We extended the measurable time scale of DNA dynamics to submicrosecond using a long-lifetime metal-ligand complex, $[Ru(phen)_2(dppz)]^{2+}$ (phen=1,10-phenanthroline, dppz=dipyrido[3,2-a:2',3'-c]phenazine) (RuPD), which displays a mean lifetime near 350 ns. We partially characterized the fluorescence resonance energy transfer (FRET) in calf thymus DNA from RuPD to nile blue (NB) using frequency-domain fluorometry with a high-intensity, blue light-emitting diode (LED) as the modulated light source. There was a significant overlap of the emission spectrum of the donor RuPD with the absorption spectrum of the acceptor NB. The F$\ddot{o}$rster distance ($R_0$) that was calculated from the spectral overlap was $33.4\;{\AA}$. We observed dramatic decreases in the steady-state fluorescence intensities of RuPD when the NB concentration was increased. The intensity decays of RuPD were matched the closest by a triple exponential decay. The mean decay time of RuPD in the absence of the acceptor NB was 350.7 ns. In a concentration-dependent manner, RuPD showed rapid intensity decay times upon adding NB. The mean decay time decreased to 184.6 ns at $100\;{\mu}M$ NB. The FRET efficiency values that are calculated from the mean decay times increased from 0.107 at $20\;{\mu}M$ NB to 0.474 at $100\;{\mu}M$ NB concentration. The use of FRET with a long-lifetime metal-ligand complex donor is expected to offer the opportunity to increase the information about the structure and dynamics of nucleic acids.
The effect of growth regulators (NAA, BA and $ extrm{GA}_3$) and light (blue, red and far-red) on the changes in total protein and thylakoid membrane protein pattern of callus from intergeneric protoplast fusion between Nicotiana tabacum and Solanum nigrw were investigated. When the callus were irradiated with different wavelengths of light, blue and red light accelerated the synthesis of total proteins and thylakoid membrane proteins. Particularly, red light led to an increase in the protein synthesis compared to blue light. When the callus were subjected to various combinations of growth regulators, NAA+$ extrm{GA}_3$ and NAA+BA treatments induced remarkable increase of total proteins and thylakoid membrane proteins accumulation, particularly in the combination of NAA+$ extrm{GA}_3$. NAA.$ extrm{GA}_3$ treatment with irradiation of red ligh showed highest value in the accumulation of total proteins and thylakoid membrane proteins. We conclude that simultaneous application of red light and NAA+$ extrm{GA}_3$ treatment may induce synergistic effect in the synthesis of total proteins and thylakoid membrane Proteins.
Sang Young Seo;Jong hyeon Cho;Chang Su Kim;Hyo Jin Kim;Min Sil An;Du Hyeon Yoon
Proceedings of the Plant Resources Society of Korea Conference
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2020.12a
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pp.61-61
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2020
This experiment was carried out using artificial bed soil and LED in the plastic film house(irradiation time: 07:00-17:00/day). Seedlings(n=63 per 3.3 m2) of ginseng was planted on May 17, 2018. LED was combined with red and blue light in a 3:1 ratio and irradiated with different light intensity(40-160 µmol/m2/s). Average air temperature from April to September according to the light intensity test was 20.4℃-20.9℃. Average artificial bed soil temperature was 20.1℃-21.7℃. The test area where fluorescent lamp was irradiated tended to be somewhat lower than the LED irradiation area. The chemical properties of the test soil was as follows. pH levels was 6.6-6.7, EC levels 0.9-1.3 dS/m and OM levels 30.6-32.0%. The available P2O5 contents was 73.3-302.3 mg/kg. Exchangeable cations K and Ca contents were higher than the allowable ranges and mg content was high in the fluorescent lamp treatment. The photometric characteristics of LED light intensity are as follows. The greater the light intensity, the higher the PPFD(Photosynthetic Photon Flux Density) value, illuminance and solar irradiation. Fluorescent lamp treatment had high illuminance value, but PPFD and solar irradiation were lower than LED intensity 40 µmol/m2/s treatment. The photosynthetic rate increased(2.0-3.8 µmolCO2/m2/s) as the amount of light intensity increased, peaking at 120 µmol/m2/s, and then decreasing. The SPAD (chlorophyll content) value decreased as the amount of light intensity increased, and was the highest at 36.1 in fluorescent lamp treatment. Ginseng germination started on April 5 and took 14-17 days to germinate. The overall germination rate was 68.8-73.6%. The growth of aerial parts(plant height etc.) were generally excellent in the treatment of light intensity of 120-160 µmol/m2/s. The plant height was 41.9 cm, stem length was 24.1 cm, leaf length was 9.8 cm and stem diameter was 5.6 mm. The growth of underground part (root length etc.) was the best in the treatment with 120 µmol/m2/s of light intensity. Due to the root length was long(24.8 cm) and diameter of taproot was thick(18.7 mm), the fresh root weight was the heaviest at 24.8 g. There were no disease incidence such as Alternaria blight, Gray mold and Anthracnose. Disease of Damping-off caused by Rhizoctonia solani occurred 0.6-1.5% and incidence ratio of rusty root ginseng was 30.8-62.3%. It is believed that the reason for the high incidence of rusty root ginseng is that the amount of field moisture capacity of artificial bed soil is larger than the soil. Leaf discoloration rate was 13.7-32.3%.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.50-50
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2008
ZnO has been extensively studied for optoelectronic applications such as blue and ultraviolet (UV) light emitters and detectors, because it has a wide band gap (3.37 eV) anda large exciton binding energy of ~60 meV over GaN (~26 meV). However, the fabrication of the light emitting devices using ZnO homojunctions is suffered from the lack of reproducibility of the p-type ZnO with high hall concentration and mobility. Thus, the ZnO-based p-n heterojunction light emitting diode (LED) using p-Si and p-GaN would be expected to exhibit stable device performance compared to the homojunction LED. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducibleavailability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices with low defect density. However, the electroluminescence (EL) of the device using n-ZnO/p-GaN heterojunctions shows the blue and greenish emissions, which are attributed to the emission from the p-GaN and deep-level defects. In this work, the n-ZnO:Ga/p-GaN:Mg heterojunction light emitting diodes (LEDs) were fabricated at different growth temperatures and carrier concentrations in the n-type region. The effects of the growth temperature and carrier concentration on the electrical and emission properties were investigated. The I-V and the EL results showed that the device performance of the heterostructure LEDs, such as turn-on voltage and true ultraviolet emission, developed through the insertion of a thin intrinsic layer between n-ZnO:Ga and p-GaN:Mg. This observation was attributed to a lowering of the energy barriers for the supply of electrons and holes into intrinsic ZnO, and recombination in the intrinsic ZnO with the absence of deep level emission.
Kim, Garam;Kim, Jang Hyun;Park, Euyhwan;Park, Byung-Gook
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.14
no.5
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pp.588-593
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2014
Current crowding problem can worsen the internal quantum efficiency and the negative-voltage ESD of InGaN-based LEDs. In this paper, by using photon emission microscope and thermal emission microscope measurement, we confirmed that the electric field and the current of the InGaN-based LED sample are crowded in specific regions where the distance between p-type metal contact and n-type metal contact is shorter than other regions. To improve this crowding problem of electric field and current, modified metal contact geometry having uniform distance between the two contacts is proposed and verified by a numerical simulation. It is confirmed that the proposed structure shows better current spreading, resulting in higher internal quantum efficiency and reduced reverse leakage current.
The anthocyanin biosynthesis in callus culture of purple sweet potato (Ipomoea batatas L. cv. Borami) was investigated under growth in different light intensity and light emitting diodes (LED) treatment. Pigmented calli were induced from leaf explants cultured on MS agar medium supplemented with $0.5\;{\mu}M$ 2,4-D under light condition. The color value of these calli extracted after $2{\sim}4$ weeks of cultures was $0.4{\sim}0.5\;mg/mL$. Irradiation intensity is an important factor for anthocyanin biosynthesis. The optimal anthocyanin accumulation occurred on light intensity of 3000 lux. Light irradiation of 3000 lux and blue light treatment for 2 h resulted in a significant enhancement of anthocyanin accumulation. This value was 1.4 fold that the control.
Kim, Sam-Hwan;Choi, Ju-Chan;Lee, June-Kyoo;Kong, Seong-Ho
Journal of Sensor Science and Technology
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v.20
no.6
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pp.368-374
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2011
A microfluidic device for real-time monitoring of residual free chlorine and pH in water based on optical absorption is proposed. The device consists of a serpentine micromixer for mixing samples with a reagent, and a photodiode and light emitting diode(LED) for the detection of light absorbance at specific wavelengths, determined for specific reagent combinations. Spectral analyses of the samples mixed with N, N'-diethyl-p-phenylenediamine(DPD) reagent for chlorine determination and bromothymol blue(BTB) for pH measurement are performed, and the wavelengths providing the most useful linear changes in absorbance with chlorine concentration and pH are determined and used to select the combination of LED and photodiode wavelengths for each analyte. In tests using standard solutions, the device is shown to give highly reproducible results, demonstrating the feasibility of the device for the inexpensive and continuous monitoring of water quality parameters with very low reagent consumption.
Background: Time-resolved optically stimulated luminescence (TR-OSL) is a very useful method for calculating the lifetimes of crystalline quartz and feldspar. Materials and Methods: A compact TR-OSL system was developed, comprising a heater assembly manufactured using Kanthal wire, 2 powerful blue light-emitting diodes (LED, LXHL-PB02) for optical stimulation equipped with VIS liquid light guides, and a photomultiplier tube combined with an optical filter for luminescence detection. A pulse generated from the data acquisition board (NI PCI 6250) was used to initiate on/off signals in LED and TR-OSL measurements. Results and Discussion: The TR-OSL and background signals measured using this TR-OSL system using quartz samples were very similar to those reported in a previous study. Additionally, the lifetimes of the build-up and TR-OSL signals were calculated as $27.4{\pm}2.2{\mu}s$ and $30.3{\pm}0.6{\mu}s$, respectively, in good agreement with the findings of a previous study. Conclusion: It was concluded that the developed TR-OSL system was very reliable for TR-OSL signal measurements and lifetime calculations.
Deep red EuSi2O2N2 phosphors were synthesized under various sintering gas pressures (1 atm, 2 atm, and 3 atm). They were in good agreement with the standard EuSi2O2N2 ICSD card # 41-6046 (a monoclinic crystal system with space group of P21/a). Their photoluminescence intensities were significantly increased with increasing the gas pressures. They showed a broad band emission peaking at 680 nm due to 4f65d1 - 4f7 of Eu2+ ion, which can be efficiently excited in the visible range up to 550 nm. The best one at 3 atm was applied for red LED based on blue chip, which showed the strong deep red emission.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.16
no.7
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pp.616-621
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2003
The white-light-emitting organic LED with two-wavelength was fabricated using blue emitting material(DPVBi) and a series of orange color fluorescent dye(Rubrene) by vacuum evaporation processes. The basic structure of white-light-emitting OLED was ITO/NPB(150$\AA$)/DPVBi(150$\AA$)/Alq$_3$:Rubrene(150$\AA$)/BCP(100$\AA$)/Alq$_3$(150$\AA$)/Al(600$\AA$). The changes of the CIE coordiante strongly depended on the doping concentration of Rubrene and the thickness of NPB layer. We obtained the white-light-emitting OLED close to the pure white color light and the CIE coordinate of the device was (0.315, 0.330) at applied voltage of 13V when the doping concentration of Rubrene was 0.5wt% and the thickness of NPB layer is 200$\AA$. At a current of 100mA/$\textrm{cm}^2$, the quantum efficiency was 0.35%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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