• Nuclear Engineering and Technology
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• 제55권7호
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• pp.2474-2482
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• 2023

The development of fast reactors with complex designs and operation status requires more accurate and effective simulation. The Monte-Carlo method can generate multi-group cross-sections in arbitrary geometry without approximation on resonances treatment and leads to good results in combination with diffusion codes. However, in previous studies, the coupling of Monte-Carlo generated multi-group cross-sections (MC-MGXS) and transport solvers has shown relatively large biases in fast reactor problems. In this paper, the main contribution to the biases is proved to be the neglect of the angle-dependence of the total cross-sections. The flux-moment homogenization technique (MHT) is proposed to take into account this dependence. In this method, the angular dependence is attributed to the transfer cross-sections, keeping an independent form for the total sections. For the MET-1000 benchmark, the multi-group transport simulation results with MC-MGXS generated with MHT are improved by 700 pcm and an additional 120 pcm with higher order scattering. The factors that cause the residual bias are discussed. The core power distribution bias is also significantly reduced when MHT is used. It proves that the MCMGXS with MHT can be applicable with transport solvers in fast reactor analysis.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2007년도 The 1st International Symposium on Advanced Magnetic Materials
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• pp.90.2-90.2
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• 2007

• 한국자기학회지
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• 제14권1호
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• pp.13-17
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• 2004

알루미늄 산화물 절연막에 하프늄의 첨가가 미치는 영향에 관해서 연구하였다. 하프늄을 첨가할 경우 자기저항이 증가하고 자기저항의 온도의존도와 바이어스 전압의존도가 감소함을 관찰하였다. 이는 하프늄의 첨가가 알루미늄 산화물의 결함의 감소를 유발하기 때문이라 판단된다. 하프늄의 첨가된 알루미늄 산화물의 미세구조를 분석한 결과 하프늄이 알루미늄과 혼합됨이 관찰 되었다. 알루미늄과 하프늄의 혼합 금속을 절연막 형성을 위한 금속으로 사용한 결과 하프늄의 첨가된 알루미늄과 동일한 결과를 얻었다. 이로부터 하프늄이 알루미늄과 혼합하면서 절연막 내의 결함을 감소시키고 그에 따른 자기저항의 증가와 자기저항의 온도의존도와 바이어스 전압의존도를 감소시키는 결과를 가져온 것으로 판단된다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1993년도 춘계학술발표회
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• pp.43-44
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• 1993

In this study SOI MOSFET model of the structure with 4-terminals and 3-interfaces is proposed. An SOI MOSFET is modeled with the equivalent circuit considered the interface capacitances. Parameters of SOI MOSFET device are extracted, and the electrical characteristics due to back-bias change is simulated. In SOI-MOSFET model device we describe the characteristics of threshold voltage, subthreshold slope, maxium electrical field and drain currents in the front channel when the back channel condition move into accmulation, depletion, and inversion regions respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.304-305
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• 2013

We report a positive exchange bias (HE) in thinmultilayered filmscontaining nano-oxide layer. The positive HE, obtained for our system results from an antiferromagnetic coupling between the ferromagnetic (FM) CoFe and the antiferromagnetic (AFM) CoO layers, which spontaneously form on top of the nano-oxide layer (NOL). The shift in the hysteresis loop along the direction of thecooling field and the change in the sign of exchange bias are evidence of antiferromagnetic interfacial exchange coupling between the CoO and CoFe layers. Our calculation indicates that uncompensated oxygen moments in the NOL results in antiferromagnetic interfacial exchange coupling between the CoO and CoFe layers. One of the interesting features observed with our system is that it displays the positive HE even above the bulk Neel temperature (TN) of CoO. Although the positive HEsystem has a different AFM/FM interfacial spin structure compare to that of the negative HE one, the results of the angular dependence measurements show that the magnetization reversal mechanism can be considered within the framework of the coherent rotation model.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2000년도 International Symposium on Magnetics The 2000 Fall Conference
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• pp.325-326
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• 2000

Low temperature diagnosis was performed as a probe for the integrity of MTJ(Magnetic tunnel junction) process which is optimised for the given plasma oxidation condition. TMR ratio increased slowly with decreasing temperature than that expected from spin wave exitation theory〔1〕. Junction resistance (RJ) does not follow T$\^$-$\frac{1}{2}$/ law below 200 K, indicating another conduction path besides spin polarized tunneling is involved at low temperature. Temperature dependence of conductance dip and bias dependence of TMR with temperature are discussed, from which the quality of tunnel barrier and its formation process can be inferred.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권7호
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• pp.738-746
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• 2004

Recently zinc oxide(ZnO) has emerged as one of the most promising transparent conducting films with a strong demand of low cost and high performance optoelectronic devices, ZnO film has many advantages such as high chemical and mechanical stabilities, and abundance in nature. In this paper, in order to obtain the excellent transparent conducting film with low resistivity and high optical transmittance for Plasma Display Pannel(PDP), aluminium doped zinc oxide films were deposited on Corning glass substrate by dc magnetron sputtering method. The effects of the discharge power and doping amounts of $Al_2$$O_3$ on the electrical and optical properties were investigated experimentally. Particularly in order to lower the electrical resistivity, positive and negative bias voltages were applied on the substrate, and the effect of bias voltage on the electrical properties of ZnO:Al thin film were also studied and discussed. Films with lowest resistivity of $4.3 \times 10 ^{-4} \Omega-cm$ and good transmittance of 91.46 % have been achieved for the films deposited at 1 mtorr, $400^{\circ}C$, 40 W, Al content of 2 wt% with a substrate bias of +30 V for about 800 nm in film thickness.

• 대한교통학회지
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• 제18권6호
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• pp.63-75
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• 2000

SP 데이터는 데이터 수집의 효율이 RP 데이터 보다 높고 장래의 교통 시스템의 조건이나 속성에 대한 응답자들의 태도를 조사 할 수 있다는 점에서 많이 사용되고 있으나 SP 데이터는 주요하게 두 가지 편위를 가지고 있는데 SP 설문조사시에 발생하는 응답편위와 SP 패널조사시에 발생하는 누락편위이다. 이러한 SP 데이터의 편위가 수정되지 않으면 장래의 잘못된 교통수요예측을 유발할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 이러한 SP 모델의 편위와 상태의존을 고려한 모델을 구축하기 위하여 6개의 횡단면 모델과 동적모델을 제안하였다. 횡단면 모델 중 RP데이터의 선택결과를 고려한 모델을 이용하여 SP모델의 편위를 보완할 수 있는 모델을 구축할 수 있었으며 동적모델의 경우에 패널데이터의 상태의존도를 지수함수로 가정하여 상태의존도를 고려한 동적모델을 구축하였다. 또한 패널조사시에 필연적으로 발생하는 누락데이터에 의한 누락편위를 모델에 고려하기 위하여 WESML방법을 적용하여 모델을 구축하였으며 그 결과 상태의존도를 보다 세밀하게 제어함으로서 모델의 설명력을 개선시키고 향후 SP 패널데이터를 이용한 동적모델의 적용성을 높일 수 있음을 알 수 있었다. 본 연구에서는 모델의 유용성을 검토하기 위하여 전주시의 외각 지역인 호남제일문 방향에서 도심으로 접근하는 3개의 주경로(천변로, 기린로, 팔달로)에 대한 패널조사 자료를 바탕으로 모델을 구축하였다.

• 한국자기학회지
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• 제18권4호
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• pp.142-146
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• 2008

마그네트론 스퍼터링방법으로 제작한 다층박막 $[Pt/Co]_N-IrMn$에 측정자기장이 박막면에 수직한 방향에서 면방향으로 각도 $\theta$방향으로 인가될때, 교환결합바이어스($H_{ex}$)와 보자력($H_c$)의 각도의존성이 측정되었다. 자기이력곡선은 인가 자기장축 뿐 아니라 자화축에 대하여도 그 원점이 이동하여 비대칭을 나타내었다. $H__{ex}$와 $H_c$는 각도$\theta$에 대하여 각각 $1/cos{\theta}$과 $1/|cos{\theta}|$ 의존성을 나타내며, 이와 같은 각도의존특성은 자기장냉각(박막면에 수직방향)을 통하여 생긴 강한 수직자기이방성에 기인하는 것을 알 수 있다.

• Journal of Magnetics
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• 제15권3호
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• pp.132-137
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• 2010

Plasma etching of $SiO_2$ contact holes was statistically analyzed by a fractional factorial experimental design. The analysis revealed the dependence of the etch rate and DC self-bias voltage on the input factors of the magnetically enhanced reactive ion etching reactor, including gas pressure, magnetic field, and the gas flow rates of $CHF_3$, $CF_4$, and Ar. Empirical models of the DC self-bias voltage and etch rate were obtained. The DC self-bias voltage was found to be determined mainly by the operating pressure and the magnetic field, and the etch rate was related mainly to the pressure and the flow rates of Ar and $CHF_3$.