해 SiON 박막은 일종의 화학 반응인 oxidation 방법으로 형성이 되기 때문에 막의 균일도를 담보 할 수 있고, $400^{\circ}C$이상의 온도에서 형성되기 때문에 열적 안정성이 우수한 장점이 있다. 이러한 장점에도 불구하고 기판위에 직접 형성이 되기 때문에 기판과 SiON 계면 사이의 pssivation이 무엇보다 중요하다. 본 연구에서는 비정질 실리콘 이종접합 태양전지에 적용키 위한 SiON 박막을 형성하고, 기판과 SiON 계면에서의 passivation 향상을 위한 계면 결함 감소에 대한 연구를 진행하였다. 실험을 위한 SiON 박막은 공정온도 $450^{\circ}C$, 공정압력 100 mTorr, 증착파워 120 mW/cm2에서 5분간 증착하였으며, 이때 50 sccm의 N2O 가스를 주입하였다. 증착된 박막은 2~4 nm의 두께로 증착이 되었으며, 1.46의 광학적 굴절률을 가지는 것으로 분석되었다. 계면의 결함을 줄이기 위해 PECVD를 이용한 NH3 plasma treatment를 실시하였다. 공정온도 $400^{\circ}C$, 공정압력 150mTorr~450 mTorr, 플라즈마 파워 60mW/cm2에서 30분간 진행하였으며, 50 sccm의 N2O 가스를 주입하였다. 계면의 결함이 줄었는지 확인하기 위해 C-V 측정을 위한 시료를 제작하여 분석을 하였다. 실험 결과 VFB가 NH3 plasma treatment 이후 positive 방향으로 shift 됨을 알 수 있었다. Dit 분석을 통해 공정 압력 450 mTorr에서 $4.66{\times}108$[cm2/eV]로 가장 낮은 계면 결함 밀도를 확인 할 수 있었다. 결과적으로 NH3 plasma 처리를 통해 positive charge를 갖는 N-content가 형성되었음을 예측해 볼 수 있으며, N-content가 증가하면, 조밀한 Si-N 결합을 형성하면서, boron 및 phosphorus diffusion을 막는데 효과적이다. 또한, plasma treatment 과정에서 H-content에 의한 passivation 효과를 기대할 수 있다.

• Journal of Pharmaceutical Investigation
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• 제24권2호
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• pp.73-83
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• 1994

Applications of liposomes as a drug carrier for the oral delivery of poorly-absorbable macromolecular drugs have been limited, because of their instability in gastrointestinal environments including pH, bile salts, and digestive enzymes. Two polysaccharides, dextran(DX) and pullulan(PL), were introduced to the preformed liposomes in order to enhance the stability. Palmitoyl derivatives of polysaccharides, palmitoyldextran(PalDX) and palmitoylpullulan(PalPL), were synthesizd and introduced to the liposomes during preparation for the same purpose of stability. The effects of these polysaccharides coating were evaluated basically by physical properties of particle size distribution and optical microscopy, then compared with uncoated liposomes by the observations of both in vitro stability and in vovo absorption characteristics. The geometric mean diameters of polysaccharide-coated liposomes were greater than that of uncoated liposome, showing the outermost polysaccharide-coated layer under the optical microscopy. In vitro stabilities of uncoated or polysaccharides-coated liposomes were measured by turbidity changes in various pH buffer solutions containing sodium choleate as bile salts. While uncoated liposome was very sensitive to bile salts, polysaccharides-coated liposomes were stable in relatively higher concentrations of sodium choleate, giving the results of better stability of PalDX- and PalPL-coated liposomes than that of DX- and PL-coated liposomes. After liposomal encapsulation of acyclovir(ACV), an antiviral agent as a model drug, it has been administered orally to rats as dose of ACV 40 mg/kg. Plasma concentrations of ACV were assayed by HPLC and analyzed by model-independent pharmacokinetics. Pharmacokinetic parameters of Cmax, tmax, and [AUC] have been compared.

• 한국지역지리학회지
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• 제19권4호
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• pp.737-746
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• 2013

본 연구는 광릉 숲지역 지형을 유형화하여 산지 지형변화 관리 방안을 제시하고자 하였다. 지형요소는 축척별 계층적 체계에 따라 분류하였다. 지형유형화를 위한 축척은 4가지로 등급을 결정하였다. 등급0 요소는 4가지, 등급1은 6가지, 등급2는 12가지, 등급3은 27가지로 지형요소를 분류할 수 있었다. 지도화에 제약이 따르는 곡저미지형은 상부곡, 중간곡, 인공하도곡으로 분류하였다. 지표침식에 대한 지형관리 방안으로 저목통로, 암석과 자갈을 이용한 사면이나 다리 주변의 지형관리, 풍화층보다 안정된 기반암 지역에 관리 도로 건설, 하도벽 안식각 유지와 석축 쌓기, 마지막으로 산림 간벌시 완충구역 유지 등을 제안하였다. 본 연구결과는 산간지역 지형유형별 산림 관리에 필요한 정보를 제공해 줄 수 있을 것으로 본다.

• 센서학회지
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• 제23권2호
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• pp.94-98
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• 2014

Aluminum nitride (AlN) thin films with a TiN buffer layer have been fabricated on SUS430 substrate by RF reactive magnetron sputtering at room temperature under 25~75% $N_2$ /Ar. The characterization of film properties were performed using surface profiler, X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), and pressure-voltage measurement system. The deposition rates of AlN films were decreased with increasing the $N_2$ concentration owing to lower mass of nitrogen ions than Ar. The as-deposited AlN films showed crystalline phase, and with increasing the $N_2$ concentration, the peak of AlN(100) plane and the crystallinity became weak. Any change in the preferential orientation of the as-deposited AlN films was not observed within our $N_2$ concentration range. But in the case of 50% $N_2$ /Ar condition, the peak of (002) plane, which is determinant in pressure sensing properties, appeared. XPS depth profiling of AlN/TiN/SUS430 revealed Al/N ratio was close to stoichiometric value (45:47) when deposited under 50% $N_2/Ar$ atmosphere at room temperature. The output signal voltage of AlN sensor showed a linear behavior between 26~85 mV, and the pressure-sensing sensitivity was calculated as 7 mV/MPa.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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• pp.61-63
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• 2005

Pentacene based OTFT on PC and PES plastic substrates have been fabricated in a scale of 5 inches. We could get a small OTFT device enough to be applicable for AMOLED by acquiring the at least misalignment margin through a contact aligner. And also we could find out the degradation of device parameter through the integration processes and improve the properties by using a buffer layer as an etch stopper in an active patterning. Through these, the mobility of device is more than about $0.2cm^2/Vs$ and $I_{on}/I_{off}$ is higher than $10^5$.

• 한국통신학회논문지
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• 제27권4C호
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• pp.295-307
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• 2002

핫 플러깅과 네트웍 자동 재구성, 등시성 전송 기능을 지원하는 IEEE1394는 멀티미디어 디지털 홈 네트웍의 표준이 되었다. 특히 최근 IEEE 1394 프로토콜이 흠 씨어터 서비스와 같은 QoS 보장형 멀티미디어 네트웍, 실시간 통신 기능을 가지는 디지털 계측 제어 프로토콜과 연동되는 환경에서 백본 네트웍 프로토콜, 혹은 실시간 코바(CORBA) 와 같은 실시간성을 지원해야 하는 미들웨어의 물리계층 프로토콜 등에 사용되면서 네트웍 디바이스 드라이버 수준에서의 실시간성 보장이 요구되고 있다. 실시간성을 보장하기 위해 IEEE 1394 네트웍 디바이스 드라이버는 우선 순위 기반의 패킷 처리 기능과 1394의 등시성 통신의 주기에 기반한 등시성 버퍼관리 기능의 지원이 필요하다. 그러나 기존 상용 OS의 네트웍 디바이스 드라이버는 등시성 전송과 같은 IEEE 1394의 특성을 제대로 반영하지 못하며 실시간 통신을 지원하지 않는다. 본 논문에서는 IEEE 1394 디바이스 드라이버 수준에서 실시간 전송을 보장하기 위한 네트웍 디바이스 드라이버의 구조를 제안한다.

• 한국세라믹학회지
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• 제53권6호
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• pp.689-699
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• 2016

The effects of composition, structure design, and coating thickness of thermal barrier coating (TBC) on thermal barrier performance were investigated by measuring the temperature differences of TBC samples. TBCs with the thin and thick top coats were used for these studies, including TBCs with rare-earth (Gd, Yb, and La) compositions. The thermal barrier performance was enhanced with increasing the thickness of top coat even for thin TBCs, indicating that the thermal barrier performance was commensurate to the thickness of top coat. On the other hand, the bi-layered TBC, which was prepared with Yb-Gd-YSZ feedstock powder, with the buffer layer of high purity 8YSZ showed a better thermal barrier performance than that of regular purity 8YSZ. The interfaces in the bi-layered TBCs had a decisive effect on the thermal barrier performance, showing the performance enhanced with increasing numbers of interfaces. However, a new structural design and an additional process should be considered to reduce stress concentrations and to ensure interface stability, respectively, for improving thermal durability in the multi-layered TBCs.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제26권8호
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• pp.602-607
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• 2013

Concern for the TOS (Transparent Oxide Semiconductor) is increasing with the recent increase in interest for flexible device. Especially MgZnO has attracted a lot of attention. $Mg_xZn_{1-x}O$, which ZnO-based wideband-gap alloys is tuneable the band-gap ranges from 3.36 eV to 7.8 eV. In particular, the flexible substrate, the crystal structure of the amorphous as well as the surface morphology is not good. So research of MgZnO thin films growth on flexible substrate is essential. Therefore, in this study, we studied on the effects of the oxygen partial pressure on the structural and crystalline of $Mg_{0.1}Zn_{0.9}O$ thin films. MgZnO thin films were deposited on PES substrate by using pulsed laser deposition. We used XRD and AFM in order to observe the structural characteristics of MgZnO thin films. UV-visible spectrophotometer was used to get the band gap and transmittance. Crystallization was done at a low oxygen partial pressure. The crystallinity of MgZnO thin films with increasing temperature was improved, Grain size and RMS of the films were increased. MgZnO thin films showed high transmittance over 80% in the visible region.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권12호
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• pp.1122-1127
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• 1998

Group II-AF_2$films such as $CaF_2$, $SrF_2$, and $BaF_2$ have been commonly used many practical applications such as silicon on insulatro(SOI), three-dimensional integrated circuits, buffer layers, and gate dielectrics in filed effect transistor. This paper presents electrical and structural properties of fluoride films as a gate dielectric layer. Conventional gate dielectric materials of TFTs like oxide group exhibited problems on high interface trap charge density($D_it$), and interface state incorporation with O-H bond created by mobile hydrogen and oxygen atoms. To overcome such problems in conventional gate insulators, we have investigated $CaF_2$ films on Si substrates. Fluoride films were deposited using a high vacuum evaporation method on the Si and glass substrate. $CaF_2$ films were preferentially grown in (200) plane direction at room temperature. We were able to achieve a minimum lattice mismatch of 0.74% between Si and $CaF_2$ films. Average roughness of $CaF_2$ films was decreased from 54.1 ${\AA}$ to 8.40 ${\AA}$ as temperature increased form RT and $300^{\circ}C$. Well fabricated MIM device showed breakdown electric field of 1.27 MV/cm and low leakage current of $10^{-10}$ A/$cm^2$. Interface trap charge density between $CaF_2$ film and Si substrate was as low as $1.8{\times}10^{11}cm^{-2}eV^{-1}$.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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• pp.788-791
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• 2010

본 논문에서는 인쇄공정기술로써 ETRI $0.8{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 수동형 인쇄 RFID 태그칩용 64bit ROM을 설계하였다. 먼저 태그 칩의 제작단가를 줄이기 위하여 기존 실리콘 기반의 복잡한 리소그래피 공정을 사용하지 않고 게이트 단자인 폴리 층을 프린팅 기법 중 하나인 임프린트 공정을 사용하여 구현하였다. 그리고 �弼壅� ROM 셀 회로는 기존 ROM 셀 회로의 NMOS 트랜지스터대신에 CMOS 트랜스미션 게이트를 사용함으로써 별도의 BL 프리차지 회로와 BL 감지 증폭기가 필요 없이 출력 버퍼만으로 데이터를 읽어낼 수 있도록 하였다. $0.8{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계된 8 행 ${\times}$ 8 열의 어레이를 갖는 64b ROM의 동작전류는 $9.86{\mu}A$이며 레이아웃 면적은 $311.66{\times}490.59{\mu}m^2$이다.