• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제31권2호
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• pp.79-85
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• 2006

생활치 미백제와 알콜 전처리 과정이 상아질 접착에 미치는 영향을 평가하고자 발거치 55개의 치관부 협측 상아질면에서 $Opalescence^{(R)}$(Ultradent사 미국)로 미백처리 후 즉시 $One-step^{(R)}$ 상아질 접착제(Bisco사, 미국)를 전 처치한 $Z-250^{(R)}$ 복합레진(3M-ESPE사, 미국) 접착군, 미백처리 2주후 레진 접착군, 미백처리 후 70% 에탄올 처리군, 그리고 미백처리하지 않은 대조군으로 나누어 실험한 다음 전단접착강도를 측정하고 95% 유의수준에서 일원변량분석법으로 통계분석 하였다. 생활치 미백제가 상아질 접착력을 현저히 감소시켰다. 미백처리 2주 후 레진 접착군은 미백처리하지 않은 대조군과 유의한 차이가 나타나지 않았으며 70% 에탄을 처리군은 미백처리하지 않은 대조군보다는 접착력이 낮았으나, 미백처리 2주 후 레진 접착군과는 차이가 없고 즉시 접착군보다는 높은 접착강도를 나타내었다. 따라서 임상에서 치아미백 후 즉시 레진수복을 할 경우, 에탄올로 전처리하면 상아질에서 레진 접착력을 회복할 수 있을 것으로 사료된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2018년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.102-102
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• 2018

Electronic industry had required the finer size and the higher performance of the device. Therefore, 3-D die stacking technology such as TSV (through silicon via) and micro-bump had been used. Moreover, by the development of the 3-D die stacking technology, 3-D structure such as chip to chip (c2c) and chip to wafer (c2w) had become practicable. These technologies led to the appearance of HBM (high bandwidth memory). HBM was type of the memory, which is composed of several stacked layers of the memory chips. Each memory chips were connected by TSV and micro-bump. Thus, HBM had lower RC delay and higher performance of data processing than the conventional memory. Moreover, due to the development of the IT industry such as, AI (artificial intelligence), IOT (internet of things), and VR (virtual reality), the lower pitch size and the higher density were required to micro-electronics. Particularly, to obtain the fine pitch, some of the method such as copper pillar, nickel diffusion barrier, and tin-silver or tin-silver-copper based bump had been utillized. TCB (thermal compression bonding) and reflow process (thermal aging) were conventional method to bond between tin-silver or tin-silver-copper caps in the temperature range of 200 to 300 degrees. However, because of tin overflow which caused by higher operating temperature than melting point of Tin ($232^{\circ}C$), there would be the danger of bump bridge failure in fine-pitch bonding. Furthermore, regulating the phase of IMC (intermetallic compound) which was located between nickel diffusion barrier and bump, had a lot of problems. For example, an excess of kirkendall void which provides site of brittle fracture occurs at IMC layer after reflow process. The essential solution to reduce the difficulty of bump bonding process is copper to copper direct bonding below $300^{\circ}C$. In this study, in order to improve the problem of bump bonding process, copper to copper direct bonding was performed below $300^{\circ}C$. The driving force of bonding was the self-annealing properties of electrodeposited Cu with high defect density. The self-annealing property originated in high defect density and non-equilibrium grain boundaries at the triple junction. The electrodeposited Cu at high current density and low bath temperature was fabricated by electroplating on copper deposited silicon wafer. The copper-copper bonding experiments was conducted using thermal pressing machine. The condition of investigation such as thermal parameter and pressure parameter were varied to acquire proper bonded specimens. The bonded interface was characterized by SEM (scanning electron microscope) and OM (optical microscope). The density of grain boundary and defects were examined by TEM (transmission electron microscopy).

• 전기전자학회논문지
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• 제20권2호
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• pp.205-208
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• 2016

본 논문에서는 서로 다른 터치스크린용 실버페이스트를 본딩 방식으로 ITO 필름(ITO : Indium Tin Oxide film)위에 전도성 패턴을 형성하고 5장씩 본딩하여 건조 하였다. 여기서 건조 조건은 ITO 필름( ITO film)이 산화가 발생하지 않는 조건 이다. 신뢰성 테스트는 열 충격테스트와 고온 고습테스트를 진행한다. 각 테스트는 5장씩의 전도성 패턴 본딩상태를 확인한다. 전도성 패턴본딩을 각 240, 480, 615 시간 마다 상태를 확인하였다. 이러한 신뢰성 테스트 통해 서로 다른 실버페이스트의 접착력, 전도성의 변화 등을 알 수 있으므로 품질 저하를 막을 수 있다. 그리고 저온경화 실버페이스트는 표면에 변색이 빨리 올 수 있음을 알 수 있었다.

• Smart Structures and Systems
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• 제22권3호
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• pp.341-358
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• 2018

This present study investigates Love-type wave propagation in composite structure consists of a loosely bonded functionally graded piezoelectric material (FGPM) stratum lying over a functionally graded initially-stressed fibre-reinforced material (FGIFM) substrate. The closed-form expressions of the dispersion relation have been obtained analytically for both the cases of electrically open and electrically short conditions. Some special cases of the problem have also been studied and the obtained results are found in well-agreement with the classical Love wave equation. The emphatic influence of wave number, bonding parameter associated with bonding of stratum with substrate of the composite structure, piezoelectric coefficient as well as dielectric constant of the piezoelectric stratum, horizontal initial stresses, and functional gradedness of the composite structure on the phase velocity of Love-type wave has been reported and illustrated through numerical computation along with graphical demonstration in both the cases of electrically open and electrically short condition for the reinforced and reinforced-free composite structure. Comparative study has been carried out to analyze the distinct cases associated with functional gradedness of the composite structure and also various cases which reveals the influence of piezoelectricity, reinforcement and horizontal initial stress acting in the composite structure, and bonding of the stratum and substrate of the composite structure in context of the present problem which serves as one of the major highlights of the study.

• 센서학회지
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• 제16권5호
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• pp.325-330
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• 2007

For the application to optic devices, wafer level package including spacer with particular thickness according to optical design could be required. In these cases, the uniformity of spacer thickness is important for bonding strength and optical performance. Packaging process has to be performed at low temperature in order to prevent damage to devices fabricated before packaging. And if photosensitive material is used as spacer layer, size and shape of pattern and thickness of spacer can be easily controlled. This paper presents polymer bonding using thick, uniform and patterned spacing layer of SU-8 2100 photoresist for wafer level package. SU-8, negative photoresist, can be coated uniformly by spin coater and it is cured at $95^{\circ}C$ and bonded well near the temperature. It can be bonded to silicon well, patterned with high aspect ratio and easy to form thick layer due to its high viscosity. It is also mechanically strong, chemically resistive and thermally stable. But adhesion of SU-8 to glass is poor, and in the case of forming thick layer, SU-8 layer leans from the perpendicular due to imbalance to gravity. To solve leaning problem, the wafer rotating system was introduced. Imbalance to gravity of thick layer was cancelled out through rotating wafer during curing time. And depositing additional layer of gold onto glass could improve adhesion strength of SU-8 to glass. Conclusively, we established the coating condition for forming patterned SU-8 layer with $400{\mu}m$ of thickness and 3.25 % of uniformity through single coating. Also we improved tensile strength from hundreds kPa to maximum 9.43 MPa through depositing gold layer onto glass substrate.

• 접착 및 계면
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• 제1권1호
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• pp.30-37
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• 2000

고무-섬유로 이루어진 고무복합체 제조공정을 단순화하기 위한 직접블렌딩 기술을 본 연구에서 제시하였다. 직접블렌딩 방법은 레소시놀, 헥사메틸테트라민, NaOH로 이루어진 결합체를 고무혼합물 배합공정에 직접 혼합하여 보강섬율의 접착제 처리공정을 생략할 수 있는 방법이다. 이러한 직접블렌딩 메커니즘을 규명하기 위해 결합체를 직접 고무혼합물에 블렌딩한 경우와(Case I) 결합체를 수용액 상에서 반응시켜 경화물을 얻은 후 이를 분쇄하여 고무혼합물에 배합하는 경우를(Case II) 비교하였다. 모폴로지 분석결과에 의하면 Case II의 경우 결합체와 매트릭스 고무 사이에 뚜렷한 계면이 발생하였지만, Case I의 경우 적절한 가공조건 아래서 결합제와 매트릭스 고무 사이의 반응에 의해 새로운 상이 생성됨을 알 수 있었다. 또한, SBR-나일론 고무복합체의 최적 성능을 위한 결합제의 최적 조성은 레소시놀과 헥사메틸렌테트라민의 mole비가 1.2:1인, 즉 레소시놀과 포름알데히드의 mole비가 1:5인 조성이었다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 추계학술대회 논문집
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• pp.73-74
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• 2008

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2008년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.531-532
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• 2008

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제14권4호
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• pp.79-85
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• 2007

본 연구의 목적은 OSP, 전해 Au과 무전해 Ni/Au로써 표면처리를 달리한 연성회로기판 상에 Au 스터드 플립칩 범프의 초음파 접합 가능성을 연구하는 것이었다. Au 스터드 범프는 표면처리 방법에 상관없이 성공적으로 연성회로기판의 패드 상에 초음파 접합되었다 접합 강도는 접합 시간에 민감하게 영향을 받았다. 접합 시간이 길어짐에 따라 접합 강도는 증가하였으나, 2초 이상의 접합 시간에서는 이웃 범프끼리 단락되는 bridge 현상이 발생하였다. 최적 접합조건은 OSP 처리된 가판상에 0.5초간 초음파 접합하는 것이었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제17권2호
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• pp.55-61
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• 2010

탄탈륨실리사이드 히터가 내장된 소자를 Ag 페이스트와 Au SBB(Stud Bump Bonding)를 이용하여 Au가 코팅 된 기판에 각각 접합 하였다. 전단 테스트와 전류를 흐르면서 열 성능을 측정하였다. Au 스터드 범프 본딩의 최적 플립칩 접합조건은 전단 후 파괴면 관찰하여 설정하였으며, 기판 온도를 $350^{\circ}C$, 소자 온도를 $250^{\circ}C$에서 하중을 300 g/bump 로 하여 접합하는 경우가 최적 조건이였다. 히터에 5 W 인가시 소자의 온도는 Ag 페이스트를 이용한 접합의 경우 최대 온도는 약 $50^{\circ}C$이었으며, Au 금속층을 갖고 있는 실리콘 기판에 Au 스터드 본딩으로 접합된 인 경우 약 $64^{\circ}C$를 나타내었다. 기판과의 접촉면적이 와이어본딩과 Au 스터드 범프 본딩 가 약 300배가 차이가 나는 경우 약 $14^{\circ}C$ 차이를 나타내었고, 전사모사를 통하여 접합면의 접촉저항이 중요한 이유임을 알 수 있었다.