This paper is concerned with developing flow control method for a dynamic multistage manufacturing system with interstage buffers and unreliable machines. For the effective control of proposed manufacturing system, the three-level hierarchical scheme is introduced. At the top level, we collect the system data and then, design the buffer sizes and hedging points. Short-term production rates are calculated at the middle level. At the bottom level, actual dispatching times are determined by Clear the Largest Buffer Level rule. The control method utilizes the material and the space in the buffers to alleviate the propagation of a failure to other machines in the system and keeps the production close to demand. Finally, a numerical example is provided to illustrate the mathematical control method developed and implemented in a dynamic manufacturing environment.
Admittance Spectroscopic analysis was applied to study the effect of LiF buffer layer and to model the equivalent circuit for poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene) (MEH-PPV)-based polymer light emitting diodes (PLEDs) with the LiF cathode buffer layer. The single layer device with ITO/MEH-PPV/Al structure can be modeled as a simple parallel combination of resistor and capacitor. Insertion of a LiF layer at the Al/MEH-PPV interface shifts the highest occupied molecular orbital level and the vacuum level of the MEH-PPV layer as a result the barrier height for electron injection at the Al/MEH-PPV interface is reduced. The admittance spectroscopy measurement of the devices with the LiF cathode buffer layer shows reduction in contact resistance ($R_c$), parallel resistance ($R_p$) and increment in parallel capacitance ($C_p$).
본 연구의 목적은 고준위폐기물 처분기술 개발과 관련하여 현장실증 연구를 위해 사용될 공학규모 이상의 균질 완충재 블록을 제작하기 위한 새로운 방법론을 제시하는 것이다. 이와 관련하여 플롯팅 다이(floating die) 방식의 프레스 재하 및 냉간등방압프레스(CIP; Cold Isostatic Press) 기법을 국내 최초로 완충재 제작에 적용하였다. 또한 소요 밀도기준을 충족하는 완충재 블록을 생산하기 위한 최적의 제작조건(프레스 및 CIP의 소요 압력)과 현장 적용성을 분석하였다. 상기 기법의 적용을 통해 완충재 블록 내 밀도분포 편차가 현저히 감소하였으며, 이와 동시에 평균 건조밀도가 소폭 상승하고 약 5%의 크기가 감소하였다. 또한 CIP 적용을 통해 응력이완(stress release) 현상이 감소하고, 이로 인해 시간 경과에 따른 표면균열 발생이 현저히 저감됨을 시험제작을 통해 확인하였다. 본 연구에서 제시된 방법론은 공학규모 이상의 균질한 완충재 블럭을 성형할 수 있으며, 또한 이는 선진핵주기 고준위폐기물처분시스템(AKRS; Advanced Korea Reference Disposal System of HLW)의 완충재 소요 밀도기준을 충족하는 것으로 분석되었다.
고준위폐기물을 처분하기 위한 심층 처분시설은 지하 500~1,000 m 깊이의 암반층에 설치된다. 심층 처분시스템의 구성 요소로는 처분용기, 완충재, 뒷채움 및 근계 암반이 있다. 이 중 완충재는 심층 처분시스템에 있어 필수적인 요소인데, 완충재는 지하수 유입으로부터 처분용기를 보호하고, 방사성 핵종 유출을 저지한다. 처분용기에서 발생하는 고온의 열량은 완충재로 전파되기에 완충재의 열물성은 처분시스템의 안정성 평가에 상당히 중요하다고 할 수 있다. 완충재의 열전도도 규명에 대한 연구는 많이 진행되고 있는 반면, 비열에 대한 연구는 미진한 상태이다. 따라서 본 연구에서는 국내 경주산 압축 벤토나이트 완충재(KJ-II)에 대한 비열 추정 모델을 개발하고자 하였다. 압축 벤토나이트 완충재의 비열은 이중 탐침법을 이용하여 다양한 포화도와 건조밀도에 따라 측정하였으며, 총 33개의 실험 데이터를 토대로 회귀분석을 이용하여 경주 압축 벤토나이트의 비열을 추정할 수 있는 모델을 제시하였다.
현재 고준위방사성폐기물 처분을 위한 완충재의 설계 기준 온도는 100 ℃ 미만이기에 완충재의 열 분산 능력이 개선된다면 처분장의 처분 터널과 처분 공의 간격을 줄일 수 있다. 본 연구에서는 완충재의 열-수리-역학 성능 기준을 분석하고자 하였으며, 완충재의 열전도도를 개선할 수 있는 고기능 완충재의 연구 현황에 대해 알아보고자 하였다. 우선, 열전도도는 가능한 높아야 하며 완충재의 열전도도 값은 건조밀도, 함수비, 온도, 광물조성, 벤토나이트 유형에 영향을 받는다. 또한 완충재에 함유된 유기물은 처분용기의 부식 성능에 큰 영향을 미칠 수 있기에 완충재의 유기물 함량은 매우 낮아야 한다. 수리전도도는 근계암반보다 더 낮게 설정해야 하며, 완충재가 제 기능을 하기 위해 팽윤성이 적정해야 한다. 고기능 완충재 개발을 위해 대표적으로 모래, 흑연, 산화 흑연 등의 첨가제를 사용하며 흑연의 경우 모래보다 아주 적은 첨가량으로 열전도도를 크게 향상시킬 수 있다.
기존의 한국형 기준 처분시스템의 처분 효율을 높인 향상된 한국형 기준 처분시스템(Improved Korean Reference Disposal System, KRS+)의 열-수리-역학적 복합거동 성능평가를 위해 TOUGH2-MP/FLAC3D를 이용한 수치모델링 연구가 수행되었다. 사용후핵연료 처분 이후 방사성 붕괴열에 의해 처분시스템의 온도가 상승하고, 방사성 붕괴열이 빠르게 감소함에 따라 온도가 감소하여 최대 온도가 설계기준 온도인 100℃를 넘지 않는 것으로 나타났다. 완충재의 초기 포화도는 온도 상승으로 인한 공극수의 증발로 인해 감소하였다가 주변 암반으로부터 지하수가 유입되어 처분 약 250년 후 포화 상태에 이르렀다. 암반에서는 완충재와 암반의 흡입력의 차이로 인해 암반에서 완충재로 지하수가 유입되어 처분 직후 포화도가 감소하다가 이후 원계 암반으로부터 지하수가 유입되어 포화 상태에 도달했다. 처분시스템 내 열응력과 팽윤압 발생에 의한 주변 암반의 파괴 가능성을 평가하고자 모어-쿨롱 파괴기준식과 스폴링 강도를 사용하였다. KRS+ 처분시스템의 처분공의 간격을 감소시키면서 처분시스템의 열적 거동 변화를 확인하였는데, 처분공 간격이 5.5 m 이하에서는 완충재의 설계 기준 온도를 초과하게 된다. 다만, 벤토나이트 완충재 부피의 56.1%의 온도는 90℃ 이하로 유지되었다. 본 연구에서 사용한 수치해석 기법은 향후 응력 모델, 지온 경사 및 입력 물성을 변화시킨 다양한 조건에서의 처분시스템의 THM 복합거동 성능평가에 활용할 수 있을 것으로 판단된다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제10권3호
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pp.89-92
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2009
High-quality Al-N doped p-type ZnO thin films were deposited on Si and buffer layer/Si by DC magnetron sputtering in a mixture of $N_2$ and $O_2$ gas. The target was ceramic ZnO mixed with $Al_2O_3$ (2 wt%). The p-type ZnO thin films showed a carrier concentration in the range of $1.5{\times}10^{15}{\sim}2.93{\times}10^{17}\;cm^{-3}$, resistivity in the range of 131.2${\sim}$2.864 ${\Omega}cm$, mobility in the range of 3.99${\sim}$31.6 $cm^2V^{-1}s^{-l}$, respectively. It was easier to dope p-type ZnO films on Si substrates than on buffer layer/Si. The film grown on Si showed the highest quality of photoluminescence (PL) characteristics. The Al donor energy level depth $(E_d)$ of Al-N codoped ZnO films was reduced to about 50 meV, and the N acceptor energy level depth $(E_a)$ was reduced to 63 meV.
Recent technical advances in OLEDs (organic light emitting devices) requires more and more the improvement in low operation voltage, long lifetime, and high luminance efficiency. Inverted top emission OLEDs (ITOLED) appeared to overcome these problems. This evolved to operate better luminance efficiency from conventional OLEDs. First, it has large open area so to be brighter than conventional OLEDs. Also easy integration is possible with Si-based driving circuits for active matrix OLED. But, a proper buffer layer for carrier injection is needed in order to get a good performance. The buffer layer protects underlying organic materials against destructive particles during the electrode deposition and improves their charge transport efficiency by reducing the charge injection barrier. Hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN), a discoid organic molecule, has been used successfully in tandem OLEDs due to its high workfunction more than 6.1 eV. And it has the lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) level near to Fermi level. So it plays like a strong electron acceptor. In this experiment, we measured energy level alignment and hole current density on inverted OLED structures for hole injection. The normal film structure of Al/NPB/ITO showed bad characteristics while the HAT-CN insertion between Al and NPB greatly improved hole current density. The behavior can be explained by charge generation at the HAT-CN/NPB interface and gap state formation at Al/HAT-CN interface, respectively. This result indicates that a proper organic buffer layer can be successfully utilized to enhance hole injection efficiency even with low work function Al anode.
심층 처분방식은 고준위폐기물을 처분하기 위한 가장 적합한 대안으로 고려되어지고 있다. 심층 처분시설은 지하 500~1,000m 깊이의 암반층에 설치되며 심층 처분시스템의 구성 요소로는 처분용기, 완충재, 뒷채움 및 근계 암반이 있다. 이 중 완충재는 심층 처분시스템에 있어 매우 중요한 역할을 한다. 완충재는 지하수 유입으로부터 처분용기를 보호하고, 방사성 핵종 유출을 저지한다. 처분용기에서 발생하는 고온의 열량이 완충재로 전파되기에 완충재의 열적 성능은 처분시스템의 안정성 평가에 매우 중요하다고 할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 국내 경주산 압축 벤토나이트 완충재에 대한 열전도도 추정 모델을 개발하고자 하였다. 압축 벤토나이트 완충재의 열전도도는 비정상 열선법을 이용하여 다양한 함수비와 건조밀도에 따라 측정하였으며, 총 39개의 실험 데이터를 토대로 회귀분석을 이용하여 경주 압축 벤토나이트의 열전도도 추정 모델을 제시하였다.
본 연구에서는 공학규모 벤토나이트-모래 완충재 블록의 성형특성을 분석하기 위해 플롯팅 다이(floating die) 방식의 프레스 압력에 따른 소요 밀도 관계 및 완충재 내 밀도분포 편차에 대한 균질도를 평가하였다. 또한 벤토나이트-모래 완충재의 열전도도 성능향상 수준을 분석하기 위해 최적함수비 조건에서 열전도도를 측정하고, 순수 벤토나이트 완충재의 열전도도와 비교하였다. 연구 결과 프레스 압력이 400kg/cm2 이상의 조건에서 건조밀도 표준편차가 0.011로 감소하고 균질한 밀도분포를 나타내는 것으로 확인되었다. 열전도도 측정 결과 프레스 압력이 400, 600kg/cm2일 때의 최적함수비 조건에서 각각 1.345, 1.261W/(m·K)으로 측정되었으며, 이는 순수 벤토나이트 완충재와 비교했을 때 각각 16.1, 11.0% 상승한 것으로 분석되었다. 본 연구 결과를 기반으로 공학규모의 균질한 벤토나이트-모래 완충재 블록 제작을 위한 기초자료로 활용할 수 있을 것으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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