• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.61-67
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• 2001

비대칭 펄스 직류 반응성 스퍼터링을 이용하여 상온에서 Si(100) 기판 위에 AlN 박막을 증착하였다. 100 kHz에서 200 kHz까지 펄스 주파수의 변화 및 70%에서 90%까지 duty cycle의 변화에 따른 아크 발생과 AlN 박막의 결정성 그리고 미세 조직을 관찰하였다. Duty cycle에서 양의 펄스 유지 시간이 증가함에 따라 증착 중에 아크 발생 빈도가 현저히 감소하였고 AlN 박막의 입자 크기와 결정상의 c축 배향성이 증가하였다. 반면에 펄스 주파수 변화에 따른 아크 발생은 일정한 경향을 나타내지 않았지만 전반적으로 많은 아크가 발생했다. 아크 발생 빈도가 늘어남에 따라 c축 배향성이 감소하였다. 양의 펄스 유지 시간과 펄스 주파수가 감소함에 따라 박막의 증착 속도는 증가하였으며 440$\AA$/min의 높은 증착 속도를 나타냈다.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.48 no.9
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• pp.662-664
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• 1999

We fabricated AC-TFEL device having cone-shaped Si micro-tip reflector array based on the process which have been conventionally employed for the Si-tip field emitter array in FED system. As a result, the AC-TFEL device having a new geometrical structure could generate well concentrated visible white-light from 3600 reflectors/pixel under bipolar pulse excitation mode only by edge-emission mechanism.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07f
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• pp.2030-2032
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• 1998

It is always necessary to high performance power supplies for the magnet system in the accelerator, especially when the number of power supplies are large. When have developed the compact power supply using switching technology instead of SCR phase control. We adopt the pulse width modulation(PWM) method with a half bridge DC/DC converter. In this way, we can make a compact system with light weight and small volume. Actual system we developed is 1.2kW, 35V/35A bipolar DC power supply current precision of +/-0.02%. It is possible to mount 10 unit in a conventional 19 rack. The built in controller has an RS422 protocol to drive 10 unit by one serial port up to 1.2km distance. If we adopt RS485 protocol, one serial port can control 32 power supplies. In this paper, we will report the design and performance of the prototype power supply.

• Journal of Magnetics
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• v.4 no.3
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• pp.73-75
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• 1999

By appliying an slternate pulsed magnetic field -generated by using a sequential ignition circuit and a magnet exciting circuit- with peak value of about 10 T to the rod type Nd based magnet Nd2Fe12.7Cr1.3B with length of 5 mm and diameter of 3.6 mm, the basic magnetic properties such as saturation magnetization, residual magnetization, coercivity, maximum energy products, magnetic anisotropy and anisotropic field are investigated with obtaining the major and minor J-H loops of the magnet. The increase in coercivity due to eddy currents in ac measurement of coercivity is calculated considering eddy current loss by analyzing a wave of generating magnetic field. The average coercivity calculated for the magnet is about 12.2 kOe, anisotropy magnetic field and anisotropic constant are measured as 60 kOe 2.43 Mj/$m^3$, respectively.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.5
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• pp.381-385
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• 1997

PEMOCVD에 의해서 SrBi$_{2}$Ta$_{2}$O$_{9}$밥막이 낮은 온도에서 성공적으로 Pt/Ti/SiO$_{2}$Si위에 증착되었다. 5$50^{\circ}C$에서 증착된 200nm박막은 치밀하고 작은 결정립을 보였으며 3V의 인가전압하에서 이력곡선은 포화되기 시작하였다. 3V에서 박막은 잔류분극 (P$_{r}$)과 항전계(E$_{c}$)는 각각 15$\mu$/$\textrm{cm}^2$과 50kV/cm이었다. 6V bipolar square pulse의 피로측정에서 박막은 1.0x$10^{11}$cycles까지 피로 현상을 보이지 않았다. PEMOCVD에 의해서 5$50^{\circ}C$에서 증착된 SBT박막은 비휘발성 기억소자에 충분히 활용할 수 있다.다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.48 no.5
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• pp.342-347
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• 2011

Nanocrystalline TiN films were deposited on Si(100) substrate using asymmetric pulsed DC reactive magnetron sputtering. We investigated the growing behavior and the structural properties of TiN films with change of duty cycle and pulsed frequency. Grain size of TiN films were decreased from 87.2 nm to 9.8 nm with decrease of duty cycle. The $2{\theta}$ values for (111) and (200) crystallographic planes of the TiN films were also decreased with decrease of duty cycle. This shift in $2{\theta}$ could be attributed to compressive stress in the TiN coatings. Thus, the change of plasma parameter has a strong influence not only on the microstructure but also on the residual stresses of TiN films.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.90-91
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• 2017

본 논문은 전략광물 탐사를 위한 25kW급 양극성 펄스전원장치에 대하여 기술한다. 고효율 LCC 공진형 컨버터를 적용한 DC/DC 전력변환 회로부와 펄스를 발생시키기 위한 풀 브릿지 기반의 양방향 펄스 스위칭부로 구성된 500V, 12.5A 단위모듈을 설계하고, 4개의 모듈을 직병렬 구성하여 탐사 방식에 따라 요구되는 고전압 저전류(2kV, 12.5A) 혹은 저전압 대전류(500V, 50A) 동작이 가능한 전략광물 탐사용 펄스전원장치를 개발한다. 본 논문에서는 공진회로, 변압기 등 단위모듈의 상세설계에 대하여 기술하고, 시뮬레이션 및 실험 결과를 통해 이를 검증한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07b
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• pp.858-860
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• 2003

This paper introduces the drive system for 500MVA short-circuit generator. Drive system is usually low-voltage, but this system is 2300V high-voltage using Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT). Drive system consists of switchgear, 18-pulse transformer, converter(source bridge), inverter(load bridge) and control rack. In this paper, It describes the function and construction of each part.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• v.2 no.2
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• pp.92-96
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• 1998

Ferroelectric Bi-layered oxides SrBi2Ta2O9 (SBT) thin films have been deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates using multi-target sputtering. Structure, composition, and electrical properties have been investigated on films. The SBT films were deposited with the various bismuth sputtering powers. The SBT films deposited with the bismuth sputtering power of 20 W have the most dense microstructure and the remanent polarization (Pr) of 9.2 ${\mu}$C/cm and the coercive field (Ec) of 43.8 kV/cm at an applied voltage of 5V. The SBT films deposited with the bismuth sputtering power of 20W showed a fatigue-free characteristics up to 1.0${\times}$1010 cycles under 5V bipolar pulse and a leakage current density of 2.0${\times}$10-8 A/$\textrm{cm}^2$ at 200 kV/cm.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.157.1-157.1
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• 2013

외부 Ballast Capacitor를 이용한 Voltage Doubler 전원장치를 이용하여 Micro size의 대기압 플라즈마를 발생장치를 개발하였다. 2개의 외부 Capacitor를 병렬로 연결하여 충전한 다음 외부 Capacitor를 직렬로 연결하여 전압을 2배압 시킨 상태에서 방전이 일어나도록 하였다. Capacitor의 충 방전 제어는 Switch Device인 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)를 사용하였다. 개발된 대기압 플라즈마는 외부 Capacitor와 인가전압을 독립적으로 변화시킬 수 있기 때문에 방전 시 전류 전압을 독립적으로 제어할 수 있으며 용도에 따라 Glow 방전에서 Arc 방전까지 제어가 가능하다. 본 연구에서는 900 V의 1.22 nF 외부 Capacitor 방전과 400 V의 10 nF 외부 Capacitor 방전을 비교하였다. 방전 시 전압파형과 전류파형은 서로 다르지만 소비된 방전에너지는 340 ${\mu}J$로 동일하다. ICCD camera와 Spectrometer를 이용하여 비교 분석을 실시하였다. 방전 image 및 Optical Emission Spectroscopy 분석을 이용하여 플라즈마의 온도, 밀도 등을 시간적, 공간적으로 분석하였다.